डायोड - रेक्टीफायर - सिंगल

CPW2-1200-S010B-FR1

भाग स्टॉक: 9531

CPW2-1200-S010BP

भाग स्टॉक: 5043

CPW2-1200-S005B-FR1

भाग स्टॉक: 9533

C3D03060E

भाग स्टॉक: 50240

डायोड प्रकार: Silicon Carbide Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 600V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 11A (DC), वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.7V @ 3A, स्पीड: No Recovery Time > 500mA (Io), रिवर्स रिकवरी टाइम (trr): 0ns,

CPW2-1200-S005B

भाग स्टॉक: 9536

डायोड प्रकार: Silicon Carbide Schottky, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 17.5A (DC), वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.8V @ 5A, स्पीड: No Recovery Time > 500mA (Io), रिवर्स रिकवरी टाइम (trr): 0ns,

C4D10120E

भाग स्टॉक: 6526

डायोड प्रकार: Silicon Carbide Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 1200V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 33A (DC), वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.8V @ 10A, स्पीड: No Recovery Time > 500mA (Io), रिवर्स रिकवरी टाइम (trr): 0ns,

C3D06060F

भाग स्टॉक: 25319

डायोड प्रकार: Silicon Carbide Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 600V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 7.5A (DC), वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.8V @ 6A, स्पीड: No Recovery Time > 500mA (Io), रिवर्स रिकवरी टाइम (trr): 0ns,

C4D02120E

भाग स्टॉक: 51855

डायोड प्रकार: Silicon Carbide Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 1200V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 10A (DC), वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.8V @ 2A, स्पीड: No Recovery Time > 500mA (Io), रिवर्स रिकवरी टाइम (trr): 0ns,

CSD01060E

भाग स्टॉक: 71851

डायोड प्रकार: Silicon Carbide Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 600V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 4A (DC), वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.8V @ 1A, स्पीड: No Recovery Time > 500mA (Io), रिवर्स रिकवरी टाइम (trr): 0ns,

C3D06060A

भाग स्टॉक: 25267

डायोड प्रकार: Silicon Carbide Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 600V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 19A (DC), वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.8V @ 6A, स्पीड: No Recovery Time > 500mA (Io), रिवर्स रिकवरी टाइम (trr): 0ns,

C4D05120E

भाग स्टॉक: 13087

डायोड प्रकार: Silicon Carbide Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 1200V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 19A (DC), वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.8V @ 5A, स्पीड: No Recovery Time > 500mA (Io), रिवर्स रिकवरी टाइम (trr): 0ns,

CSD01060E-TR

भाग स्टॉक: 114503

डायोड प्रकार: Silicon Carbide Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 600V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 4A (DC), वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.8V @ 1A, स्पीड: No Recovery Time > 500mA (Io), रिवर्स रिकवरी टाइम (trr): 0ns,

C3D10060G

भाग स्टॉक: 15193

डायोड प्रकार: Silicon Carbide Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 600V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 29A (DC), वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.8V @ 10A, स्पीड: No Recovery Time > 500mA (Io), रिवर्स रिकवरी टाइम (trr): 0ns,

C4D02120A

भाग स्टॉक: 32495

डायोड प्रकार: Silicon Carbide Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 1200V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 10A (DC), वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.8V @ 2A, स्पीड: No Recovery Time > 500mA (Io), रिवर्स रिकवरी टाइम (trr): 0ns,

C3D04060E

भाग स्टॉक: 37785

डायोड प्रकार: Silicon Carbide Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 600V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 13.5A (DC), वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.7V @ 4A, स्पीड: No Recovery Time > 500mA (Io), रिवर्स रिकवरी टाइम (trr): 0ns,

C3D1P7060Q

भाग स्टॉक: 167440

डायोड प्रकार: Silicon Carbide Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 600V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 9.7A (DC), वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.7V @ 1.7A, स्पीड: No Recovery Time > 500mA (Io), रिवर्स रिकवरी टाइम (trr): 0ns,