डायोड - रेक्टीफायर - सिंगल

C3D04060F

भाग स्टॉक: 37807

डायोड प्रकार: Silicon Carbide Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 600V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 6A (DC), वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.7V @ 4A, स्पीड: No Recovery Time > 500mA (Io), रिवर्स रिकवरी टाइम (trr): 0ns,

C4D05120E-TR

भाग स्टॉक: 20880

डायोड प्रकार: Silicon Carbide Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 1200V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 19A (DC), वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.8V @ 5A, स्पीड: No Recovery Time > 500mA (Io), रिवर्स रिकवरी टाइम (trr): 0ns,

C4D10120E-TR

भाग स्टॉक: 10448

डायोड प्रकार: Silicon Carbide Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 1200V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 33A (DC), वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.8V @ 10A, स्पीड: No Recovery Time > 500mA (Io), रिवर्स रिकवरी टाइम (trr): 0ns,

C3D06060G-TR

भाग स्टॉक: 40422

डायोड प्रकार: Silicon Carbide Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 600V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 19A (DC), वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.7V @ 6A, स्पीड: No Recovery Time > 500mA (Io),

C3D02065E-TR

भाग स्टॉक: 114886

डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 650V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 8A (DC), वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.8V @ 2A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

C3D08060G-TR

भाग स्टॉक: 30363

डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 600V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 24A (DC), वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.8V @ 6A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

C3D03065E-TR

भाग स्टॉक: 76100

डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 650V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 11A (DC), वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.8V @ 3A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

C3D02060E-TR

भाग स्टॉक: 122143

डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 600V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 5A (DC), वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.7V @ 2A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

C3D10060G-TR

भाग स्टॉक: 24327

डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 600V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 29A (DC), वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.8V @ 10A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

C3D04065E-TR

भाग स्टॉक: 57453

डायोड प्रकार: Silicon Carbide Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 650V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 13.5A (DC), वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.8V @ 4A, स्पीड: No Recovery Time > 500mA (Io), रिवर्स रिकवरी टाइम (trr): 0ns,

C3D03060E-TR

भाग स्टॉक: 80343

डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 600V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 11A (DC), वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.7V @ 3A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

C4D08120E-TR

भाग स्टॉक: 13953

डायोड प्रकार: Silicon Carbide Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 1200V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 24.5A (DC), वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.8V @ 8A, स्पीड: No Recovery Time > 500mA (Io), रिवर्स रिकवरी टाइम (trr): 0ns,

C3D04060E-TR

भाग स्टॉक: 60464

डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 600V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 13.5A (DC), वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.8V @ 4A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

E4D20120A

भाग स्टॉक: 634

डायोड प्रकार: Silicon Carbide Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 1200V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 54.5A (DC), वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.8V @ 20A, स्पीड: No Recovery Time > 500mA (Io), रिवर्स रिकवरी टाइम (trr): 0ns,

CPW3-1700-S025B-WP

भाग स्टॉक: 1137

डायोड प्रकार: Silicon Carbide Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 1700V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 25A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 2V @ 25A, स्पीड: No Recovery Time > 500mA (Io), रिवर्स रिकवरी टाइम (trr): 0ns,

C2D05120A

भाग स्टॉक: 9158

डायोड प्रकार: Silicon Carbide Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 1200V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 17.5A (DC), वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.8V @ 5A, स्पीड: No Recovery Time > 500mA (Io), रिवर्स रिकवरी टाइम (trr): 0ns,

C4D15120H

भाग स्टॉक: 501

डायोड प्रकार: Silicon Carbide Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 1200V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 39A (DC), वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.8V @ 15A, स्पीड: No Recovery Time > 500mA (Io), रिवर्स रिकवरी टाइम (trr): 0ns,

CPW3-1700-S010B-WP

भाग स्टॉक: 3535

डायोड प्रकार: Silicon Carbide Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 1700V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 10A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 2V @ 10A, स्पीड: No Recovery Time > 500mA (Io), रिवर्स रिकवरी टाइम (trr): 0ns,

C4D08120A

भाग स्टॉक: 8738

डायोड प्रकार: Silicon Carbide Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 1200V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 24.5A (DC), वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.8V @ 7.5A, स्पीड: No Recovery Time > 500mA (Io), रिवर्स रिकवरी टाइम (trr): 0ns,

C4D20120H

भाग स्टॉक: 3141

डायोड प्रकार: Silicon Carbide Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 1200V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 54A (DC), वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.8V @ 20A, स्पीड: No Recovery Time > 500mA (Io), रिवर्स रिकवरी टाइम (trr): 0ns,

C4D10120H

भाग स्टॉक: 3213

डायोड प्रकार: Silicon Carbide Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 1200V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 31.5A (DC), वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.8V @ 10A, स्पीड: No Recovery Time > 500mA (Io), रिवर्स रिकवरी टाइम (trr): 0ns,

C3D25170H

भाग स्टॉक: 1223

डायोड प्रकार: Silicon Carbide Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 1700V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 26.3A (DC), वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 2.5V @ 25A, स्पीड: No Recovery Time > 500mA (Io), रिवर्स रिकवरी टाइम (trr): 0ns,

CVFD20065A

भाग स्टॉक: 7144

डायोड प्रकार: Silicon Carbide Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 650V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 57A (DC), वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.45V @ 20A, स्पीड: No Recovery Time > 500mA (Io), रिवर्स रिकवरी टाइम (trr): 0ns,

C4D15120A

भाग स्टॉक: 4355

डायोड प्रकार: Silicon Carbide Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 1200V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 43.5A (DC), वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.8V @ 15A, स्पीड: No Recovery Time > 500mA (Io), रिवर्स रिकवरी टाइम (trr): 0ns,

C3D03060A

भाग स्टॉक: 50190

डायोड प्रकार: Silicon Carbide Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 600V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 11A (DC), वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.7V @ 3A, स्पीड: No Recovery Time > 500mA (Io), रिवर्स रिकवरी टाइम (trr): 0ns,

C3D16065A

भाग स्टॉक: 9050

डायोड प्रकार: Silicon Carbide Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 650V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 39A (DC), वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.8V @ 16A, स्पीड: No Recovery Time > 500mA (Io), रिवर्स रिकवरी टाइम (trr): 0ns,

C2D05120E-TR

भाग स्टॉक: 14702

डायोड प्रकार: Silicon Carbide Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 1200V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 17.5A (DC), वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.8V @ 5A, स्पीड: No Recovery Time > 500mA (Io), रिवर्स रिकवरी टाइम (trr): 0ns,

C3D04065A

भाग स्टॉक: 35635

डायोड प्रकार: Silicon Carbide Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 650V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 13.5A (DC), वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.8V @ 4A, स्पीड: No Recovery Time > 500mA (Io), रिवर्स रिकवरी टाइम (trr): 0ns,

C3D12065A

भाग स्टॉक: 11857

डायोड प्रकार: Silicon Carbide Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 650V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 35A (DC), वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.8V @ 12A, स्पीड: No Recovery Time > 500mA (Io), रिवर्स रिकवरी टाइम (trr): 0ns,

C3D06065A

भाग स्टॉक: 23636

डायोड प्रकार: Silicon Carbide Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 650V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 19A (DC), वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.8V @ 6A, स्पीड: No Recovery Time > 500mA (Io), रिवर्स रिकवरी टाइम (trr): 0ns,

C3D08065I

भाग स्टॉक: 17098

डायोड प्रकार: Silicon Carbide Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 650V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 16.5A (DC), वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.8V @ 8A, स्पीड: No Recovery Time > 500mA (Io), रिवर्स रिकवरी टाइम (trr): 0ns,

C3D08065A

भाग स्टॉक: 17783

डायोड प्रकार: Silicon Carbide Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 650V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 24A (DC), वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.8V @ 8A, स्पीड: No Recovery Time > 500mA (Io), रिवर्स रिकवरी टाइम (trr): 0ns,

C2D05120E

भाग स्टॉक: 9200

डायोड प्रकार: Silicon Carbide Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 1200V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 17.5A (DC), वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.8V @ 5A, स्पीड: No Recovery Time > 500mA (Io), रिवर्स रिकवरी टाइम (trr): 0ns,

C3D10170H

भाग स्टॉक: 3661

डायोड प्रकार: Silicon Carbide Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 1700V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 14.4A (DC), वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 2V @ 10A, स्पीड: No Recovery Time > 500mA (Io), रिवर्स रिकवरी टाइम (trr): 0ns,

C3D10065A

भाग स्टॉक: 14272

डायोड प्रकार: Silicon Carbide Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 650V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 30A (DC), वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.8V @ 10A, स्पीड: No Recovery Time > 500mA (Io), रिवर्स रिकवरी टाइम (trr): 0ns,

CPW2-1200-S010B-SK

भाग स्टॉक: 1446