ट्रांजिस्टर - FETs, MOSFETs - Arrays

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ट्रांजिस्टर - FETs, MOSFETs - Arrays

SI4500BDY-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI4500BDY-T1-GE3

भाग स्टॉक: 2858

एफईटी प्रकार: N and P-Channel, Common Drain, एफईटी फ़ीचर: Logic Level Gate, ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 20V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 6.6A, 3.8A, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 20 mOhm @ 9.1A, 4.5V, वीजीएस(वें) (अधिकतम) @ आईडी: 1.5V @ 250µA,

इच्छा-सूची

SIA950DJ-T1-GE3

Vishay Siliconix

SIA950DJ-T1-GE3

भाग स्टॉक: 2859

एफईटी प्रकार: 2 N-Channel (Dual), एफईटी फ़ीचर: Logic Level Gate, ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 190V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 950mA, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 3.8 Ohm @ 360mA, 4.5V, वीजीएस(वें) (अधिकतम) @ आईडी: 1.4V @ 250µA,

इच्छा-सूची

Vishay Siliconix

SI7224DN-T1-E3

भाग स्टॉक: 139900

एफईटी प्रकार: 2 N-Channel (Dual), एफईटी फ़ीचर: Logic Level Gate, ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 30V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 6A, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 35 mOhm @ 6.5A, 10V, वीजीएस(वें) (अधिकतम) @ आईडी: 2.2V @ 250µA,

इच्छा-सूची

SI1563DH-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI1563DH-T1-GE3

भाग स्टॉक: 2825

एफईटी प्रकार: N and P-Channel, एफईटी फ़ीचर: Logic Level Gate, ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 20V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 1.13A, 880mA, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 280 mOhm @ 1.13A, 4.5V, वीजीएस(वें) (अधिकतम) @ आईडी: 1V @ 100µA,

इच्छा-सूची

SI4569DY-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI4569DY-T1-GE3

भाग स्टॉक: 2878

एफईटी प्रकार: N and P-Channel, एफईटी फ़ीचर: Standard, ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 40V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 7.6A, 7.9A, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 27 mOhm @ 6A, 10V, वीजीएस(वें) (अधिकतम) @ आईडी: 2V @ 250µA,

इच्छा-सूची

SI6969DQ-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI6969DQ-T1-GE3

भाग स्टॉक: 3349

एफईटी प्रकार: 2 P-Channel (Dual), एफईटी फ़ीचर: Logic Level Gate, ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 12V, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 34 mOhm @ 4.6A, 4.5V, वीजीएस(वें) (अधिकतम) @ आईडी: 450mV @ 250µA (Min),

इच्छा-सूची

SIZ916DT-T1-GE3

Vishay Siliconix

SIZ916DT-T1-GE3

भाग स्टॉक: 88099

एफईटी प्रकार: 2 N-Channel (Half Bridge), एफईटी फ़ीचर: Standard, ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 30V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 16A, 40A, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 6.4 mOhm @ 19A, 10V, वीजीएस(वें) (अधिकतम) @ आईडी: 2.4V @ 250µA,

इच्छा-सूची

Vishay Siliconix

SI7960DP-T1-E3

भाग स्टॉक: 2783

एफईटी प्रकार: 2 N-Channel (Dual), एफईटी फ़ीचर: Logic Level Gate, ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 60V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 6.2A, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 21 mOhm @ 9.7A, 10V, वीजीएस(वें) (अधिकतम) @ आईडी: 3V @ 250µA,

इच्छा-सूची

SI4501ADY-T1-E3

Vishay Siliconix

SI4501ADY-T1-E3

भाग स्टॉक: 2738

एफईटी प्रकार: N and P-Channel, Common Drain, एफईटी फ़ीचर: Logic Level Gate, ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 30V, 8V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 6.3A, 4.1A, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 18 mOhm @ 8.8A, 10V, वीजीएस(वें) (अधिकतम) @ आईडी: 1.8V @ 250µA,

इच्छा-सूची

SI3993DV-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI3993DV-T1-GE3

भाग स्टॉक: 199624

एफईटी प्रकार: 2 P-Channel (Dual), एफईटी फ़ीचर: Logic Level Gate, ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 30V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 1.8A, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 133 mOhm @ 2.2A, 10V, वीजीएस(वें) (अधिकतम) @ आईडी: 3V @ 250µA,

इच्छा-सूची

SI6926ADQ-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI6926ADQ-T1-GE3

भाग स्टॉक: 195139

एफईटी प्रकार: 2 N-Channel (Dual), एफईटी फ़ीचर: Logic Level Gate, ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 20V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 4.1A, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 30 mOhm @ 4.5A, 4.5V, वीजीएस(वें) (अधिकतम) @ आईडी: 1V @ 250µA,

इच्छा-सूची

SI5915BDC-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI5915BDC-T1-GE3

भाग स्टॉक: 2892

एफईटी प्रकार: 2 P-Channel (Dual), एफईटी फ़ीचर: Logic Level Gate, ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 8V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 4A, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 70 mOhm @ 3.3A, 4.5V, वीजीएस(वें) (अधिकतम) @ आईडी: 1V @ 250µA,

इच्छा-सूची

SI4916DY-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI4916DY-T1-GE3

भाग स्टॉक: 93093

एफईटी प्रकार: 2 N-Channel (Half Bridge), एफईटी फ़ीचर: Logic Level Gate, ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 30V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 10A, 10.5A, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 18 mOhm @ 10A, 10V, वीजीएस(वें) (अधिकतम) @ आईडी: 3V @ 250µA,

इच्छा-सूची

SI6928DQ-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI6928DQ-T1-GE3

भाग स्टॉक: 3373

एफईटी प्रकार: 2 N-Channel (Dual), एफईटी फ़ीचर: Logic Level Gate, ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 30V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 4A, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 35 mOhm @ 4A, 10V, वीजीएस(वें) (अधिकतम) @ आईडी: 1V @ 250µA,

इच्छा-सूची

Vishay Siliconix

SI4933DY-T1-E3

भाग स्टॉक: 3359

एफईटी प्रकार: 2 P-Channel (Dual), एफईटी फ़ीचर: Logic Level Gate, ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 12V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 7.4A, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 14 mOhm @ 9.8A, 4.5V, वीजीएस(वें) (अधिकतम) @ आईडी: 1V @ 500µA,

इच्छा-सूची

SI6925ADQ-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI6925ADQ-T1-GE3

भाग स्टॉक: 2797

एफईटी प्रकार: 2 N-Channel (Dual), एफईटी फ़ीचर: Logic Level Gate, ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 20V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 3.3A, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 45 mOhm @ 3.9A, 4.5V, वीजीएस(वें) (अधिकतम) @ आईडी: 1.8V @ 250µA,

इच्छा-सूची

SI3981DV-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI3981DV-T1-GE3

भाग स्टॉक: 2791

एफईटी प्रकार: 2 P-Channel (Dual), एफईटी फ़ीचर: Logic Level Gate, ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 20V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 1.6A, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 185 mOhm @ 1.9A, 4.5V, वीजीएस(वें) (अधिकतम) @ आईडी: 1.1V @ 250µA,

इच्छा-सूची

Vishay Siliconix

SI5920DC-T1-E3

भाग स्टॉक: 2798

एफईटी प्रकार: 2 N-Channel (Dual), एफईटी फ़ीचर: Logic Level Gate, ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 8V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 4A, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 32 mOhm @ 6.8A, 4.5V, वीजीएस(वें) (अधिकतम) @ आईडी: 1V @ 250µA,

इच्छा-सूची

SI1913EDH-T1-E3

Vishay Siliconix

SI1913EDH-T1-E3

भाग स्टॉक: 2794

एफईटी प्रकार: 2 P-Channel (Dual), एफईटी फ़ीचर: Logic Level Gate, ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 20V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 880mA, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 490 mOhm @ 880mA, 4.5V, वीजीएस(वें) (अधिकतम) @ आईडी: 450mV @ 100µA,

इच्छा-सूची

SI7214DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI7214DN-T1-GE3

भाग स्टॉक: 99144

एफईटी प्रकार: 2 N-Channel (Dual), एफईटी फ़ीचर: Logic Level Gate, ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 30V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 4.6A, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 40 mOhm @ 6.4A, 10V, वीजीएस(वें) (अधिकतम) @ आईडी: 3V @ 250µA,

इच्छा-सूची

SI6981DQ-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI6981DQ-T1-GE3

भाग स्टॉक: 2836

एफईटी प्रकार: 2 P-Channel (Dual), एफईटी फ़ीचर: Logic Level Gate, ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 20V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 4.1A, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 31 mOhm @ 4.8A, 4.5V, वीजीएस(वें) (अधिकतम) @ आईडी: 900mV @ 300µA,

इच्छा-सूची

Vishay Siliconix

SI6562DQ-T1-E3

भाग स्टॉक: 3304

एफईटी प्रकार: N and P-Channel, एफईटी फ़ीचर: Logic Level Gate, ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 20V, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 30 mOhm @ 4.5A, 4.5V, वीजीएस(वें) (अधिकतम) @ आईडी: 600mV @ 250µA (Min),

इच्छा-सूची

SIZ342DT-T1-GE3

Vishay Siliconix

SIZ342DT-T1-GE3

भाग स्टॉक: 178805

एफईटी प्रकार: 2 N-Channel (Dual), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 30V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 15.7A (Ta), 100A (Tc), आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 11.5 mOhm @ 14A, 10V, वीजीएस(वें) (अधिकतम) @ आईडी: 2.4V @ 250µA,

इच्छा-सूची

Vishay Siliconix

SI4330DY-T1-E3

भाग स्टॉक: 2782

एफईटी प्रकार: 2 N-Channel (Dual), एफईटी फ़ीचर: Logic Level Gate, ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 30V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 6.6A, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 16.5 mOhm @ 8.7A, 10V, वीजीएस(वें) (अधिकतम) @ आईडी: 3V @ 250µA,

इच्छा-सूची

SI4953ADY-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI4953ADY-T1-GE3

भाग स्टॉक: 2804

एफईटी प्रकार: 2 P-Channel (Dual), एफईटी फ़ीचर: Logic Level Gate, ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 30V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 3.7A, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 53 mOhm @ 4.9A, 10V, वीजीएस(वें) (अधिकतम) @ आईडी: 1V @ 250µA (Min),

इच्छा-सूची

SI4622DY-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI4622DY-T1-GE3

भाग स्टॉक: 2878

एफईटी प्रकार: 2 N-Channel (Dual), एफईटी फ़ीचर: Standard, ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 30V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 8A, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 16 mOhm @ 9.6A, 10V, वीजीएस(वें) (अधिकतम) @ आईडी: 2.5V @ 1mA,

इच्छा-सूची

SI9934BDY-T1-E3

Vishay Siliconix

SI9934BDY-T1-E3

भाग स्टॉक: 3305

एफईटी प्रकार: 2 P-Channel (Dual), एफईटी फ़ीचर: Logic Level Gate, ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 12V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 4.8A, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 35 mOhm @ 6.4A, 4.5V, वीजीएस(वें) (अधिकतम) @ आईडी: 1.4V @ 250µA,

इच्छा-सूची

Vishay Siliconix

SI3948DV-T1-E3

भाग स्टॉक: 2733

एफईटी प्रकार: 2 N-Channel (Dual), एफईटी फ़ीचर: Logic Level Gate, ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 30V, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 105 mOhm @ 2.5A, 10V, वीजीएस(वें) (अधिकतम) @ आईडी: 1V @ 250µA (Min),

इच्छा-सूची

SI4914BDY-T1-E3

Vishay Siliconix

SI4914BDY-T1-E3

भाग स्टॉक: 118968

एफईटी प्रकार: 2 N-Channel (Half Bridge), एफईटी फ़ीचर: Standard, ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 30V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 8.4A, 8A, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 21 mOhm @ 8A, 10V, वीजीएस(वें) (अधिकतम) @ आईडी: 2.7V @ 250µA,

इच्छा-सूची

SI4618DY-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI4618DY-T1-GE3

भाग स्टॉक: 64981

एफईटी प्रकार: 2 N-Channel (Half Bridge), एफईटी फ़ीचर: Standard, ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 30V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 8A, 15.2A, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 17 mOhm @ 8A, 10V, वीजीएस(वें) (अधिकतम) @ आईडी: 2.5V @ 1mA,

इच्छा-सूची

Vishay Siliconix

SI6933DQ-T1-E3

भाग स्टॉक: 2879

एफईटी प्रकार: 2 P-Channel (Dual), एफईटी फ़ीचर: Logic Level Gate, ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 30V, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 45 mOhm @ 3.5A, 10V, वीजीएस(वें) (अधिकतम) @ आईडी: 1V @ 250µA (Min),

इच्छा-सूची

SI4310BDY-T1-E3

Vishay Siliconix

SI4310BDY-T1-E3

भाग स्टॉक: 2851

एफईटी प्रकार: 2 N-Channel (Dual), एफईटी फ़ीचर: Logic Level Gate, ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 30V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 7.5A, 9.8A, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 11 mOhm @ 10A, 10V, वीजीएस(वें) (अधिकतम) @ आईडी: 3V @ 250µA,

इच्छा-सूची

SI6544BDQ-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI6544BDQ-T1-GE3

भाग स्टॉक: 2882

एफईटी प्रकार: N and P-Channel, एफईटी फ़ीचर: Logic Level Gate, ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 30V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 3.7A, 3.8A, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 43 mOhm @ 3.8A, 10V, वीजीएस(वें) (अधिकतम) @ आईडी: 3V @ 250µA,

इच्छा-सूची

Vishay Siliconix

SI4965DY-T1-E3

भाग स्टॉक: 2893

एफईटी प्रकार: 2 P-Channel (Dual), एफईटी फ़ीचर: Logic Level Gate, ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 8V, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 21 mOhm @ 8A, 4.5V, वीजीएस(वें) (अधिकतम) @ आईडी: 450mV @ 250µA (Min),

इच्छा-सूची

SI4941EDY-T1-E3

Vishay Siliconix

SI4941EDY-T1-E3

भाग स्टॉक: 2795

एफईटी प्रकार: 2 P-Channel (Dual), एफईटी फ़ीचर: Logic Level Gate, ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 30V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 10A, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 21 mOhm @ 8.3A, 10V, वीजीएस(वें) (अधिकतम) @ आईडी: 2.8V @ 250µA,

इच्छा-सूची

SI7904DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI7904DN-T1-GE3

भाग स्टॉक: 2820

एफईटी प्रकार: 2 N-Channel (Dual), एफईटी फ़ीचर: Logic Level Gate, ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 20V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 5.3A, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 30 mOhm @ 7.7A, 4.5V, वीजीएस(वें) (अधिकतम) @ आईडी: 1V @ 935µA,

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