थाइरिस्टर - एससीआर | असतत अर्धचालक उत्पाद | 21

VS-2N682

भाग स्टॉक: 9141

वोल्टेज - ऑफ स्टेट: 50V, वोल्टेज - गेट ट्रिगर (वीजीटी) (अधिकतम): 2V, करंट - गेट ट्रिगर (Igt) (अधिकतम): 40mA, वोल्टेज - राज्य पर (वीटीएम) (अधिकतम): 2V, वर्तमान - राज्य पर (यह (एवी)) (अधिकतम): 16A, वर्तमान - राज्य पर (यह (आरएमएस)) (अधिकतम): 25A,

इच्छा-सूची

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-22RIA80

भाग स्टॉक: 5485

वोल्टेज - ऑफ स्टेट: 800V, वोल्टेज - गेट ट्रिगर (वीजीटी) (अधिकतम): 2V, करंट - गेट ट्रिगर (Igt) (अधिकतम): 60mA, वोल्टेज - राज्य पर (वीटीएम) (अधिकतम): 1.7V, वर्तमान - राज्य पर (यह (एवी)) (अधिकतम): 22A, वर्तमान - राज्य पर (यह (आरएमएस)) (अधिकतम): 35A,

इच्छा-सूची

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-16RIA100M

भाग स्टॉक: 4523

वोल्टेज - ऑफ स्टेट: 1kV, वोल्टेज - गेट ट्रिगर (वीजीटी) (अधिकतम): 2V, करंट - गेट ट्रिगर (Igt) (अधिकतम): 60mA, वोल्टेज - राज्य पर (वीटीएम) (अधिकतम): 1.75V, वर्तमान - राज्य पर (यह (एवी)) (अधिकतम): 16A, वर्तमान - राज्य पर (यह (आरएमएस)) (अधिकतम): 35A,

इच्छा-सूची

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-10RIA120M

भाग स्टॉक: 4596

वोल्टेज - ऑफ स्टेट: 1.2kV, वोल्टेज - गेट ट्रिगर (वीजीटी) (अधिकतम): 2V, करंट - गेट ट्रिगर (Igt) (अधिकतम): 60mA, वोल्टेज - राज्य पर (वीटीएम) (अधिकतम): 1.75V, वर्तमान - राज्य पर (यह (एवी)) (अधिकतम): 25A, वर्तमान - राज्य पर (यह (आरएमएस)) (अधिकतम): 10A,

इच्छा-सूची

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-10RIA100M

भाग स्टॉक: 4578

वोल्टेज - ऑफ स्टेट: 1kV, वोल्टेज - गेट ट्रिगर (वीजीटी) (अधिकतम): 2V, करंट - गेट ट्रिगर (Igt) (अधिकतम): 60mA, वोल्टेज - राज्य पर (वीटीएम) (अधिकतम): 1.75V, वर्तमान - राज्य पर (यह (एवी)) (अधिकतम): 25A, वर्तमान - राज्य पर (यह (आरएमएस)) (अधिकतम): 10A,

इच्छा-सूची

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-16RIA40M

भाग स्टॉक: 4567

वोल्टेज - ऑफ स्टेट: 400V, वोल्टेज - गेट ट्रिगर (वीजीटी) (अधिकतम): 2V, करंट - गेट ट्रिगर (Igt) (अधिकतम): 60mA, वोल्टेज - राज्य पर (वीटीएम) (अधिकतम): 1.75V, वर्तमान - राज्य पर (यह (एवी)) (अधिकतम): 16A, वर्तमान - राज्य पर (यह (आरएमएस)) (अधिकतम): 35A,

इच्छा-सूची

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-25RIA40M

भाग स्टॉक: 4612

वोल्टेज - ऑफ स्टेट: 400V, वोल्टेज - गेट ट्रिगर (वीजीटी) (अधिकतम): 2V, करंट - गेट ट्रिगर (Igt) (अधिकतम): 60mA, वोल्टेज - राज्य पर (वीटीएम) (अधिकतम): 1.7V, वर्तमान - राज्य पर (यह (एवी)) (अधिकतम): 25A, वर्तमान - राज्य पर (यह (आरएमएस)) (अधिकतम): 40A,

इच्छा-सूची

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST330C16L0

भाग स्टॉक: 581

वोल्टेज - ऑफ स्टेट: 1.6kV, वोल्टेज - गेट ट्रिगर (वीजीटी) (अधिकतम): 3V, करंट - गेट ट्रिगर (Igt) (अधिकतम): 200mA, वोल्टेज - राज्य पर (वीटीएम) (अधिकतम): 1.9V, वर्तमान - राज्य पर (यह (एवी)) (अधिकतम): 650A, वर्तमान - राज्य पर (यह (आरएमएस)) (अधिकतम): 1230A,

इच्छा-सूची

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-2N5205

भाग स्टॉक: 5742

वोल्टेज - ऑफ स्टेट: 800V, वोल्टेज - गेट ट्रिगर (वीजीटी) (अधिकतम): 2V, करंट - गेट ट्रिगर (Igt) (अधिकतम): 40mA, वोल्टेज - राज्य पर (वीटीएम) (अधिकतम): 2.3V, वर्तमान - राज्य पर (यह (एवी)) (अधिकतम): 22A, वर्तमान - राज्य पर (यह (आरएमएस)) (अधिकतम): 35A,

इच्छा-सूची

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-10RIA100

भाग स्टॉक: 5671

वोल्टेज - ऑफ स्टेट: 1kV, वोल्टेज - गेट ट्रिगर (वीजीटी) (अधिकतम): 2V, करंट - गेट ट्रिगर (Igt) (अधिकतम): 60mA, वोल्टेज - राज्य पर (वीटीएम) (अधिकतम): 1.75V, वर्तमान - राज्य पर (यह (एवी)) (अधिकतम): 10A, वर्तमान - राज्य पर (यह (आरएमएस)) (अधिकतम): 25A,

इच्छा-सूची

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST173S10PFP1

भाग स्टॉक: 691

वोल्टेज - ऑफ स्टेट: 1kV, वोल्टेज - गेट ट्रिगर (वीजीटी) (अधिकतम): 3V, करंट - गेट ट्रिगर (Igt) (अधिकतम): 200mA, वोल्टेज - राज्य पर (वीटीएम) (अधिकतम): 2.07V, वर्तमान - राज्य पर (यह (एवी)) (अधिकतम): 175A, वर्तमान - राज्य पर (यह (आरएमएस)) (अधिकतम): 275A,

इच्छा-सूची

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST230S14P0

भाग स्टॉक: 643

वोल्टेज - ऑफ स्टेट: 1.4kV, वोल्टेज - गेट ट्रिगर (वीजीटी) (अधिकतम): 3V, करंट - गेट ट्रिगर (Igt) (अधिकतम): 150mA, वोल्टेज - राज्य पर (वीटीएम) (अधिकतम): 1.55V, वर्तमान - राज्य पर (यह (एवी)) (अधिकतम): 230A, वर्तमान - राज्य पर (यह (आरएमएस)) (अधिकतम): 360A,

इच्छा-सूची

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST330S12P0

भाग स्टॉक: 433

वोल्टेज - ऑफ स्टेट: 1.2kV, वोल्टेज - गेट ट्रिगर (वीजीटी) (अधिकतम): 3V, करंट - गेट ट्रिगर (Igt) (अधिकतम): 200mA, वोल्टेज - राज्य पर (वीटीएम) (अधिकतम): 1.52V, वर्तमान - राज्य पर (यह (एवी)) (अधिकतम): 330A, वर्तमान - राज्य पर (यह (आरएमएस)) (अधिकतम): 520A,

इच्छा-सूची

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST180S12P0V

भाग स्टॉक: 768

वोल्टेज - ऑफ स्टेट: 1.2kV, वोल्टेज - गेट ट्रिगर (वीजीटी) (अधिकतम): 3V, करंट - गेट ट्रिगर (Igt) (अधिकतम): 150mA, वोल्टेज - राज्य पर (वीटीएम) (अधिकतम): 1.75V, वर्तमान - राज्य पर (यह (एवी)) (अधिकतम): 200A, वर्तमान - राज्य पर (यह (आरएमएस)) (अधिकतम): 314A,

इच्छा-सूची

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-25RIA10

भाग स्टॉक: 7994

वोल्टेज - ऑफ स्टेट: 100V, वोल्टेज - गेट ट्रिगर (वीजीटी) (अधिकतम): 2V, करंट - गेट ट्रिगर (Igt) (अधिकतम): 60mA, वोल्टेज - राज्य पर (वीटीएम) (अधिकतम): 1.7V, वर्तमान - राज्य पर (यह (एवी)) (अधिकतम): 25A, वर्तमान - राज्य पर (यह (आरएमएस)) (अधिकतम): 40A,

इच्छा-सूची

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST730C16L0L

भाग स्टॉक: 612

वोल्टेज - ऑफ स्टेट: 1.6kV, वोल्टेज - गेट ट्रिगर (वीजीटी) (अधिकतम): 3V, करंट - गेट ट्रिगर (Igt) (अधिकतम): 200mA, वोल्टेज - राज्य पर (वीटीएम) (अधिकतम): 1.62V, वर्तमान - राज्य पर (यह (एवी)) (अधिकतम): 990A, वर्तमान - राज्य पर (यह (आरएमएस)) (अधिकतम): 2000A,

इच्छा-सूची

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-2N681

भाग स्टॉक: 9171

वोल्टेज - ऑफ स्टेट: 25V, वोल्टेज - गेट ट्रिगर (वीजीटी) (अधिकतम): 2V, करंट - गेट ट्रिगर (Igt) (अधिकतम): 40mA, वोल्टेज - राज्य पर (वीटीएम) (अधिकतम): 2V, वर्तमान - राज्य पर (यह (एवी)) (अधिकतम): 16A, वर्तमान - राज्य पर (यह (आरएमएस)) (अधिकतम): 25A,

इच्छा-सूची

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST180S12P0VPBF

भाग स्टॉक: 999

वोल्टेज - ऑफ स्टेट: 1.2kV, वोल्टेज - गेट ट्रिगर (वीजीटी) (अधिकतम): 3V, करंट - गेट ट्रिगर (Igt) (अधिकतम): 150mA, वोल्टेज - राज्य पर (वीटीएम) (अधिकतम): 1.75V, वर्तमान - राज्य पर (यह (एवी)) (अधिकतम): 200A, वर्तमान - राज्य पर (यह (आरएमएस)) (अधिकतम): 314A,

इच्छा-सूची

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-22RIA120S90

भाग स्टॉक: 3993

वोल्टेज - ऑफ स्टेट: 1.2kV, वोल्टेज - गेट ट्रिगर (वीजीटी) (अधिकतम): 2V, करंट - गेट ट्रिगर (Igt) (अधिकतम): 60mA, वोल्टेज - राज्य पर (वीटीएम) (अधिकतम): 1.7V, वर्तमान - राज्य पर (यह (एवी)) (अधिकतम): 22A, वर्तमान - राज्य पर (यह (आरएमएस)) (अधिकतम): 35A,

इच्छा-सूची

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-16RIA20

भाग स्टॉक: 8847

वोल्टेज - ऑफ स्टेट: 200V, वोल्टेज - गेट ट्रिगर (वीजीटी) (अधिकतम): 2V, करंट - गेट ट्रिगर (Igt) (अधिकतम): 60mA, वोल्टेज - राज्य पर (वीटीएम) (अधिकतम): 1.75V, वर्तमान - राज्य पर (यह (एवी)) (अधिकतम): 16A, वर्तमान - राज्य पर (यह (आरएमएस)) (अधिकतम): 35A,

इच्छा-सूची

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-16RIA80M

भाग स्टॉक: 4617

वोल्टेज - ऑफ स्टेट: 800V, वोल्टेज - गेट ट्रिगर (वीजीटी) (अधिकतम): 2V, करंट - गेट ट्रिगर (Igt) (अधिकतम): 60mA, वोल्टेज - राज्य पर (वीटीएम) (अधिकतम): 1.75V, वर्तमान - राज्य पर (यह (एवी)) (अधिकतम): 16A, वर्तमान - राज्य पर (यह (आरएमएस)) (अधिकतम): 35A,

इच्छा-सूची

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-10RIA40M

भाग स्टॉक: 4605

वोल्टेज - ऑफ स्टेट: 400V, वोल्टेज - गेट ट्रिगर (वीजीटी) (अधिकतम): 2V, करंट - गेट ट्रिगर (Igt) (अधिकतम): 60mA, वोल्टेज - राज्य पर (वीटीएम) (अधिकतम): 1.75V, वर्तमान - राज्य पर (यह (एवी)) (अधिकतम): 25A, वर्तमान - राज्य पर (यह (आरएमएस)) (अधिकतम): 10A,

इच्छा-सूची

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-25RIA20M

भाग स्टॉक: 4523

वोल्टेज - ऑफ स्टेट: 200V, वोल्टेज - गेट ट्रिगर (वीजीटी) (अधिकतम): 2V, करंट - गेट ट्रिगर (Igt) (अधिकतम): 60mA, वोल्टेज - राज्य पर (वीटीएम) (अधिकतम): 1.7V, वर्तमान - राज्य पर (यह (एवी)) (अधिकतम): 25A, वर्तमान - राज्य पर (यह (आरएमएस)) (अधिकतम): 40A,

इच्छा-सूची

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST330C12C0

भाग स्टॉक: 800

वोल्टेज - ऑफ स्टेट: 1.2kV, वोल्टेज - गेट ट्रिगर (वीजीटी) (अधिकतम): 3V, करंट - गेट ट्रिगर (Igt) (अधिकतम): 200mA, वोल्टेज - राज्य पर (वीटीएम) (अधिकतम): 1.96V, वर्तमान - राज्य पर (यह (एवी)) (अधिकतम): 720A, वर्तमान - राज्य पर (यह (आरएमएस)) (अधिकतम): 1420A,

इच्छा-सूची

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-2N691

भाग स्टॉक: 6111

वोल्टेज - ऑफ स्टेट: 700V, वोल्टेज - गेट ट्रिगर (वीजीटी) (अधिकतम): 2V, करंट - गेट ट्रिगर (Igt) (अधिकतम): 40mA, वोल्टेज - राज्य पर (वीटीएम) (अधिकतम): 2V, वर्तमान - राज्य पर (यह (एवी)) (अधिकतम): 16A, वर्तमान - राज्य पर (यह (आरएमएस)) (अधिकतम): 25A,

इच्छा-सूची

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-16RIA10

भाग स्टॉक: 8911

वोल्टेज - ऑफ स्टेट: 100V, वोल्टेज - गेट ट्रिगर (वीजीटी) (अधिकतम): 2V, करंट - गेट ट्रिगर (Igt) (अधिकतम): 60mA, वोल्टेज - राज्य पर (वीटीएम) (अधिकतम): 1.75V, वर्तमान - राज्य पर (यह (एवी)) (अधिकतम): 16A, वर्तमान - राज्य पर (यह (आरएमएस)) (अधिकतम): 35A,

इच्छा-सूची

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST303C12CFK0

भाग स्टॉक: 754

वोल्टेज - ऑफ स्टेट: 1.2kV, वोल्टेज - गेट ट्रिगर (वीजीटी) (अधिकतम): 3V, करंट - गेट ट्रिगर (Igt) (अधिकतम): 200mA, वोल्टेज - राज्य पर (वीटीएम) (अधिकतम): 2.16V, वर्तमान - राज्य पर (यह (एवी)) (अधिकतम): 620A, वर्तमान - राज्य पर (यह (आरएमएस)) (अधिकतम): 1180A,

इच्छा-सूची

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-22RIA80M

भाग स्टॉक: 4527

वोल्टेज - ऑफ स्टेट: 800V, वोल्टेज - गेट ट्रिगर (वीजीटी) (अधिकतम): 2V, करंट - गेट ट्रिगर (Igt) (अधिकतम): 60mA, वोल्टेज - राज्य पर (वीटीएम) (अधिकतम): 1.7V, वर्तमान - राज्य पर (यह (एवी)) (अधिकतम): 22A, वर्तमान - राज्य पर (यह (आरएमएस)) (अधिकतम): 35A,

इच्छा-सूची

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-16RIA120M

भाग स्टॉक: 4556

वोल्टेज - ऑफ स्टेट: 1.2kV, वोल्टेज - गेट ट्रिगर (वीजीटी) (अधिकतम): 2V, करंट - गेट ट्रिगर (Igt) (अधिकतम): 60mA, वोल्टेज - राज्य पर (वीटीएम) (अधिकतम): 1.75V, वर्तमान - राज्य पर (यह (एवी)) (अधिकतम): 16A, वर्तमान - राज्य पर (यह (आरएमएस)) (अधिकतम): 35A,

इच्छा-सूची

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST110S16P0

भाग स्टॉक: 685

वोल्टेज - ऑफ स्टेट: 1.6kV, वोल्टेज - गेट ट्रिगर (वीजीटी) (अधिकतम): 3V, करंट - गेट ट्रिगर (Igt) (अधिकतम): 150mA, वोल्टेज - राज्य पर (वीटीएम) (अधिकतम): 1.52V, वर्तमान - राज्य पर (यह (एवी)) (अधिकतम): 110A, वर्तमान - राज्य पर (यह (आरएमएस)) (अधिकतम): 175A,

इच्छा-सूची

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-25RIA20

भाग स्टॉक: 7289

वोल्टेज - ऑफ स्टेट: 200V, वोल्टेज - गेट ट्रिगर (वीजीटी) (अधिकतम): 2V, करंट - गेट ट्रिगर (Igt) (अधिकतम): 60mA, वोल्टेज - राज्य पर (वीटीएम) (अधिकतम): 1.7V, वर्तमान - राज्य पर (यह (एवी)) (अधिकतम): 25A, वर्तमान - राज्य पर (यह (आरएमएस)) (अधिकतम): 40A,

इच्छा-सूची

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST230C12C0

भाग स्टॉक: 1106

वोल्टेज - ऑफ स्टेट: 1.2kV, वोल्टेज - गेट ट्रिगर (वीजीटी) (अधिकतम): 3V, करंट - गेट ट्रिगर (Igt) (अधिकतम): 150mA, वोल्टेज - राज्य पर (वीटीएम) (अधिकतम): 1.69V, वर्तमान - राज्य पर (यह (एवी)) (अधिकतम): 410A, वर्तमान - राज्य पर (यह (आरएमएस)) (अधिकतम): 780A,

इच्छा-सूची

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-22RIA60

भाग स्टॉक: 6023

वोल्टेज - ऑफ स्टेट: 600V, वोल्टेज - गेट ट्रिगर (वीजीटी) (अधिकतम): 2V, करंट - गेट ट्रिगर (Igt) (अधिकतम): 60mA, वोल्टेज - राज्य पर (वीटीएम) (अधिकतम): 1.7V, वर्तमान - राज्य पर (यह (एवी)) (अधिकतम): 22A, वर्तमान - राज्य पर (यह (आरएमएस)) (अधिकतम): 35A,

इच्छा-सूची

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST110S04P0V

भाग स्टॉक: 1050

वोल्टेज - ऑफ स्टेट: 400V, वोल्टेज - गेट ट्रिगर (वीजीटी) (अधिकतम): 3V, करंट - गेट ट्रिगर (Igt) (अधिकतम): 150mA, वोल्टेज - राज्य पर (वीटीएम) (अधिकतम): 1.52V, वर्तमान - राज्य पर (यह (एवी)) (अधिकतम): 110A, वर्तमान - राज्य पर (यह (आरएमएस)) (अधिकतम): 175A,

इच्छा-सूची

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-40TPS12-M3

भाग स्टॉक: 13041

वोल्टेज - ऑफ स्टेट: 1.2kV, वोल्टेज - गेट ट्रिगर (वीजीटी) (अधिकतम): 2.5V, करंट - गेट ट्रिगर (Igt) (अधिकतम): 150mA, वोल्टेज - राज्य पर (वीटीएम) (अधिकतम): 1.85V, वर्तमान - राज्य पर (यह (एवी)) (अधिकतम): 35A, वर्तमान - राज्य पर (यह (आरएमएस)) (अधिकतम): 55A,

इच्छा-सूची

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST110S12P1V

भाग स्टॉक: 914

वोल्टेज - ऑफ स्टेट: 1.2kV, वोल्टेज - गेट ट्रिगर (वीजीटी) (अधिकतम): 3V, करंट - गेट ट्रिगर (Igt) (अधिकतम): 150mA, वोल्टेज - राज्य पर (वीटीएम) (अधिकतम): 1.52V, वर्तमान - राज्य पर (यह (एवी)) (अधिकतम): 110A, वर्तमान - राज्य पर (यह (आरएमएस)) (अधिकतम): 175A,

इच्छा-सूची