डायोड - रेक्टीफायर्स - Arrays | असतत अर्धचालक उत्पाद | 2

BAV70,LM

भाग स्टॉक: 3367

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 100V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 215mA, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.25V @ 150mA, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची

Toshiba Semiconductor and Storage

BAV99W,LF

भाग स्टॉक: 3300

डायोड विन्यास: 1 Pair Series Connection, डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 100V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 150mA, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.25V @ 150mA, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची

Toshiba Semiconductor and Storage

BAV99,LM

भाग स्टॉक: 3315

डायोड विन्यास: 1 Pair Series Connection, डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 100V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 215mA, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.25V @ 150mA, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची

Toshiba Semiconductor and Storage

HN2S02JE(TE85L,F)

भाग स्टॉक: 151

डायोड विन्यास: 2 Independent, डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 40V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 100mA, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 600mV @ 100mA, स्पीड: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

इच्छा-सूची

Toshiba Semiconductor and Storage

HN2S01FUTE85LF

भाग स्टॉक: 111

डायोड विन्यास: 3 Independent, डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 10V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 100mA, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 500mV @ 100mA, स्पीड: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

इच्छा-सूची

Toshiba Semiconductor and Storage

HN1D02F(TE85L,F)

भाग स्टॉक: 99

डायोड विन्यास: 2 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 80V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 100mA, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.2V @ 100mA, स्पीड: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

इच्छा-सूची

Toshiba Semiconductor and Storage

HN1D01F(TE85L,F)

भाग स्टॉक: 125

डायोड विन्यास: 2 Pair Common Anode, डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 80V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 100mA, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.2V @ 100mA, स्पीड: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

इच्छा-सूची

Toshiba Semiconductor and Storage

TBAV99,LM

भाग स्टॉक: 196401

डायोड विन्यास: 1 Pair Series Connection, डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 80V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 100mA, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.25V @ 150mA, स्पीड: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

इच्छा-सूची

Toshiba Semiconductor and Storage

TRS12N65D,S1F

भाग स्टॉक: 12490

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 650V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 6A (DC), वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.7V @ 6A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची

Toshiba Semiconductor and Storage

HN2D01FTE85LF

भाग स्टॉक: 146

डायोड विन्यास: 3 Independent, डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 80V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 80mA, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.2V @ 100mA, स्पीड: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

इच्छा-सूची

Toshiba Semiconductor and Storage

TRS16N65D,S1F

भाग स्टॉक: 10959

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 650V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 8A (DC), वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.7V @ 8A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची

Toshiba Semiconductor and Storage

HN2D01JE(TE85L,F)

भाग स्टॉक: 109

डायोड विन्यास: 2 Independent, डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 80V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 100mA, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.2V @ 100mA, स्पीड: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

इच्छा-सूची

Toshiba Semiconductor and Storage

TBAT54C,LM

भाग स्टॉक: 106201

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 30V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 140mA, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 580mV @ 100mA, स्पीड: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

इच्छा-सूची

Toshiba Semiconductor and Storage

HN1D03FTE85LF

भाग स्टॉक: 105421

डायोड विन्यास: 2 Pair CA + CC, डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 80V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 100mA, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.2V @ 100mA, स्पीड: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

इच्छा-सूची

Toshiba Semiconductor and Storage

HN1D03FU,LF

भाग स्टॉक: 159197

डायोड विन्यास: 2 Pair CA + CC, डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 80V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 80mA, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.2V @ 100mA, स्पीड: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

इच्छा-सूची

Toshiba Semiconductor and Storage

TBAV70,LM

भाग स्टॉक: 171499

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 80V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 215mA, स्पीड: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची

Toshiba Semiconductor and Storage

TRS24N65D,S1F

भाग स्टॉक: 8001

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 650V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 12A (DC), वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.7V @ 12A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची

Toshiba Semiconductor and Storage

TRS20N65D,S1F

भाग स्टॉक: 7444

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 650V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 10A (DC), वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.7V @ 10A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची

Toshiba Semiconductor and Storage

HN1D01FE(TE85L,F)

भाग स्टॉक: 191091

डायोड विन्यास: 2 Pair Common Anode, डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 80V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 100mA, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.2V @ 100mA, स्पीड: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

इच्छा-सूची

Toshiba Semiconductor and Storage

HN2S03FUTE85LF

भाग स्टॉक: 124987

डायोड विन्यास: 3 Independent, डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 20V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 50mA, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 550mV @ 50mA, स्पीड: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

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Toshiba Semiconductor and Storage

HN1D04FUTE85LF

भाग स्टॉक: 130979

डायोड विन्यास: 2 Pair Series Connection, डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 80V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 100mA, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.2V @ 100mA, स्पीड: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

इच्छा-सूची

Toshiba Semiconductor and Storage

HN1D02FU(T5L,F,T)

भाग स्टॉक: 4548

डायोड विन्यास: 2 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 80V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 100mA, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.2V @ 100mA, स्पीड: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

इच्छा-सूची

Toshiba Semiconductor and Storage

HN2D01FU(TE85L,F)

भाग स्टॉक: 166431

डायोड विन्यास: 3 Independent, डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 80V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 80mA, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.2V @ 100mA, स्पीड: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

इच्छा-सूची

Toshiba Semiconductor and Storage

HN2D03F(TE85L,F)

भाग स्टॉक: 170816

डायोड विन्यास: 3 Independent, डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 400V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 100mA, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.3V @ 100mA, स्पीड: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

इच्छा-सूची

Toshiba Semiconductor and Storage

CVJ10F30,LF

भाग स्टॉक: 16260

डायोड विन्यास: 2 Independent, डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 30V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 1A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 570mV @ 1A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची

Toshiba Semiconductor and Storage

HN1D02FU,LF

भाग स्टॉक: 191404

डायोड विन्यास: 2 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 80V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 100mA, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.2V @ 100mA, स्पीड: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

इच्छा-सूची

Toshiba Semiconductor and Storage

TBAW56,LM

भाग स्टॉक: 127689

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Anode, डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 80V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 215mA, स्पीड: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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Toshiba Semiconductor and Storage

HN2S03T(TE85L)

भाग स्टॉक: 4160

डायोड विन्यास: 2 Independent, डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 20V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 50mA, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 550mV @ 50mA, स्पीड: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

इच्छा-सूची

Toshiba Semiconductor and Storage

HN2S03FE(TE85L,F)

भाग स्टॉक: 4087

डायोड विन्यास: 3 Independent, डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 20V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 50mA, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 550mV @ 50mA, स्पीड: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

इच्छा-सूची

Toshiba Semiconductor and Storage

U20DL2C48A(TE24L,Q

भाग स्टॉक: 3899

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 200V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 20A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 980mV @ 10A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Toshiba Semiconductor and Storage

TBAT54A,LM

भाग स्टॉक: 120020

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Anode, डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 30V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 100mA, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 580mV @ 100mA, स्पीड: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

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Toshiba Semiconductor and Storage

TBAT54S,LM

भाग स्टॉक: 167920

डायोड विन्यास: 1 Pair Series Connection, डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 30V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 200mA, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 580mV @ 100mA, स्पीड: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

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