ट्रांजिस्टर प्रकार: LDMOS, आवृत्ति: 220MHz, लाभ: 25.5dB, वोल्टेज - टेस्ट: 50V,
ट्रांजिस्टर प्रकार: LDMOS, आवृत्ति: 2.17GHz, लाभ: 17.3dB, वोल्टेज - टेस्ट: 28V,
ट्रांजिस्टर प्रकार: pHEMT FET, आवृत्ति: 3.55GHz, लाभ: 10dB, वोल्टेज - टेस्ट: 12V,
ट्रांजिस्टर प्रकार: LDMOS, आवृत्ति: 880MHz, लाभ: 20.8dB, वोल्टेज - टेस्ट: 28V,
ट्रांजिस्टर प्रकार: LDMOS, आवृत्ति: 1.93GHz ~ 1.99GHz, लाभ: 14.5dB, वोल्टेज - टेस्ट: 28V,
ट्रांजिस्टर प्रकार: LDMOS, आवृत्ति: 1.93GHz, लाभ: 16dB, वोल्टेज - टेस्ट: 28V,
ट्रांजिस्टर प्रकार: LDMOS, आवृत्ति: 1.4GHz, लाभ: 18dB, वोल्टेज - टेस्ट: 50V,
ट्रांजिस्टर प्रकार: LDMOS, आवृत्ति: 1.96GHz, लाभ: 13dB, वोल्टेज - टेस्ट: 26V,
ट्रांजिस्टर प्रकार: LDMOS, आवृत्ति: 2.16GHz, लाभ: 16dB, वोल्टेज - टेस्ट: 28V,
ट्रांजिस्टर प्रकार: LDMOS, आवृत्ति: 3.1GHz ~ 3.5GHz, लाभ: 16dB, वोल्टेज - टेस्ट: 32V,
ट्रांजिस्टर प्रकार: pHEMT FET, आवृत्ति: 3.55GHz, लाभ: 10dB, वोल्टेज - टेस्ट: 6V,
ट्रांजिस्टर प्रकार: LDMOS, आवृत्ति: 960MHz, लाभ: 18dB, वोल्टेज - टेस्ट: 26V,
ट्रांजिस्टर प्रकार: LDMOS, आवृत्ति: 880MHz, लाभ: 20.9dB, वोल्टेज - टेस्ट: 28V,
ट्रांजिस्टर प्रकार: LDMOS, आवृत्ति: 220MHz, लाभ: 23.9dB, वोल्टेज - टेस्ट: 50V,
ट्रांजिस्टर प्रकार: LDMOS, आवृत्ति: 1.3GHz, लाभ: 22.7dB, वोल्टेज - टेस्ट: 50V,
ट्रांजिस्टर प्रकार: LDMOS,
ट्रांजिस्टर प्रकार: LDMOS (Dual), आवृत्ति: 130MHz, लाभ: 26dB, वोल्टेज - टेस्ट: 50V,
ट्रांजिस्टर प्रकार: LDMOS, आवृत्ति: 2.12GHz, लाभ: 15.5dB, वोल्टेज - टेस्ट: 28V,
ट्रांजिस्टर प्रकार: LDMOS, आवृत्ति: 945MHz, लाभ: 14.5dB, वोल्टेज - टेस्ट: 28V, वर्तमान मूल्यांकन: 5A,
ट्रांजिस्टर प्रकार: LDMOS, आवृत्ति: 870MHz, लाभ: 16.3dB, वोल्टेज - टेस्ट: 7.5V, वर्तमान मूल्यांकन: 8A,
ट्रांजिस्टर प्रकार: N-Channel, आवृत्ति: 175MHz, वोल्टेज - टेस्ट: 50V, वर्तमान मूल्यांकन: 40A,
ट्रांजिस्टर प्रकार: N-Channel JFET, वर्तमान मूल्यांकन: 40mA,
ट्रांजिस्टर प्रकार: N-Channel JFET, आवृत्ति: 100MHz, लाभ: 16dB, वोल्टेज - टेस्ट: 10V, वर्तमान मूल्यांकन: 60mA,
ट्रांजिस्टर प्रकार: N-Channel JFET, लाभ: 12dB, वोल्टेज - टेस्ट: 10V, वर्तमान मूल्यांकन: 60mA,
ट्रांजिस्टर प्रकार: LDMOS, आवृत्ति: 960MHz, लाभ: 18.5dB, वोल्टेज - टेस्ट: 28V, वर्तमान मूल्यांकन: 10µA,
ट्रांजिस्टर प्रकार: LDMOS, आवृत्ति: 1.99GHz, लाभ: 15.9dB, वोल्टेज - टेस्ट: 30V, वर्तमान मूल्यांकन: 10µA,
ट्रांजिस्टर प्रकार: LDMOS, आवृत्ति: 760MHz, लाभ: 19.5dB, वोल्टेज - टेस्ट: 28V,
ट्रांजिस्टर प्रकार: LDMOS, आवृत्ति: 1.99GHz, लाभ: 18dB, वोल्टेज - टेस्ट: 30V,
ट्रांजिस्टर प्रकार: LDMOS, आवृत्ति: 2.48GHz, लाभ: 14dB, वोल्टेज - टेस्ट: 28V, वर्तमान मूल्यांकन: 10µA,
ट्रांजिस्टर प्रकार: N-Channel, आवृत्ति: 175MHz, लाभ: 14dB, वोल्टेज - टेस्ट: 50V, वर्तमान मूल्यांकन: 50µA,
ट्रांजिस्टर प्रकार: HFET, आवृत्ति: 12GHz, लाभ: 12dB, वोल्टेज - टेस्ट: 2V, वर्तमान मूल्यांकन: 70mA, शोर का आंकड़ा: 0.45dB,
ट्रांजिस्टर प्रकार: HFET, आवृत्ति: 4GHz, लाभ: 16dB, वोल्टेज - टेस्ट: 2V, वर्तमान मूल्यांकन: 97mA, शोर का आंकड़ा: 0.45dB,
ट्रांजिस्टर प्रकार: HEMT, आवृत्ति: 960MHz ~ 1.22GHz, लाभ: 19.8dB, वोल्टेज - टेस्ट: 50V, वर्तमान मूल्यांकन: 27.3A,
