ट्रांजिस्टर - FETs, MOSFETs - Arrays | असतत अर्धचालक उत्पाद | 2

TPCF8402(TE85L,F,M

भाग स्टॉक: 2735

एफईटी प्रकार: N and P-Channel, एफईटी फ़ीचर: Logic Level Gate, ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 30V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 4A, 3.2A, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 50 mOhm @ 2A, 10V, वीजीएस(वें) (अधिकतम) @ आईडी: 2V @ 1mA,

इच्छा-सूची

Toshiba Semiconductor and Storage

SSM6L09FUTE85LF

भाग स्टॉक: 24307

एफईटी प्रकार: N and P-Channel, एफईटी फ़ीचर: Logic Level Gate, ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 30V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 400mA, 200mA, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 700 mOhm @ 200MA, 10V, वीजीएस(वें) (अधिकतम) @ आईडी: 1.8V @ 100µA,

इच्छा-सूची

Toshiba Semiconductor and Storage

TPCL4201(TE85L,F)

भाग स्टॉक: 2892

एफईटी प्रकार: 2 N-Channel (Half Bridge), एफईटी फ़ीचर: Standard, वीजीएस(वें) (अधिकतम) @ आईडी: 1.2V @ 200µA,

इच्छा-सूची

Toshiba Semiconductor and Storage

TPC8207(TE12L,Q)

भाग स्टॉक: 2742

एफईटी प्रकार: 2 N-Channel (Dual), एफईटी फ़ीचर: Logic Level Gate, ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 20V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 6A, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 20 mOhm @ 4.8A, 4V, वीजीएस(वें) (अधिकतम) @ आईडी: 1.2V @ 200µA,

इच्छा-सूची

Toshiba Semiconductor and Storage

SSM6L11TU(TE85L,F)

भाग स्टॉक: 2856

एफईटी प्रकार: N and P-Channel, एफईटी फ़ीचर: Logic Level Gate, ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 20V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 500mA, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 145 mOhm @ 250MA, 4V, वीजीएस(वें) (अधिकतम) @ आईडी: 1.1V @ 100µA,

इच्छा-सूची

Toshiba Semiconductor and Storage

TPCL4203(TE85L,F)

भाग स्टॉक: 3305

एफईटी प्रकार: 2 N-Channel (Half Bridge), एफईटी फ़ीचर: Standard, वीजीएस(वें) (अधिकतम) @ आईडी: 1.2V @ 200µA,

इच्छा-सूची

Toshiba Semiconductor and Storage

TPC8221-H,LQ(S

भाग स्टॉक: 2821

एफईटी प्रकार: 2 N-Channel (Dual), एफईटी फ़ीचर: Standard, ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 30V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 6A, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 25 mOhm @ 3A, 10V, वीजीएस(वें) (अधिकतम) @ आईडी: 2.3V @ 100µA,

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Toshiba Semiconductor and Storage

SSM6N7002BFU(T5L,F

भाग स्टॉक: 3306

एफईटी प्रकार: 2 N-Channel (Dual), एफईटी फ़ीचर: Logic Level Gate, ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 60V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 200mA, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 2.1 Ohm @ 500mA, 10V, वीजीएस(वें) (अधिकतम) @ आईडी: 3.1V @ 250µA,

इच्छा-सूची

Toshiba Semiconductor and Storage

SSM6P36FE,LM

भाग स्टॉक: 140070

एफईटी प्रकार: 2 P-Channel (Dual), एफईटी फ़ीचर: Logic Level Gate, ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 20V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 330mA, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 1.31 Ohm @ 100mA, 4.5V, वीजीएस(वें) (अधिकतम) @ आईडी: 1V @ 1mA,

इच्छा-सूची

Toshiba Semiconductor and Storage

SSM6N48FU,LF

भाग स्टॉक: 3270

एफईटी प्रकार: 2 N-Channel (Dual), एफईटी फ़ीचर: Standard, ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 30V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 100mA (Ta), आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 3.2 Ohm @ 10mA, 4V, वीजीएस(वें) (अधिकतम) @ आईडी: 1.5V @ 100µA,

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Toshiba Semiconductor and Storage

SSM6N39TU,LF

भाग स्टॉक: 2461

एफईटी प्रकार: 2 N-Channel (Dual), एफईटी फ़ीचर: Standard, ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 20V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta), आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 119 mOhm @ 1A, 4V, वीजीएस(वें) (अधिकतम) @ आईडी: 1V @ 1mA,

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Toshiba Semiconductor and Storage

SSM6N35FE,LM

भाग स्टॉक: 102707

एफईटी प्रकार: 2 N-Channel (Dual), एफईटी फ़ीचर: Logic Level Gate, ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 20V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 180mA, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 3 Ohm @ 50mA, 4V, वीजीएस(वें) (अधिकतम) @ आईडी: 1V @ 1mA,

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Toshiba Semiconductor and Storage

SSM6N7002KFU,LF

भाग स्टॉक: 124781

एफईटी प्रकार: 2 N-Channel (Dual), एफईटी फ़ीचर: Standard, ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 60V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 300mA, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 1.5 Ohm @ 100mA, 10V, वीजीएस(वें) (अधिकतम) @ आईडी: 2.1V @ 250µA,

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Toshiba Semiconductor and Storage

SSM6N43FU,LF

भाग स्टॉक: 176574

एफईटी प्रकार: 2 N-Channel (Dual), एफईटी फ़ीचर: Logic Level Gate, 1.5V Drive, ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 20V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 500mA, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 630 mOhm @ 200mA, 5V, वीजीएस(वें) (अधिकतम) @ आईडी: 1V @ 1mA,

इच्छा-सूची

Toshiba Semiconductor and Storage

SSM6L12TU,LF

भाग स्टॉक: 2495

एफईटी प्रकार: N and P-Channel, एफईटी फ़ीचर: Standard, ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 30V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 500mA (Ta), आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 145 mOhm @ 500mA, 4.5V, 260 mOhm @ 250mA, 4V, वीजीएस(वें) (अधिकतम) @ आईडी: 1.1V @ 100µA,

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Toshiba Semiconductor and Storage

TPC8408,LQ(S

भाग स्टॉक: 128587

एफईटी प्रकार: N and P-Channel, एफईटी फ़ीचर: Logic Level Gate, ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 40V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 6.1A, 5.3A, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 32 mOhm @ 3.1A, 10V, वीजीएस(वें) (अधिकतम) @ आईडी: 2.3V @ 100µA,

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Toshiba Semiconductor and Storage

SSM6N36FE,LM

भाग स्टॉक: 161424

एफईटी प्रकार: 2 N-Channel (Dual), एफईटी फ़ीचर: Logic Level Gate, ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 20V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 500mA, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 630 mOhm @ 200mA, 5V, वीजीएस(वें) (अधिकतम) @ आईडी: 1V @ 1mA,

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Toshiba Semiconductor and Storage

SSM6N56FE,LM

भाग स्टॉक: 179879

एफईटी प्रकार: 2 N-Channel (Dual), एफईटी फ़ीचर: Logic Level Gate, 1.5V Drive, ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 20V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 800mA, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 235 mOhm @ 800mA, 4.5V, वीजीएस(वें) (अधिकतम) @ आईडी: 1V @ 1mA,

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Toshiba Semiconductor and Storage

SSM6N15AFE,LM

भाग स्टॉक: 178067

एफईटी प्रकार: 2 N-Channel (Dual), एफईटी फ़ीचर: Logic Level Gate, ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 30V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 100mA, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 4 Ohm @ 10mA, 4V, वीजीएस(वें) (अधिकतम) @ आईडी: 1.5V @ 100µA,

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Toshiba Semiconductor and Storage

SSM6N15AFU,LF

भाग स्टॉक: 175270

एफईटी प्रकार: 2 N-Channel (Dual), एफईटी फ़ीचर: Logic Level Gate, ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 30V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 100mA, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 3.6 Ohm @ 10mA, 4V, वीजीएस(वें) (अधिकतम) @ आईडी: 1.5V @ 100µA,

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Toshiba Semiconductor and Storage

SSM6N58NU,LF

भाग स्टॉक: 111011

एफईटी प्रकार: 2 N-Channel (Dual), एफईटी फ़ीचर: Logic Level Gate, 1.8V Drive, ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 30V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 4A, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 84 mOhm @ 2A, 4.5V, वीजीएस(वें) (अधिकतम) @ आईडी: 1V @ 1mA,

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Toshiba Semiconductor and Storage

SSM6L16FETE85LF

भाग स्टॉक: 192590

एफईटी प्रकार: N and P-Channel, एफईटी फ़ीचर: Standard, ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 20V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 100mA, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 3 Ohm @ 10mA, 4V, वीजीएस(वें) (अधिकतम) @ आईडी: 1.1V @ 0.1mA,

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Toshiba Semiconductor and Storage

SSM6N57NU,LF

भाग स्टॉक: 182932

एफईटी प्रकार: 2 N-Channel (Dual), एफईटी फ़ीचर: Standard, ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 30V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 4A, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 46 mOhm @ 2A, 4.5V, वीजीएस(वें) (अधिकतम) @ आईडी: 1V @ 1mA,

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Toshiba Semiconductor and Storage

TPC8407,LQ(S

भाग स्टॉक: 151036

एफईटी प्रकार: N and P-Channel, एफईटी फ़ीचर: Logic Level Gate, ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 30V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 9A, 7.4A, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 17 mOhm @ 4.5A, 10V, वीजीएस(वें) (अधिकतम) @ आईडी: 2.3V @ 100µA,

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Toshiba Semiconductor and Storage

SSM6N7002CFU,LF

भाग स्टॉक: 164511

एफईटी प्रकार: 2 N-Channel (Dual), एफईटी फ़ीचर: Standard, ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 60V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 170mA, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 3.9 Ohm @ 100mA, 10V, वीजीएस(वें) (अधिकतम) @ आईडी: 2.1V @ 250µA,

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Toshiba Semiconductor and Storage

TPC8223-H,LQ(S

भाग स्टॉक: 150969

एफईटी प्रकार: 2 N-Channel (Dual), एफईटी फ़ीचर: Logic Level Gate, ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 30V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 9A, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 17 mOhm @ 4.5A, 10V, वीजीएस(वें) (अधिकतम) @ आईडी: 2.3V @ 100µA,

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Toshiba Semiconductor and Storage

SSM6N44FE,LM

भाग स्टॉक: 105414

एफईटी प्रकार: 2 N-Channel (Dual), एफईटी फ़ीचर: Logic Level Gate, ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 30V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 100mA, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 4 Ohm @ 10mA, 4V, वीजीएस(वें) (अधिकतम) @ आईडी: 1.5V @ 100µA,

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Toshiba Semiconductor and Storage

SSM6N7002BFE,LM

भाग स्टॉक: 179839

एफईटी प्रकार: 2 N-Channel (Dual), एफईटी फ़ीचर: Logic Level Gate, ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 60V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 200mA, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 2.1 Ohm @ 500mA, 10V, वीजीएस(वें) (अधिकतम) @ आईडी: 3.1V @ 250µA,

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Toshiba Semiconductor and Storage

SSM6L39TU,LF

भाग स्टॉक: 111677

एफईटी प्रकार: N and P-Channel, एफईटी फ़ीचर: Logic Level Gate, 1.8V Drive, ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 20V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 800mA, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 143 mOhm @ 600MA, 4V, वीजीएस(वें) (अधिकतम) @ आईडी: 1V @ 1mA,

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Toshiba Semiconductor and Storage

SSM6N37FU,LF

भाग स्टॉक: 156819

एफईटी प्रकार: 2 N-Channel (Dual), एफईटी फ़ीचर: Logic Level Gate, 1.5V Drive, ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 20V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 250mA (Ta), आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 2.2 Ohm @ 100mA, 4.5V, वीजीएस(वें) (अधिकतम) @ आईडी: 1V @ 1mA,

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