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ट्रांजिस्टर - द्विध्रुवी (BJT) - Arrays

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2SC4207-Y(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC4207-Y(TE85L,F)

भाग स्टॉक: 152609

ट्रांजिस्टर प्रकार: 2 NPN (Dual) Matched Pair, Common Emitter, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 150mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 250mV @ 10mA, 100mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 100nA (ICBO), डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V,

इच्छा-सूची
2SC4944-Y(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC4944-Y(TE85L,F)

भाग स्टॉक: 98

ट्रांजिस्टर प्रकार: 2 NPN (Dual) Matched Pair, Common Emitter, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 150mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 250mV @ 10mA, 100mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 100nA (ICBO), डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V,

इच्छा-सूची
2SA1618-Y(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1618-Y(TE85L,F)

भाग स्टॉक: 124

ट्रांजिस्टर प्रकार: 2 PNP (Dual) Matched Pair, Common Emitter, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 150mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 300mV @ 10mA, 100mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 100nA (ICBO), डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V,

इच्छा-सूची
2SA1873-Y(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1873-Y(TE85L,F)

भाग स्टॉक: 114931

ट्रांजिस्टर प्रकार: 2 PNP (Dual) Matched Pair, Common Emitter, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 150mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 300mV @ 10mA, 100mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 100nA (ICBO), डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V,

इच्छा-सूची
2SA1873-GR(TE85L,F
Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1873-GR(TE85L,F

भाग स्टॉक: 137653

ट्रांजिस्टर प्रकार: 2 PNP (Dual) Matched Pair, Common Emitter, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 150mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 300mV @ 10mA, 100mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 100nA (ICBO), डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V,

इच्छा-सूची
2SC4207-BL(TE85L,F
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC4207-BL(TE85L,F

भाग स्टॉक: 153875

ट्रांजिस्टर प्रकार: 2 NPN (Dual), वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 150mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 250mV @ 10mA, 100mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 100nA (ICBO), डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 350 @ 2mA, 6V,

इच्छा-सूची
2SC4207-GR(TE85L,F
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC4207-GR(TE85L,F

भाग स्टॉक: 9987

ट्रांजिस्टर प्रकार: 2 NPN (Dual) Common Emitter, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 150mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 250mV @ 10mA, 100mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 100nA (ICBO), डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V,

इच्छा-सूची
2SA1618-GR(TE85L,F
Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1618-GR(TE85L,F

भाग स्टॉक: 115889

ट्रांजिस्टर प्रकार: 2 PNP (Dual) Matched Pair, Common Emitter, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 150mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 300mV @ 10mA, 100mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 100nA (ICBO), डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V,

इच्छा-सूची
HN1B01FU-Y(L,F,T)
Toshiba Semiconductor and Storage

HN1B01FU-Y(L,F,T)

भाग स्टॉक: 4365

ट्रांजिस्टर प्रकार: NPN, PNP, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 150mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 300mV @ 10mA, 100mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 100nA (ICBO), डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V,

इच्छा-सूची
HN1A01FE-GR,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

HN1A01FE-GR,LF

भाग स्टॉक: 167758

ट्रांजिस्टर प्रकार: 2 PNP (Dual), वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 150mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 300mV @ 10mA, 100mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 100nA (ICBO), डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V,

इच्छा-सूची
HN1C03FU-A(TE85L,F
Toshiba Semiconductor and Storage

HN1C03FU-A(TE85L,F

भाग स्टॉक: 115887

ट्रांजिस्टर प्रकार: 2 NPN (Dual), वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 300mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 20V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 100mV @ 3mA, 30mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 100nA (ICBO), डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 200 @ 4mA, 2V,

इच्छा-सूची
HN4A51JTE85LF
Toshiba Semiconductor and Storage

HN4A51JTE85LF

भाग स्टॉक: 179411

ट्रांजिस्टर प्रकार: 2 PNP (Dual), वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 120V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 300mV @ 1mA, 10mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 100nA (ICBO), डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V,

इच्छा-सूची
HN1A01F-GR(TE85L,F
Toshiba Semiconductor and Storage

HN1A01F-GR(TE85L,F

भाग स्टॉक: 4432

ट्रांजिस्टर प्रकार: 2 PNP (Dual), वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 150mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 300mV @ 10mA, 100mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 100nA (ICBO), डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V,

इच्छा-सूची
ULN2004AFWG,N,E
Toshiba Semiconductor and Storage

ULN2004AFWG,N,E

भाग स्टॉक: 124168

ट्रांजिस्टर प्रकार: 7 NPN Darlington, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 500mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 1.6V @ 500µA, 350mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 50µA, डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 1000 @ 350mA, 2V,

इच्छा-सूची
HN1A01F-Y(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

HN1A01F-Y(TE85L,F)

भाग स्टॉक: 104094

ट्रांजिस्टर प्रकार: 2 PNP (Dual), वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 150mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 300mV @ 10mA, 100mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 100nA (ICBO), डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V,

इच्छा-सूची
HN4B04J(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

HN4B04J(TE85L,F)

भाग स्टॉक: 147055

ट्रांजिस्टर प्रकार: NPN, PNP, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 500mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 30V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 250mV @ 10mA, 100mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 100µA (ICBO), डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 70 @ 100mA, 1V,

इच्छा-सूची
HN1A01FU-Y,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

HN1A01FU-Y,LF

भाग स्टॉक: 104803

ट्रांजिस्टर प्रकार: 2 PNP (Dual), वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 150mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 300mV @ 10mA, 100mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 100nA (ICBO), डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V,

इच्छा-सूची
TPCP8901(TE85L,F,M
Toshiba Semiconductor and Storage

TPCP8901(TE85L,F,M

भाग स्टॉक: 104

ट्रांजिस्टर प्रकार: NPN, PNP, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 1A, 800mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 170mV @ 6mA, 300mA / 200mV @ 10mA, 300mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 100nA (ICBO), डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 400 @ 100mA, 2V / 200 @ 100mA, 2V,

इच्छा-सूची
HN1B04FU-GR,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

HN1B04FU-GR,LF

भाग स्टॉक: 184759

ट्रांजिस्टर प्रकार: NPN, PNP, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 150mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 250mV @ 10mA, 100mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 100nA (ICBO), डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V,

इच्छा-सूची
HN1B01F-GR(TE85L,F
Toshiba Semiconductor and Storage

HN1B01F-GR(TE85L,F

भाग स्टॉक: 4437

ट्रांजिस्टर प्रकार: NPN, PNP, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 150mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 300mV @ 10mA, 100mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 100nA (ICBO), डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V,

इच्छा-सूची
HN4A06J(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

HN4A06J(TE85L,F)

भाग स्टॉक: 4500

ट्रांजिस्टर प्रकार: 2 PNP (Dual) Matched Pair, Common Emitter, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 120V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 300mV @ 1mA, 10mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 100nA (ICBO), डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V,

इच्छा-सूची
HN2C01FE-GR(T5L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

HN2C01FE-GR(T5L,F)

भाग स्टॉक: 4488

ट्रांजिस्टर प्रकार: 2 NPN (Dual), वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 150mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 250mV @ 10mA, 100mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 100nA (ICBO), डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V,

इच्छा-सूची
HN1C01FU-GR,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

HN1C01FU-GR,LF

भाग स्टॉक: 184335

ट्रांजिस्टर प्रकार: 2 NPN (Dual), वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 150mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 250mV @ 10mA, 100mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 100nA (ICBO), डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V,

इच्छा-सूची
HN3A51F(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

HN3A51F(TE85L,F)

भाग स्टॉक: 4476

ट्रांजिस्टर प्रकार: 2 PNP (Dual), वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 120V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 300mV @ 1mA, 10mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 100nA (ICBO), डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V,

इच्छा-सूची
ULN2003APG,CN
Toshiba Semiconductor and Storage

ULN2003APG,CN

भाग स्टॉक: 4401

ट्रांजिस्टर प्रकार: 7 NPN Darlington, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 500mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 1.6V @ 500µA, 350mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 50µA, डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 1000 @ 350mA, 2V,

इच्छा-सूची
HN1C01FU-Y(T5L,F,T
Toshiba Semiconductor and Storage

HN1C01FU-Y(T5L,F,T

भाग स्टॉक: 6508

ट्रांजिस्टर प्रकार: 2 NPN (Dual), वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 150mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 250mV @ 10mA, 100mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 100nA (ICBO), डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V,

इच्छा-सूची
HN1B01FU-GR,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

HN1B01FU-GR,LF

भाग स्टॉक: 151500

ट्रांजिस्टर प्रकार: NPN, PNP, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 150mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 250mV @ 10mA, 100mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 100nA (ICBO), डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V,

इच्छा-सूची
ULN2803AFWG,C,EL
Toshiba Semiconductor and Storage

ULN2803AFWG,C,EL

भाग स्टॉक: 4471

ट्रांजिस्टर प्रकार: 8 NPN Darlington, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 500mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 1.6V @ 500µA, 350mA, डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 1000 @ 350mA, 2V,

इच्छा-सूची
HN1C03F-B(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

HN1C03F-B(TE85L,F)

भाग स्टॉक: 9945

ट्रांजिस्टर प्रकार: 2 NPN (Dual), वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 300mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 20V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 100mV @ 3mA, 30mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 100nA (ICBO), डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 350 @ 4mA, 2V,

इच्छा-सूची
HN1C01FYTE85LF
Toshiba Semiconductor and Storage

HN1C01FYTE85LF

भाग स्टॉक: 111105

ट्रांजिस्टर प्रकार: 2 NPN (Dual), वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 150mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 250mV @ 10mA, 100mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 100nA (ICBO), डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V,

इच्छा-सूची
HN1B04F(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

HN1B04F(TE85L,F)

भाग स्टॉक: 4492

ट्रांजिस्टर प्रकार: NPN, PNP, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 500mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 30V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 250mV @ 10mA, 100mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 100nA (ICBO), डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 70 @ 100mA, 1V,

इच्छा-सूची
ULN2003AFWG,O,N,E
Toshiba Semiconductor and Storage

ULN2003AFWG,O,N,E

भाग स्टॉक: 4430

ट्रांजिस्टर प्रकार: 7 NPN Darlington, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 500mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 1.6V @ 500µA, 350mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 50µA, डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 1000 @ 350mA, 2V,

इच्छा-सूची
HN4B01JE(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

HN4B01JE(TE85L,F)

भाग स्टॉक: 76

ट्रांजिस्टर प्रकार: NPN, PNP (Emitter Coupled), वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 150mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 250mV @ 10mA, 100mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 100nA (ICBO), डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 120 @ 10MA, 100MA,

इच्छा-सूची
ULN2803APG,CN
Toshiba Semiconductor and Storage

ULN2803APG,CN

भाग स्टॉक: 4464

ट्रांजिस्टर प्रकार: 8 NPN Darlington, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 500mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 1.6V @ 500µA, 350mA, डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 1000 @ 350mA, 2V,

इच्छा-सूची
HN3C51F-BL(TE85L,F
Toshiba Semiconductor and Storage

HN3C51F-BL(TE85L,F

भाग स्टॉक: 4503

ट्रांजिस्टर प्रकार: 2 NPN (Dual), वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 120V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 300mV @ 1mA, 10mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 100nA (ICBO), डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 350 @ 2mA, 6V,

इच्छा-सूची
HN1B04FU-Y,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

HN1B04FU-Y,LF

भाग स्टॉक: 9904

ट्रांजिस्टर प्रकार: NPN, PNP, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 150mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 250mV @ 10mA, 100mA / 300mV @ 10mA, 100mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 100nA (ICBO), डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V,

इच्छा-सूची