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डायोड - रेक्टीफायर - सिंगल

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  • डायोड - रेक्टीफायर - सिंगल
BYG10D-E3/TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG10D-E3/TR

भाग स्टॉक: 163646

डायोड प्रकार: Avalanche, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 200V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 1.5A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.15V @ 1.5A, स्पीड: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), रिवर्स रिकवरी टाइम (trr): 4µs,

इच्छा-सूची
BYS10-25-E3/TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYS10-25-E3/TR

भाग स्टॉक: 164701

डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 25V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 1.5A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 500mV @ 1A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची
BYM12-200-E3/96
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYM12-200-E3/96

भाग स्टॉक: 120803

डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 200V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 1A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1V @ 1A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), रिवर्स रिकवरी टाइम (trr): 50ns,

इच्छा-सूची
BYS10-45HE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYS10-45HE3_A/I

भाग स्टॉक: 32260

डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 45V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 1.5A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची
BAV20WS-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAV20WS-HE3-08

भाग स्टॉक: 152834

डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 150V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 250mA (DC), वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.25V @ 200mA, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), रिवर्स रिकवरी टाइम (trr): 50ns,

इच्छा-सूची
BAV20W-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAV20W-HE3-08

भाग स्टॉक: 179080

डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 150V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 250mA (DC), वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.25V @ 200mA, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), रिवर्स रिकवरी टाइम (trr): 50ns,

इच्छा-सूची
BAS16D-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAS16D-HE3-08

भाग स्टॉक: 111335

डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 75V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 250mA, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.25V @ 150mA, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), रिवर्स रिकवरी टाइम (trr): 6ns,

इच्छा-सूची
BYS10-45-E3/TR3
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYS10-45-E3/TR3

भाग स्टॉक: 106669

डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 45V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 1.5A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 500mV @ 1A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची
BAV302-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAV302-TR

भाग स्टॉक: 155089

डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 150V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 250mA (DC), वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1V @ 100mA, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), रिवर्स रिकवरी टाइम (trr): 50ns,

इच्छा-सूची
BAQ333-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAQ333-TR

भाग स्टॉक: 142318

डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 40V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 200mA, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1V @ 100mA, स्पीड: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

इच्छा-सूची
BAT54W-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAT54W-E3-08

भाग स्टॉक: 170231

डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 30V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 200mA (DC), वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 800mV @ 100mA, स्पीड: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, रिवर्स रिकवरी टाइम (trr): 5ns,

इच्छा-सूची
BAS170WS-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAS170WS-HE3-08

भाग स्टॉक: 136941

डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 70V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 70mA, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1V @ 15mA, स्पीड: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

इच्छा-सूची
BYS10-35HE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYS10-35HE3_A/H

भाग स्टॉक: 34922

डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 35V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 1.5A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 500mV @ 1A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची
BYS10-45HE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYS10-45HE3_A/H

भाग स्टॉक: 34902

डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 45V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 1.5A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 500mV @ 1A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची
BA158-E3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

BA158-E3/54

भाग स्टॉक: 101393

डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 600V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 1A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.3V @ 1A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), रिवर्स रिकवरी टाइम (trr): 250ns,

इच्छा-सूची
B340LB-E3/52T
Vishay Semiconductor Diodes Division

B340LB-E3/52T

भाग स्टॉक: 123083

डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 40V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 3A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 450mV @ 3A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची
BYG20D-E3/TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG20D-E3/TR

भाग स्टॉक: 116833

डायोड प्रकार: Avalanche, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 200V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 1.5A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.4V @ 1.5A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), रिवर्स रिकवरी टाइम (trr): 75ns,

इच्छा-सूची
BYT62-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT62-TAP

भाग स्टॉक: 158520

डायोड प्रकार: Avalanche, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 2400V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 350mA, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 3.6V @ 1A, स्पीड: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), रिवर्स रिकवरी टाइम (trr): 5µs,

इच्छा-सूची
BYT54M-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT54M-TAP

भाग स्टॉक: 193530

डायोड प्रकार: Avalanche, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 1000V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 1.25A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.5V @ 1A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), रिवर्स रिकवरी टाइम (trr): 100ns,

इच्छा-सूची
BAV21-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAV21-TR

भाग स्टॉक: 170950

डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 200V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 250mA (DC), वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1V @ 100mA, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), रिवर्स रिकवरी टाइम (trr): 50ns,

इच्छा-सूची
BYT52M-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT52M-TAP

भाग स्टॉक: 122124

डायोड प्रकार: Avalanche, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 1000V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 1.4A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.3V @ 1A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), रिवर्स रिकवरी टाइम (trr): 200ns,

इच्छा-सूची
BAW27-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAW27-TAP

भाग स्टॉक: 153002

डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 60V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 600mA (DC), वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.25V @ 400mA, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), रिवर्स रिकवरी टाइम (trr): 6ns,

इच्छा-सूची
BYW36-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYW36-TR

भाग स्टॉक: 121947

डायोड प्रकार: Avalanche, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 600V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 2A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.1V @ 1A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), रिवर्स रिकवरी टाइम (trr): 200ns,

इच्छा-सूची
BYV26D-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYV26D-TAP

भाग स्टॉक: 187035

डायोड प्रकार: Avalanche, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 800V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 1A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 2.5V @ 1A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), रिवर्स रिकवरी टाइम (trr): 75ns,

इच्छा-सूची
BY269TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BY269TAP

भाग स्टॉक: 129989

डायोड प्रकार: Avalanche, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 1600V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 2A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.6V @ 3A, स्पीड: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), रिवर्स रिकवरी टाइम (trr): 2µs,

इच्छा-सूची
BYV26C-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYV26C-TAP

भाग स्टॉक: 171441

डायोड प्रकार: Avalanche, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 600V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 1A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 2.5V @ 1A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), रिवर्स रिकवरी टाइम (trr): 30ns,

इच्छा-सूची
BYW32-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYW32-TR

भाग स्टॉक: 152678

डायोड प्रकार: Avalanche, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 200V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 2A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.1V @ 1A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), रिवर्स रिकवरी टाइम (trr): 200ns,

इच्छा-सूची
BYV27-600-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYV27-600-TAP

भाग स्टॉक: 122331

डायोड प्रकार: Avalanche, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 600V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 2A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.35V @ 3A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), रिवर्स रिकवरी टाइम (trr): 250ns,

इच्छा-सूची
BYW55-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYW55-TAP

भाग स्टॉक: 144972

डायोड प्रकार: Avalanche, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 800V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 2A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1V @ 1A, स्पीड: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), रिवर्स रिकवरी टाइम (trr): 4µs,

इच्छा-सूची
BYX86TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYX86TAP

भाग स्टॉक: 183532

डायोड प्रकार: Avalanche, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 1000V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 2A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1V @ 1A, स्पीड: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), रिवर्स रिकवरी टाइम (trr): 4µs,

इच्छा-सूची
BAW27-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAW27-TR

भाग स्टॉक: 134544

डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 60V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 600mA (DC), वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.25V @ 400mA, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), रिवर्स रिकवरी टाइम (trr): 6ns,

इच्छा-सूची
BYV26B-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYV26B-TAP

भाग स्टॉक: 169957

डायोड प्रकार: Avalanche, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 400V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 1A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 2.5V @ 1A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), रिवर्स रिकवरी टाइम (trr): 30ns,

इच्छा-सूची
BYV38-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYV38-TAP

भाग स्टॉक: 177773

डायोड प्रकार: Avalanche, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 1000V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 2A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.1V @ 1A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), रिवर्स रिकवरी टाइम (trr): 300ns,

इच्छा-सूची
BYV26D-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYV26D-TR

भाग स्टॉक: 121386

डायोड प्रकार: Avalanche, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 800V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 1A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 2.5V @ 1A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), रिवर्स रिकवरी टाइम (trr): 75ns,

इच्छा-सूची
BYV27-150-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYV27-150-TAP

भाग स्टॉक: 139081

डायोड प्रकार: Avalanche, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 165V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 2A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.07V @ 3A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), रिवर्स रिकवरी टाइम (trr): 25ns,

इच्छा-सूची
BYV27-200-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYV27-200-TAP

भाग स्टॉक: 181381

डायोड प्रकार: Avalanche, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 200V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 2A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.07V @ 3A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), रिवर्स रिकवरी टाइम (trr): 25ns,

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