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डायोड - रेक्टीफायर - सिंगल

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  • डायोड - रेक्टीफायर - सिंगल
BYV26C-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYV26C-TR

भाग स्टॉक: 143799

डायोड प्रकार: Avalanche, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 600V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 1A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 2.5V @ 1A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), रिवर्स रिकवरी टाइम (trr): 30ns,

इच्छा-सूची
BAT42W-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAT42W-E3-08

भाग स्टॉक: 163524

डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 30V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 200mA (DC), वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 650mV @ 50mA, स्पीड: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, रिवर्स रिकवरी टाइम (trr): 5ns,

इच्छा-सूची
B360B-E3/52T
Vishay Semiconductor Diodes Division

B360B-E3/52T

भाग स्टॉक: 102416

डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 60V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 3A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 660mV @ 3A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची
BA157-E3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

BA157-E3/54

भाग स्टॉक: 114517

डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 400V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 1A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.3V @ 1A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), रिवर्स रिकवरी टाइम (trr): 150ns,

इच्छा-सूची
BYV26DGP-E3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYV26DGP-E3/73

भाग स्टॉक: 159527

डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 800V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 1A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 2.5V @ 1A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), रिवर्स रिकवरी टाइम (trr): 75ns,

इच्छा-सूची
BA159-E3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

BA159-E3/54

भाग स्टॉक: 154614

डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 1000V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 1A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.3V @ 1A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), रिवर्स रिकवरी टाइम (trr): 500ns,

इच्छा-सूची
BYV27-100-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYV27-100-TR

भाग स्टॉक: 191875

डायोड प्रकार: Avalanche, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 100V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 2A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.07V @ 3A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), रिवर्स रिकवरी टाइम (trr): 25ns,

इच्छा-सूची
BYM10-100-E3/97
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYM10-100-E3/97

भाग स्टॉक: 106924

डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 100V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 1A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.1V @ 1A, स्पीड: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची
BYV26A-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYV26A-TAP

भाग स्टॉक: 183151

डायोड प्रकार: Avalanche, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 200V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 1A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 2.5V @ 1A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), रिवर्स रिकवरी टाइम (trr): 30ns,

इच्छा-सूची
BYV27-150-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYV27-150-TR

भाग स्टॉक: 131464

डायोड प्रकार: Avalanche, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 165V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 2A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.07V @ 3A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), रिवर्स रिकवरी टाइम (trr): 25ns,

इच्छा-सूची
BYG22B-E3/TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG22B-E3/TR

भाग स्टॉक: 105305

डायोड प्रकार: Avalanche, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 100V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 2A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.1V @ 2A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), रिवर्स रिकवरी टाइम (trr): 25ns,

इच्छा-सूची
BAV202-GS08
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAV202-GS08

भाग स्टॉक: 193112

डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 150V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 250mA (DC), वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1V @ 100mA, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), रिवर्स रिकवरी टाइम (trr): 50ns,

इच्छा-सूची
BAT81S-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAT81S-TR

भाग स्टॉक: 123502

डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 40V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 30mA (DC), वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1V @ 15mA, स्पीड: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

इच्छा-सूची
BAW76-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAW76-TR

भाग स्टॉक: 103779

डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 50V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 300mA (DC), वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1V @ 100mA, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), रिवर्स रिकवरी टाइम (trr): 4ns,

इच्छा-सूची
BAT42-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAT42-TR

भाग स्टॉक: 136977

डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 30V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 200mA (DC), वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 650mV @ 50mA, स्पीड: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, रिवर्स रिकवरी टाइम (trr): 5ns,

इच्छा-सूची
BYM10-400-E3/96
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYM10-400-E3/96

भाग स्टॉक: 161468

डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 400V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 1A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.1V @ 1A, स्पीड: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची
BAV20WS-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAV20WS-E3-08

भाग स्टॉक: 178561

डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 150V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 250mA (DC), वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.25V @ 200mA, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), रिवर्स रिकवरी टाइम (trr): 50ns,

इच्छा-सूची
BAT43W-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAT43W-E3-08

भाग स्टॉक: 180896

डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 30V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 200mA (DC), वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 450mV @ 15mA, स्पीड: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, रिवर्स रिकवरी टाइम (trr): 5ns,

इच्छा-सूची
BAV21WS-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAV21WS-HE3-08

भाग स्टॉक: 155591

डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 200V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 250mA (DC), वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.25V @ 200mA, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), रिवर्स रिकवरी टाइम (trr): 50ns,

इच्छा-सूची
B340A-E3/61T
Vishay Semiconductor Diodes Division

B340A-E3/61T

भाग स्टॉक: 134345

डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 40V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 3A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 550mV @ 3A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची
BAS170WS-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAS170WS-E3-08

भाग स्टॉक: 180654

डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 70V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 70mA, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1V @ 15mA, स्पीड: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

इच्छा-सूची
BAT83S-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAT83S-TR

भाग स्टॉक: 132524

डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 60V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 30mA (DC), वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1V @ 15mA, स्पीड: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

इच्छा-सूची
BAV19-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAV19-TR

भाग स्टॉक: 178480

डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 100V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 250mA (DC), वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1V @ 100mA, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), रिवर्स रिकवरी टाइम (trr): 50ns,

इच्छा-सूची
BAW75-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAW75-TAP

भाग स्टॉक: 106301

डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 25V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 300mA (DC), वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1V @ 30mA, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), रिवर्स रिकवरी टाइम (trr): 4ns,

इच्छा-सूची
BAS34-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAS34-TAP

भाग स्टॉक: 172791

डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 60V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 200mA, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1V @ 100mA, स्पीड: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

इच्छा-सूची
BYM13-60-E3/96
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYM13-60-E3/96

भाग स्टॉक: 177919

डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 60V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 1A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 700mV @ 1A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची
BYV26E-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYV26E-TAP

भाग स्टॉक: 148905

डायोड प्रकार: Avalanche, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 1000V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 1A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 2.5V @ 1A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), रिवर्स रिकवरी टाइम (trr): 75ns,

इच्छा-सूची
BYG21M-E3/TR3
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG21M-E3/TR3

भाग स्टॉक: 196643

डायोड प्रकार: Avalanche, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 1000V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 1.5A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.6V @ 1.5A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), रिवर्स रिकवरी टाइम (trr): 120ns,

इच्छा-सूची
BAW76-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAW76-TAP

भाग स्टॉक: 181821

डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 50V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 300mA (DC), वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1V @ 100mA, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), रिवर्स रिकवरी टाइम (trr): 4ns,

इच्छा-सूची
BAT85S-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAT85S-TAP

भाग स्टॉक: 152235

डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 30V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 200mA (DC), वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 800mV @ 100mA, स्पीड: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, रिवर्स रिकवरी टाइम (trr): 5ns,

इच्छा-सूची
BYG20J-E3/TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG20J-E3/TR

भाग स्टॉक: 195021

डायोड प्रकार: Avalanche, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 600V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 1.5A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.4V @ 1.5A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), रिवर्स रिकवरी टाइम (trr): 75ns,

इच्छा-सूची
BAS40-02V-V-G-08
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAS40-02V-V-G-08

भाग स्टॉक: 119547

डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 40V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 120mA (DC), वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 380mV @ 1mA, स्पीड: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, रिवर्स रिकवरी टाइम (trr): 5ns,

इच्छा-सूची
BYV29-400-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYV29-400-E3/45

भाग स्टॉक: 147279

डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 400V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 8A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.25V @ 8A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), रिवर्स रिकवरी टाइम (trr): 50ns,

इच्छा-सूची
BAV20-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAV20-TR

भाग स्टॉक: 122116

डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 150V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 250mA (DC), वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1V @ 100mA, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), रिवर्स रिकवरी टाइम (trr): 50ns,

इच्छा-सूची
BYWB29-100HE3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYWB29-100HE3/81

भाग स्टॉक: 87408

डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 100V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 8A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.3V @ 20A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), रिवर्स रिकवरी टाइम (trr): 25ns,

इच्छा-सूची
BYWB29-200HE3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYWB29-200HE3/81

भाग स्टॉक: 87472

डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 200V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 8A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.3V @ 20A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), रिवर्स रिकवरी टाइम (trr): 25ns,

इच्छा-सूची