ट्रांजिस्टर प्रकार: N-Channel JFET, वर्तमान मूल्यांकन: 15mA,
ट्रांजिस्टर प्रकार: LDMOS, आवृत्ति: 945MHz, लाभ: 14dB, वोल्टेज - टेस्ट: 28V, वर्तमान मूल्यांकन: 4A,
ट्रांजिस्टर प्रकार: LDMOS, आवृत्ति: 500MHz, लाभ: 14.5dB, वोल्टेज - टेस्ट: 12.5V, वर्तमान मूल्यांकन: 7A,
ट्रांजिस्टर प्रकार: LDMOS, आवृत्ति: 960MHz, लाभ: 15dB, वोल्टेज - टेस्ट: 28V, वर्तमान मूल्यांकन: 250mA,
ट्रांजिस्टर प्रकार: LDMOS, आवृत्ति: 870MHz, लाभ: 16.2dB, वोल्टेज - टेस्ट: 7.5V, वर्तमान मूल्यांकन: 7A,
ट्रांजिस्टर प्रकार: LDMOS, आवृत्ति: 2.17GHz, लाभ: 18dB, वोल्टेज - टेस्ट: 30V,
ट्रांजिस्टर प्रकार: LDMOS, आवृत्ति: 821MHz, लाभ: 19.3dB, वोल्टेज - टेस्ट: 28V,
ट्रांजिस्टर प्रकार: LDMOS, आवृत्ति: 2.14GHz, लाभ: 15.8dB, वोल्टेज - टेस्ट: 30V, वर्तमान मूल्यांकन: 10µA,
ट्रांजिस्टर प्रकार: LDMOS, आवृत्ति: 2.17GHz, लाभ: 14dB, वोल्टेज - टेस्ट: 28V, वर्तमान मूल्यांकन: 1µA,
ट्रांजिस्टर प्रकार: LDMOS, आवृत्ति: 960MHz, लाभ: 17.5dB, वोल्टेज - टेस्ट: 30V,
ट्रांजिस्टर प्रकार: LDMOS (Dual), Common Source, आवृत्ति: 2.61GHz, लाभ: 13.5dB, वोल्टेज - टेस्ट: 28V,
ट्रांजिस्टर प्रकार: LDMOS (Dual), आवृत्ति: 860MHz, लाभ: 22.5dB, वोल्टेज - टेस्ट: 50V,
ट्रांजिस्टर प्रकार: LDMOS, आवृत्ति: 2.11GHz ~ 2.17GHz, लाभ: 17.5dB, वोल्टेज - टेस्ट: 28V,
ट्रांजिस्टर प्रकार: LDMOS, आवृत्ति: 880MHz, लाभ: 20.9dB, वोल्टेज - टेस्ट: 28V,
ट्रांजिस्टर प्रकार: LDMOS, आवृत्ति: 1.99GHz, लाभ: 14dB, वोल्टेज - टेस्ट: 28V,
ट्रांजिस्टर प्रकार: LDMOS, आवृत्ति: 2.16GHz ~ 2.17GHz, लाभ: 13.5dB, वोल्टेज - टेस्ट: 28V,
ट्रांजिस्टर प्रकार: LDMOS, आवृत्ति: 1.93GHz ~ 1.99GHz, लाभ: 14dB, वोल्टेज - टेस्ट: 28V,
ट्रांजिस्टर प्रकार: LDMOS, आवृत्ति: 450MHz, लाभ: 22dB, वोल्टेज - टेस्ट: 50V,
ट्रांजिस्टर प्रकार: LDMOS, आवृत्ति: 1.96GHz, लाभ: 13dB, वोल्टेज - टेस्ट: 26V,
ट्रांजिस्टर प्रकार: LDMOS, आवृत्ति: 945MHz, लाभ: 19dB, वोल्टेज - टेस्ट: 28V,
ट्रांजिस्टर प्रकार: LDMOS (Dual), आवृत्ति: 230MHz, लाभ: 26.5dB, वोल्टेज - टेस्ट: 50V,
ट्रांजिस्टर प्रकार: LDMOS, आवृत्ति: 960MHz, लाभ: 17.5dB, वोल्टेज - टेस्ट: 26V,
ट्रांजिस्टर प्रकार: LDMOS, आवृत्ति: 2.17GHz, लाभ: 17.3dB, वोल्टेज - टेस्ट: 28V,
ट्रांजिस्टर प्रकार: LDMOS, आवृत्ति: 880MHz, लाभ: 21dB, वोल्टेज - टेस्ट: 28V,
ट्रांजिस्टर प्रकार: LDMOS, आवृत्ति: 940MHz, लाभ: 21dB, वोल्टेज - टेस्ट: 28V,
ट्रांजिस्टर प्रकार: pHEMT FET, आवृत्ति: 3.55GHz, लाभ: 11dB, वोल्टेज - टेस्ट: 12V,
ट्रांजिस्टर प्रकार: LDMOS, आवृत्ति: 2.11GHz ~ 2.17GHz, लाभ: 14.5dB, वोल्टेज - टेस्ट: 28V,
ट्रांजिस्टर प्रकार: LDMOS, आवृत्ति: 2.66GHz, लाभ: 14.6dB, वोल्टेज - टेस्ट: 28V,
ट्रांजिस्टर प्रकार: LDMOS, आवृत्ति: 860MHz, लाभ: 18.2dB, वोल्टेज - टेस्ट: 32V,
ट्रांजिस्टर प्रकार: N-Channel GaAs HJ-FET, आवृत्ति: 12GHz, लाभ: 14dB, वोल्टेज - टेस्ट: 2V, वर्तमान मूल्यांकन: 60mA, शोर का आंकड़ा: 0.35dB,
ट्रांजिस्टर प्रकार: HFET, आवृत्ति: 12GHz, लाभ: 13.5dB, वोल्टेज - टेस्ट: 2V, वर्तमान मूल्यांकन: 15mA, शोर का आंकड़ा: 0.35dB,
ट्रांजिस्टर प्रकार: HFET, आवृत्ति: 6GHz, लाभ: 15.5dB, वोल्टेज - टेस्ट: 8V, वर्तमान मूल्यांकन: 450mA, शोर का आंकड़ा: 4.5dB,
