Menu
हिंदीहिंदी
Rfqs / आदेश
0Rfqs / आदेश

ट्रांजिस्टर - द्विध्रुवी (BJT) - सरणियाँ, पूर्व-पक

  • घर
  •  
  • ट्रांजिस्टर - द्विध्रुवी (BJT) - सरणियाँ, पूर्व-पक
RN2906,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

RN2906,LF

भाग स्टॉक: 138883

ट्रांजिस्टर प्रकार: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, रोकनेवाला - आधार (R1): 4.7 kOhms, रोकनेवाला - एमिटर बेस (R2): 47 kOhms, डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

इच्छा-सूची
RN2908(T5L,F,T)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN2908(T5L,F,T)

भाग स्टॉक: 1489

ट्रांजिस्टर प्रकार: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, रोकनेवाला - आधार (R1): 47 kOhms, रोकनेवाला - एमिटर बेस (R2): 22 kOhms, डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

इच्छा-सूची
RN2901(T5L,F,T)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN2901(T5L,F,T)

भाग स्टॉक: 1507

ट्रांजिस्टर प्रकार: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, रोकनेवाला - आधार (R1): 4.7 kOhms, रोकनेवाला - एमिटर बेस (R2): 4.7 kOhms, डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V,

इच्छा-सूची
RN1970FE(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1970FE(TE85L,F)

भाग स्टॉक: 1480

ट्रांजिस्टर प्रकार: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, रोकनेवाला - आधार (R1): 4.7 kOhms, डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V,

इच्छा-सूची
RN2603(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN2603(TE85L,F)

भाग स्टॉक: 181191

ट्रांजिस्टर प्रकार: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, रोकनेवाला - आधार (R1): 22 kOhms, रोकनेवाला - एमिटर बेस (R2): 22 kOhms, डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

इच्छा-सूची
RN4903(T5L,F,T)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN4903(T5L,F,T)

भाग स्टॉक: 1463

ट्रांजिस्टर प्रकार: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, रोकनेवाला - आधार (R1): 22 kOhms, रोकनेवाला - एमिटर बेस (R2): 22 kOhms, डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

इच्छा-सूची
RN2968FE(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN2968FE(TE85L,F)

भाग स्टॉक: 1523

ट्रांजिस्टर प्रकार: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, रोकनेवाला - आधार (R1): 22 kOhms, रोकनेवाला - एमिटर बेस (R2): 47 kOhms, डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

इच्छा-सूची
RN1968(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1968(TE85L,F)

भाग स्टॉक: 134854

ट्रांजिस्टर प्रकार: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, रोकनेवाला - आधार (R1): 22 kOhms, रोकनेवाला - एमिटर बेस (R2): 47 kOhms, डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

इच्छा-सूची
RN4982,LF(CT
Toshiba Semiconductor and Storage

RN4982,LF(CT

भाग स्टॉक: 158270

ट्रांजिस्टर प्रकार: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, रोकनेवाला - आधार (R1): 10 kOhms, रोकनेवाला - एमिटर बेस (R2): 10 kOhms, डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V,

इच्छा-सूची
RN4606(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN4606(TE85L,F)

भाग स्टॉक: 9902

ट्रांजिस्टर प्रकार: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, रोकनेवाला - आधार (R1): 4.7 kOhms, रोकनेवाला - एमिटर बेस (R2): 47 kOhms, डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

इच्छा-सूची
RN1905(T5L,F,T)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1905(T5L,F,T)

भाग स्टॉक: 1375

ट्रांजिस्टर प्रकार: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, रोकनेवाला - आधार (R1): 2.2 kOhms, रोकनेवाला - एमिटर बेस (R2): 47 kOhms, डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

इच्छा-सूची
RN1911FETE85LF
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1911FETE85LF

भाग स्टॉक: 142375

ट्रांजिस्टर प्रकार: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, रोकनेवाला - आधार (R1): 10 kOhms, डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V,

इच्छा-सूची
RN4902FE(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN4902FE(TE85L,F)

भाग स्टॉक: 1489

ट्रांजिस्टर प्रकार: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, रोकनेवाला - आधार (R1): 10 kOhms, रोकनेवाला - एमिटर बेस (R2): 10 kOhms, डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V,

इच्छा-सूची
RN1908(T5L,F,T)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1908(T5L,F,T)

भाग स्टॉक: 5402

ट्रांजिस्टर प्रकार: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, रोकनेवाला - आधार (R1): 22 kOhms, रोकनेवाला - एमिटर बेस (R2): 47 kOhms, डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

इच्छा-सूची
RN2502(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN2502(TE85L,F)

भाग स्टॉक: 9911

ट्रांजिस्टर प्रकार: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled), वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, रोकनेवाला - आधार (R1): 10 kOhms, रोकनेवाला - एमिटर बेस (R2): 10 kOhms, डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V,

इच्छा-सूची
RN2910(T5L,F,T)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN2910(T5L,F,T)

भाग स्टॉक: 1510

ट्रांजिस्टर प्रकार: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, रोकनेवाला - आधार (R1): 4.7 kOhms, डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V,

इच्छा-सूची
RN2706JE(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN2706JE(TE85L,F)

भाग स्टॉक: 185153

ट्रांजिस्टर प्रकार: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled), वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, रोकनेवाला - आधार (R1): 4.7 kOhms, रोकनेवाला - एमिटर बेस (R2): 47 kOhms, डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

इच्छा-सूची
RN4986(T5L,F,T)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN4986(T5L,F,T)

भाग स्टॉक: 1620

ट्रांजिस्टर प्रकार: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, रोकनेवाला - आधार (R1): 4.7 kOhms, रोकनेवाला - एमिटर बेस (R2): 47 kOhms, डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

इच्छा-सूची
RN1968FE(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1968FE(TE85L,F)

भाग स्टॉक: 3218

ट्रांजिस्टर प्रकार: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, रोकनेवाला - आधार (R1): 22 kOhms, रोकनेवाला - एमिटर बेस (R2): 47 kOhms, डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

इच्छा-सूची
RN2902FE(T5L,F,T)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN2902FE(T5L,F,T)

भाग स्टॉक: 1475

ट्रांजिस्टर प्रकार: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, रोकनेवाला - आधार (R1): 10 kOhms, रोकनेवाला - एमिटर बेस (R2): 10 kOhms, डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V,

इच्छा-सूची
RN1607(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1607(TE85L,F)

भाग स्टॉक: 116281

ट्रांजिस्टर प्रकार: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, रोकनेवाला - आधार (R1): 10 kOhms, रोकनेवाला - एमिटर बेस (R2): 47 kOhms, डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

इच्छा-सूची
RN2712JE(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN2712JE(TE85L,F)

भाग स्टॉक: 178049

ट्रांजिस्टर प्रकार: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled), वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, रोकनेवाला - आधार (R1): 22 kOhms, डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V,

इच्छा-सूची
RN1906FE(T5L,F,T)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1906FE(T5L,F,T)

भाग स्टॉक: 1636

ट्रांजिस्टर प्रकार: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, रोकनेवाला - आधार (R1): 4.7 kOhms, रोकनेवाला - एमिटर बेस (R2): 47 kOhms, डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

इच्छा-सूची
RN1905,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1905,LF

भाग स्टॉक: 1491

ट्रांजिस्टर प्रकार: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, रोकनेवाला - आधार (R1): 2.2 kOhms, रोकनेवाला - एमिटर बेस (R2): 47 kOhms, डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

इच्छा-सूची
RN1961FE(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1961FE(TE85L,F)

भाग स्टॉक: 1446

ट्रांजिस्टर प्रकार: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, रोकनेवाला - आधार (R1): 4.7 kOhms, रोकनेवाला - एमिटर बेस (R2): 4.7 kOhms, डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V,

इच्छा-सूची
RN1910FE(T5L,F,T)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1910FE(T5L,F,T)

भाग स्टॉक: 1466

ट्रांजिस्टर प्रकार: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, रोकनेवाला - आधार (R1): 4.7 kOhms, डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V,

इच्छा-सूची
RN4905T5LFT
Toshiba Semiconductor and Storage

RN4905T5LFT

भाग स्टॉक: 3212

ट्रांजिस्टर प्रकार: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, रोकनेवाला - आधार (R1): 2.2 kOhms, रोकनेवाला - एमिटर बेस (R2): 47 kOhms, डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

इच्छा-सूची
RN4904(T5L,F,T)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN4904(T5L,F,T)

भाग स्टॉक: 1532

ट्रांजिस्टर प्रकार: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, रोकनेवाला - आधार (R1): 47 kOhms, रोकनेवाला - एमिटर बेस (R2): 47 kOhms, डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

इच्छा-सूची
RN1501(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1501(TE85L,F)

भाग स्टॉक: 179912

ट्रांजिस्टर प्रकार: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, रोकनेवाला - आधार (R1): 4.7 kOhms, रोकनेवाला - एमिटर बेस (R2): 4.7 kOhms, डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V,

इच्छा-सूची
RN2971(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN2971(TE85L,F)

भाग स्टॉक: 187083

ट्रांजिस्टर प्रकार: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, रोकनेवाला - आधार (R1): 10 kOhms, डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V,

इच्छा-सूची
RN4610(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN4610(TE85L,F)

भाग स्टॉक: 196797

ट्रांजिस्टर प्रकार: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, रोकनेवाला - आधार (R1): 4.7 kOhms, डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V,

इच्छा-सूची
RN4990(T5L,F,T)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN4990(T5L,F,T)

भाग स्टॉक: 196989

ट्रांजिस्टर प्रकार: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, रोकनेवाला - आधार (R1): 4.7 kOhms, डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V,

इच्छा-सूची
RN1909(T5L,F,T)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1909(T5L,F,T)

भाग स्टॉक: 1368

ट्रांजिस्टर प्रकार: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, रोकनेवाला - आधार (R1): 47 kOhms, रोकनेवाला - एमिटर बेस (R2): 22 kOhms, डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

इच्छा-सूची
RN1967FE(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1967FE(TE85L,F)

भाग स्टॉक: 1500

ट्रांजिस्टर प्रकार: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, रोकनेवाला - आधार (R1): 10 kOhms, रोकनेवाला - एमिटर बेस (R2): 47 kOhms, डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

इच्छा-सूची
RN2713JE(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN2713JE(TE85L,F)

भाग स्टॉक: 125460

ट्रांजिस्टर प्रकार: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled), वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, रोकनेवाला - आधार (R1): 47 kOhms, डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V,

इच्छा-सूची
RN2966FE(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN2966FE(TE85L,F)

भाग स्टॉक: 3147

ट्रांजिस्टर प्रकार: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, रोकनेवाला - आधार (R1): 4.7 kOhms, रोकनेवाला - एमिटर बेस (R2): 47 kOhms, डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

इच्छा-सूची