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डायोड - रेक्टीफायर्स - Arrays

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VS-MURB1620CTTRLP
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-MURB1620CTTRLP

भाग स्टॉक: 79613

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 200V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 8A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 975mV @ 8A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची
MBRB1535CTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

MBRB1535CTHE3/45

भाग स्टॉक: 3934

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 35V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 7.5A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 570mV @ 7.5A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची
UH4PBCHM3/86A
Vishay Semiconductor Diodes Division

UH4PBCHM3/86A

भाग स्टॉक: 3987

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 100V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 2A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.05V @ 2A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची
VS-MBRD660CTTRLPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-MBRD660CTTRLPBF

भाग स्टॉक: 4083

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 60V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 3A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 650mV @ 3A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची
VS-12CWQ03FNTRLPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-12CWQ03FNTRLPBF

भाग स्टॉक: 4024

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 30V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 6A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 470mV @ 6A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची
MBRB30H50CT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

MBRB30H50CT-E3/45

भाग स्टॉक: 3947

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 50V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 15A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 680mV @ 15A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची
VS-MBRD650CTPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-MBRD650CTPBF

भाग स्टॉक: 4050

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 50V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 3A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 650mV @ 3A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची
VS-VSKD320-08
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKD320-08

भाग स्टॉक: 4416

डायोड विन्यास: 1 Pair Series Connection, डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 800V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 320A, स्पीड: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची
SS10P3CHM3/86A
Vishay Semiconductor Diodes Division

SS10P3CHM3/86A

भाग स्टॉक: 3929

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 30V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 5A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 530mV @ 5A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची
MBR3045CTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

MBR3045CTHE3/45

भाग स्टॉक: 79735

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 45V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 15A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 600mV @ 20A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची
FEP6BTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

FEP6BTHE3/45

भाग स्टॉक: 146539

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 100V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 6A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 975mV @ 3A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची
VS-15CTQ035STRLPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-15CTQ035STRLPBF

भाग स्टॉक: 50893

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 35V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 15A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 700mV @ 15A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची
UB16DCT-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division

UB16DCT-E3/4W

भाग स्टॉक: 126427

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 200V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 8A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.1V @ 8A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची
MBRB15H45CT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

MBRB15H45CT-E3/45

भाग स्टॉक: 4008

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 45V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 7.5A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 630mV @ 7.5A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची
GI2401HE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

GI2401HE3/45

भाग स्टॉक: 92501

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 50V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 16A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 975mV @ 8A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची
MBRB3045CTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

MBRB3045CTHE3/45

भाग स्टॉक: 3995

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 45V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 15A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 600mV @ 20A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची
SBLF1030CTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

SBLF1030CTHE3/45

भाग स्टॉक: 4004

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 30V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 5A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 550mV @ 5A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची
SBL25L25CTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

SBL25L25CTHE3/45

भाग स्टॉक: 5477

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 25V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 12.5A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 490mV @ 12.5A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची
MBRB2035CT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

MBRB2035CT-E3/45

भाग स्टॉक: 3967

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 35V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 10A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 650mV @ 10A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची
UGB8HCTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

UGB8HCTHE3/45

भाग स्टॉक: 95908

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 500V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 4A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.75V @ 4A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची
VS-12CTQ035STRLPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-12CTQ035STRLPBF

भाग स्टॉक: 50634

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 35V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 6A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 600mV @ 6A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची
MBRB10H90CT-E3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division

MBRB10H90CT-E3/81

भाग स्टॉक: 3955

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 90V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 5A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 760mV @ 5A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची
MBR20H200CT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

MBR20H200CT-E3/45

भाग स्टॉक: 37022

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 200V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 10A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 880mV @ 10A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची
FEPB6BTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

FEPB6BTHE3/45

भाग स्टॉक: 125942

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 100V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 6A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 975mV @ 3A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची
MBR2060CT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

MBR2060CT-E3/45

भाग स्टॉक: 3967

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 60V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 10A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 800mV @ 10A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची
UB20DCT-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division

UB20DCT-E3/4W

भाग स्टॉक: 142884

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 200V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 10A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1V @ 10A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची
SS8P6CHM3/87A
Vishay Semiconductor Diodes Division

SS8P6CHM3/87A

भाग स्टॉक: 3944

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 60V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 4A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 700mV @ 4A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची
MBRB2035CTHE3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division

MBRB2035CTHE3/81

भाग स्टॉक: 3920

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 35V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 10A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 650mV @ 10A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची
VS-6CWQ04FNTRRPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-6CWQ04FNTRRPBF

भाग स्टॉक: 4072

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 40V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 3.5A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 530mV @ 3A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची
MBR40H45CT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

MBR40H45CT-E3/45

भाग स्टॉक: 28009

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 45V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 20A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 640mV @ 20A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची
VS-12CTQ045STRRPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-12CTQ045STRRPBF

भाग स्टॉक: 59483

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 45V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 6A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 600mV @ 6A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची
MBRB20H35CTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

MBRB20H35CTHE3/45

भाग स्टॉक: 3985

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 35V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 10A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 630mV @ 10A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची
VS-30CTQ100STRLPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-30CTQ100STRLPBF

भाग स्टॉक: 58442

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 100V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 15A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 860mV @ 15A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची
UG18BCTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

UG18BCTHE3/45

भाग स्टॉक: 90841

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 100V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 18A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.1V @ 9A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची
VS-16CTQ100SPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-16CTQ100SPBF

भाग स्टॉक: 18336

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 100V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 8A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 720mV @ 8A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची
MBRF2550CT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

MBRF2550CT-E3/45

भाग स्टॉक: 3943

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 50V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 15A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 750mV @ 15A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची