डायोड - रेक्टीफायर्स - Arrays | असतत अर्धचालक उत्पाद | 1

C2D20120D

भाग स्टॉक: 2052

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Silicon Carbide Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 1200V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 22A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.8V @ 10A, स्पीड: No Recovery Time > 500mA (Io),

इच्छा-सूची

Cree/Wolfspeed

C2D10120D

भाग स्टॉक: 4546

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Silicon Carbide Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 1200V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 10A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.8V @ 5A, स्पीड: No Recovery Time > 500mA (Io),

इच्छा-सूची

Cree/Wolfspeed

C3D16060D

भाग स्टॉक: 9516

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Silicon Carbide Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 600V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 8A (DC), वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.8V @ 8A, स्पीड: No Recovery Time > 500mA (Io),

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Cree/Wolfspeed

C3D16065D

भाग स्टॉक: 9052

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Silicon Carbide Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 650V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 8A (DC), वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.8V @ 8A, स्पीड: No Recovery Time > 500mA (Io),

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Cree/Wolfspeed

C3D20065D

भाग स्टॉक: 7211

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Silicon Carbide Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 650V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 10A (DC), वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.8V @ 10A, स्पीड: No Recovery Time > 500mA (Io),

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Cree/Wolfspeed

C4D15120D

भाग स्टॉक: 4382

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Silicon Carbide Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 1200V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 24.5V (DC), वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.8V @ 8A, स्पीड: No Recovery Time > 500mA (Io),

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Cree/Wolfspeed

C4D30120D

भाग स्टॉक: 2172

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Silicon Carbide Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 1200V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 21.5A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.8V @ 15A, स्पीड: No Recovery Time > 500mA (Io),

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Cree/Wolfspeed

C4D40120D

भाग स्टॉक: 1697

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Silicon Carbide Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 1200V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 27A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.8V @ 20A, स्पीड: No Recovery Time > 500mA (Io),

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C4D20120D

भाग स्टॉक: 3349

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Silicon Carbide Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 1200V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 16A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.8V @ 10A, स्पीड: No Recovery Time > 500mA (Io),

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C4D10120D

भाग स्टॉक: 6587

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Silicon Carbide Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 1200V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 9A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.8V @ 5A, स्पीड: No Recovery Time > 500mA (Io),

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C3D30065D

भाग स्टॉक: 4880

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Silicon Carbide Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 650V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 39A (DC), वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.8V @ 16A, स्पीड: No Recovery Time > 500mA (Io),

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C3D20060D

भाग स्टॉक: 7596

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Silicon Carbide Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 600V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 10A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.8V @ 10A, स्पीड: No Recovery Time > 500mA (Io),

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Cree/Wolfspeed

CSD20030D

भाग स्टॉक: 3852

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Silicon Carbide Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 300V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 10A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.4V @ 10A, स्पीड: No Recovery Time > 500mA (Io),

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Cree/Wolfspeed

CSD20060D

भाग स्टॉक: 3830

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Silicon Carbide Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 600V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 16.5A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.8V @ 10A, स्पीड: No Recovery Time > 500mA (Io),

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