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डायोड - रेक्टीफायर्स - Arrays

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MBR40H35CT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

MBR40H35CT-E3/45

भाग स्टॉक: 57010

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 35V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 20A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 640mV @ 20A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची
U20BCT-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division

U20BCT-E3/4W

भाग स्टॉक: 124470

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 100V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 10A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1V @ 10A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची
MBRB30H90CT-E3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division

MBRB30H90CT-E3/81

भाग स्टॉक: 3948

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 90V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 15A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 820mV @ 15A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची
SS6P4CHM3/87A
Vishay Semiconductor Diodes Division

SS6P4CHM3/87A

भाग स्टॉक: 3898

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 40V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 3A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 650mV @ 3A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची
MBRB1560CTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

MBRB1560CTHE3/45

भाग स्टॉक: 3937

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 60V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 7.5A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 750mV @ 7.5A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची
UB16CCT-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division

UB16CCT-E3/4W

भाग स्टॉक: 126421

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 150V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 8A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.1V @ 8A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची
FEP6AT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

FEP6AT-E3/45

भाग स्टॉक: 148746

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 50V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 6A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 975mV @ 3A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची
FEPF6BTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

FEPF6BTHE3/45

भाग स्टॉक: 132868

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 100V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 6A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 975mV @ 3A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची
VS-MBRB20100CTTRLP
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-MBRB20100CTTRLP

भाग स्टॉक: 60076

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 100V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 10A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 800mV @ 10A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची
VS-MBR2080CT-1PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-MBR2080CT-1PBF

भाग स्टॉक: 80415

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 80V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 10A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 800mV @ 10A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची
SBL2030CTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

SBL2030CTHE3/45

भाग स्टॉक: 4421

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 30V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 10A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 600mV @ 10A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची
MBR2035CT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

MBR2035CT-E3/45

भाग स्टॉक: 4002

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 35V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 10A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 650mV @ 10A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची
VS-HFA30TA60CSPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-HFA30TA60CSPBF

भाग स्टॉक: 24409

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 600V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 15A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.7V @ 15A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची
MBRB1535CTHE3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division

MBRB1535CTHE3/81

भाग स्टॉक: 3876

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 35V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 7.5A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 570mV @ 7.5A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची
UB10CCT-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division

UB10CCT-E3/4W

भाग स्टॉक: 156381

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 150V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 5A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.1V @ 5A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची
VS-HFA08TB120STRLP
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-HFA08TB120STRLP

भाग स्टॉक: 26209

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 1200V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 8A (DC), वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 3.3V @ 8A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची
SBLF1640CTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

SBLF1640CTHE3/45

भाग स्टॉक: 3963

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 40V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 8A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 550mV @ 8A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची
MBRF20H100CTGE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

MBRF20H100CTGE3/45

भाग स्टॉक: 3952

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 100V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 10A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 770mV @ 10A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची
MBRB2560CTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

MBRB2560CTHE3/45

भाग स्टॉक: 4018

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 60V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 15A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 750mV @ 15A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची
SBLF1040CT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

SBLF1040CT-E3/45

भाग स्टॉक: 4026

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 40V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 5A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 550mV @ 5A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची
VS-20CTQ045SPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-20CTQ045SPBF

भाग स्टॉक: 26229

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 45V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 20A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 760mV @ 20A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची
MBR2035CTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

MBR2035CTHE3/45

भाग स्टॉक: 3952

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 35V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 10A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 650mV @ 10A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची
UB10DCT-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division

UB10DCT-E3/4W

भाग स्टॉक: 156338

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 200V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 5A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.1V @ 5A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची
VS-HFA16TA60CSPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-HFA16TA60CSPBF

भाग स्टॉक: 25052

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 600V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 8A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.7V @ 8A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची
SBLB1640CTHE3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division

SBLB1640CTHE3/81

भाग स्टॉक: 3969

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 40V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 8A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 550mV @ 8A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची
MBR30H100CT-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division

MBR30H100CT-E3/4W

भाग स्टॉक: 4002

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 100V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 15A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 820mV @ 15A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची
UB10BCT-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division

UB10BCT-E3/4W

भाग स्टॉक: 156329

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 100V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 5A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.1V @ 5A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची
UH4PCCHM3/86A
Vishay Semiconductor Diodes Division

UH4PCCHM3/86A

भाग स्टॉक: 3911

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 150V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 2A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.05V @ 2A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची
MBR10H90CT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

MBR10H90CT-E3/45

भाग स्टॉक: 3950

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 90V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 5A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 760mV @ 5A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची
FEPF6CT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

FEPF6CT-E3/45

भाग स्टॉक: 137765

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 150V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 6A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 975mV @ 3A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची
FEPB6DT-E3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division

FEPB6DT-E3/81

भाग स्टॉक: 107059

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 200V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 6A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 975mV @ 3A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची
MBRF2550CTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

MBRF2550CTHE3/45

भाग स्टॉक: 3972

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 50V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 15A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 750mV @ 15A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची
VS-MBR2090CT-1PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-MBR2090CT-1PBF

भाग स्टॉक: 77647

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 90V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 10A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 800mV @ 10A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची
MBRB15H60CTHE3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division

MBRB15H60CTHE3/81

भाग स्टॉक: 3959

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 60V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 7.5A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 730mV @ 7.5A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची
FEPB6DTHE3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division

FEPB6DTHE3/81

भाग स्टॉक: 99433

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 200V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 6A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 975mV @ 3A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची
VS-115CNQ015ASLPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-115CNQ015ASLPBF

भाग स्टॉक: 10464

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 15V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 55A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 460mV @ 110A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची