ट्रांजिस्टर प्रकार: pHEMT FET, आवृत्ति: 3.55GHz, लाभ: 10.8dB, वोल्टेज - टेस्ट: 12V,
ट्रांजिस्टर प्रकार: pHEMT FET, आवृत्ति: 3.55GHz, लाभ: 10dB, वोल्टेज - टेस्ट: 12V,
ट्रांजिस्टर प्रकार: LDMOS (Dual), आवृत्ति: 1.99GHz, लाभ: 20dB, वोल्टेज - टेस्ट: 28V,
ट्रांजिस्टर प्रकार: pHEMT FET, आवृत्ति: 3.5GHz, लाभ: 11.5dB, वोल्टेज - टेस्ट: 12V,
ट्रांजिस्टर प्रकार: LDMOS, आवृत्ति: 2.11GHz ~ 2.17GHz, लाभ: 17.5dB, वोल्टेज - टेस्ट: 28V,
ट्रांजिस्टर प्रकार: LDMOS, आवृत्ति: 2GHz, लाभ: 11.5dB, वोल्टेज - टेस्ट: 26V,
ट्रांजिस्टर प्रकार: LDMOS, आवृत्ति: 880MHz, लाभ: 21dB, वोल्टेज - टेस्ट: 28V,
ट्रांजिस्टर प्रकार: LDMOS, आवृत्ति: 2.11GHz ~ 2.17GHz, लाभ: 13.5dB, वोल्टेज - टेस्ट: 28V,
ट्रांजिस्टर प्रकार: LDMOS, आवृत्ति: 2.11GHz ~ 2.16GHz, लाभ: 14.5dB, वोल्टेज - टेस्ट: 28V,
ट्रांजिस्टर प्रकार: LDMOS, आवृत्ति: 945MHz, लाभ: 19dB, वोल्टेज - टेस्ट: 26V,
ट्रांजिस्टर प्रकार: LDMOS, आवृत्ति: 2.11GHz, लाभ: 14.5dB, वोल्टेज - टेस्ट: 28V,
ट्रांजिस्टर प्रकार: LDMOS, आवृत्ति: 1.88GHz, लाभ: 17dB, वोल्टेज - टेस्ट: 28V,
ट्रांजिस्टर प्रकार: LDMOS, आवृत्ति: 2.17GHz, लाभ: 18dB, वोल्टेज - टेस्ट: 30V,
ट्रांजिस्टर प्रकार: LDMOS (Dual), आवृत्ति: 2.69GHz, लाभ: 20dB, वोल्टेज - टेस्ट: 28V,
ट्रांजिस्टर प्रकार: N-Channel JFET, आवृत्ति: 450MHz, लाभ: 12dB, वोल्टेज - टेस्ट: 10V, वर्तमान मूल्यांकन: 60mA, शोर का आंकड़ा: 3dB,
ट्रांजिस्टर प्रकार: N-Channel JFET, आवृत्ति: 100MHz, लाभ: 16dB, वोल्टेज - टेस्ट: 10V, वर्तमान मूल्यांकन: 30mA,
ट्रांजिस्टर प्रकार: LDMOS, आवृत्ति: 2.11GHz ~ 2.17GHz, लाभ: 16.5dB, वोल्टेज - टेस्ट: 30V,
ट्रांजिस्टर प्रकार: LDMOS, आवृत्ति: 900MHz, लाभ: 18dB, वोल्टेज - टेस्ट: 28V, वर्तमान मूल्यांकन: 10µA,
ट्रांजिस्टर प्रकार: LDMOS, आवृत्ति: 2.14GHz, लाभ: 15.5dB, वोल्टेज - टेस्ट: 28V,
ट्रांजिस्टर प्रकार: LDMOS, आवृत्ति: 765MHz, लाभ: 19dB, वोल्टेज - टेस्ट: 30V,
ट्रांजिस्टर प्रकार: LDMOS, आवृत्ति: 1.99GHz, लाभ: 19dB, वोल्टेज - टेस्ट: 28V, वर्तमान मूल्यांकन: 1µA,
ट्रांजिस्टर प्रकार: LDMOS, आवृत्ति: 2.14GHz, लाभ: 15.8dB, वोल्टेज - टेस्ट: 30V, वर्तमान मूल्यांकन: 10µA,
ट्रांजिस्टर प्रकार: LDMOS, आवृत्ति: 1.96GHz, लाभ: 17dB, वोल्टेज - टेस्ट: 30V, वर्तमान मूल्यांकन: 10µA,
ट्रांजिस्टर प्रकार: LDMOS, आवृत्ति: 500MHz, लाभ: 17dB, वोल्टेज - टेस्ट: 12.5V, वर्तमान मूल्यांकन: 2.5A,
ट्रांजिस्टर प्रकार: LDMOS, आवृत्ति: 500MHz, लाभ: 12dB, वोल्टेज - टेस्ट: 7.5V, वर्तमान मूल्यांकन: 4A,
ट्रांजिस्टर प्रकार: N-Channel, आवृत्ति: 30MHz, लाभ: 22dB, वोल्टेज - टेस्ट: 50V, वर्तमान मूल्यांकन: 6A,
ट्रांजिस्टर प्रकार: HEMT, आवृत्ति: 0Hz ~ 2GHz, लाभ: 17dB, वोल्टेज - टेस्ट: 48V, वर्तमान मूल्यांकन: 14A,
ट्रांजिस्टर प्रकार: HFET, आवृत्ति: 12GHz, लाभ: 13.5dB, वोल्टेज - टेस्ट: 2V, वर्तमान मूल्यांकन: 15mA, शोर का आंकड़ा: 0.35dB,
ट्रांजिस्टर प्रकार: HFET, आवृत्ति: 12GHz, लाभ: 12.5dB, वोल्टेज - टेस्ट: 2V, वर्तमान मूल्यांकन: 88mA, शोर का आंकड़ा: 0.3dB,
ट्रांजिस्टर प्रकार: HFET, आवृत्ति: 20GHz, लाभ: 10dB, वोल्टेज - टेस्ट: 2V, वर्तमान मूल्यांकन: 70mA, शोर का आंकड़ा: 0.75dB,
