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ट्रांजिस्टर - FETs, MOSFETs - सिंगल

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TK12A53D(STA4,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

TK12A53D(STA4,Q,M)

भाग स्टॉक: 31913

एफईटी प्रकार: N-Channel, प्रौद्योगिकी: MOSFET (Metal Oxide), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 525V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 12A (Ta), ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडी चालू, न्यूनतम आरडी चालू): 10V, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 580 mOhm @ 6A, 10V,

इच्छा-सूची
TK8Q60W,S1VQ
Toshiba Semiconductor and Storage

TK8Q60W,S1VQ

भाग स्टॉक: 36648

एफईटी प्रकार: N-Channel, प्रौद्योगिकी: MOSFET (Metal Oxide), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 600V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 8A (Ta), ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडी चालू, न्यूनतम आरडी चालू): 10V, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 500 mOhm @ 4A, 10V,

इच्छा-सूची
TK3A65DA(STA4,QM)
Toshiba Semiconductor and Storage

TK3A65DA(STA4,QM)

भाग स्टॉक: 54078

एफईटी प्रकार: N-Channel, प्रौद्योगिकी: MOSFET (Metal Oxide), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 650V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta), ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडी चालू, न्यूनतम आरडी चालू): 10V, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 2.51 Ohm @ 1.3A, 10V,

इच्छा-सूची
TK14G65W5,RQ
Toshiba Semiconductor and Storage

TK14G65W5,RQ

भाग स्टॉक: 61791

एफईटी प्रकार: N-Channel, प्रौद्योगिकी: MOSFET (Metal Oxide), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 650V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 13.7A (Ta), ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडी चालू, न्यूनतम आरडी चालू): 10V, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 300 mOhm @ 6.9A, 10V,

इच्छा-सूची
TJ80S04M3L(T6L1,NQ
Toshiba Semiconductor and Storage

TJ80S04M3L(T6L1,NQ

भाग स्टॉक: 75895

एफईटी प्रकार: P-Channel, प्रौद्योगिकी: MOSFET (Metal Oxide), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 40V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 80A (Ta), ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडी चालू, न्यूनतम आरडी चालू): 6V, 10V, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 5.2 mOhm @ 40A, 10V,

इच्छा-सूची
TPHR8504PL,L1Q
Toshiba Semiconductor and Storage

TPHR8504PL,L1Q

भाग स्टॉक: 64047

एफईटी प्रकार: N-Channel, प्रौद्योगिकी: MOSFET (Metal Oxide), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 40V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 150A (Tc), ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडी चालू, न्यूनतम आरडी चालू): 4.5V, 10V, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 0.85 mOhm @ 50A, 10V,

इच्छा-सूची
TK100S04N1L,LQ
Toshiba Semiconductor and Storage

TK100S04N1L,LQ

भाग स्टॉक: 59911

एफईटी प्रकार: N-Channel, प्रौद्योगिकी: MOSFET (Metal Oxide), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 40V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 100A (Ta), ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडी चालू, न्यूनतम आरडी चालू): 4.5V, 10V, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 2.3 mOhm @ 50A, 10V,

इच्छा-सूची
TK7A65W,S5X
Toshiba Semiconductor and Storage

TK7A65W,S5X

भाग स्टॉक: 40074

एफईटी प्रकार: N-Channel, प्रौद्योगिकी: MOSFET (Metal Oxide), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 650V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 6.8A (Ta), ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडी चालू, न्यूनतम आरडी चालू): 10V, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 780 mOhm @ 3.4A, 10V,

इच्छा-सूची
TK15A50D(STA4,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

TK15A50D(STA4,Q,M)

भाग स्टॉक: 43168

एफईटी प्रकार: N-Channel, प्रौद्योगिकी: MOSFET (Metal Oxide), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 500V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 15A (Ta), ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडी चालू, न्यूनतम आरडी चालू): 10V, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 300 mOhm @ 7.5A, 10V,

इच्छा-सूची
TK5A55D(STA4,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

TK5A55D(STA4,Q,M)

भाग स्टॉक: 59442

एफईटी प्रकार: N-Channel, प्रौद्योगिकी: MOSFET (Metal Oxide), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 550V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 5A (Ta), ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडी चालू, न्यूनतम आरडी चालू): 10V, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 1.7 Ohm @ 2.5A, 10V,

इच्छा-सूची
SSM3K15AFS,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

SSM3K15AFS,LF

भाग स्टॉक: 146399

एफईटी प्रकार: N-Channel, प्रौद्योगिकी: MOSFET (Metal Oxide), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 30V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 100mA (Ta), ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडी चालू, न्यूनतम आरडी चालू): 2.5V, 4V, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 3.6 Ohm @ 10mA, 4V,

इच्छा-सूची
TK10V60W,LVQ
Toshiba Semiconductor and Storage

TK10V60W,LVQ

भाग स्टॉक: 45593

एफईटी प्रकार: N-Channel, प्रौद्योगिकी: MOSFET (Metal Oxide), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 600V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 9.7A (Ta), ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडी चालू, न्यूनतम आरडी चालू): 10V, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 380 mOhm @ 4.9A, 10V,

इच्छा-सूची
TPH2900ENH,L1Q
Toshiba Semiconductor and Storage

TPH2900ENH,L1Q

भाग स्टॉक: 67627

एफईटी प्रकार: N-Channel, प्रौद्योगिकी: MOSFET (Metal Oxide), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 200V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 33A (Ta), ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडी चालू, न्यूनतम आरडी चालू): 10V, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 29 mOhm @ 16.5A, 10V,

इच्छा-सूची
TK60E08K3,S1X(S
Toshiba Semiconductor and Storage

TK60E08K3,S1X(S

भाग स्टॉक: 47246

एफईटी प्रकार: N-Channel, प्रौद्योगिकी: MOSFET (Metal Oxide), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 75V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 60A, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 9 mOhm @ 30A, 10V,

इच्छा-सूची
TK8A60DA(STA4,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

TK8A60DA(STA4,Q,M)

भाग स्टॉक: 45679

एफईटी प्रकार: N-Channel, प्रौद्योगिकी: MOSFET (Metal Oxide), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 600V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta), ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडी चालू, न्यूनतम आरडी चालू): 10V, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 1 Ohm @ 4A, 10V,

इच्छा-सूची
TK5A65W,S5X
Toshiba Semiconductor and Storage

TK5A65W,S5X

भाग स्टॉक: 41464

एफईटी प्रकार: N-Channel, प्रौद्योगिकी: MOSFET (Metal Oxide), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 650V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 5.2A (Ta), ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडी चालू, न्यूनतम आरडी चालू): 10V, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 1.2 Ohm @ 2.6A, 10V,

इच्छा-सूची
TPCA8064-H,LQ(CM
Toshiba Semiconductor and Storage

TPCA8064-H,LQ(CM

भाग स्टॉक: 77317

एफईटी प्रकार: N-Channel, प्रौद्योगिकी: MOSFET (Metal Oxide), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 30V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 20A (Ta), ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडी चालू, न्यूनतम आरडी चालू): 4.5V, 10V, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 8.2 mOhm @ 10A, 10V,

इच्छा-सूची
TK160F10N1L,LQ
Toshiba Semiconductor and Storage

TK160F10N1L,LQ

भाग स्टॉक: 7982

एफईटी प्रकार: N-Channel, प्रौद्योगिकी: MOSFET (Metal Oxide), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 100V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 160A (Ta), ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडी चालू, न्यूनतम आरडी चालू): 6V, 10V, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 2.4 mOhm @ 80A, 10V,

इच्छा-सूची
TK3A60DA(STA4,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

TK3A60DA(STA4,Q,M)

भाग स्टॉक: 68119

एफईटी प्रकार: N-Channel, प्रौद्योगिकी: MOSFET (Metal Oxide), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 600V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta), ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडी चालू, न्यूनतम आरडी चालू): 10V, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 2.8 Ohm @ 1.3A, 10V,

इच्छा-सूची
TK6A50D(STA4,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

TK6A50D(STA4,Q,M)

भाग स्टॉक: 60129

एफईटी प्रकार: N-Channel, प्रौद्योगिकी: MOSFET (Metal Oxide), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 500V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 6A (Ta), ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडी चालू, न्यूनतम आरडी चालू): 10V, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 1.4 Ohm @ 3A, 10V,

इच्छा-सूची
TK18E10K3,S1X(S
Toshiba Semiconductor and Storage

TK18E10K3,S1X(S

भाग स्टॉक: 56261

एफईटी प्रकार: N-Channel, प्रौद्योगिकी: MOSFET (Metal Oxide), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 100V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 18A (Ta), आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 42 mOhm @ 9A, 10V,

इच्छा-सूची
TK6Q65W,S1Q
Toshiba Semiconductor and Storage

TK6Q65W,S1Q

भाग स्टॉक: 51965

एफईटी प्रकार: N-Channel, प्रौद्योगिकी: MOSFET (Metal Oxide), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 650V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 5.8A (Ta), ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडी चालू, न्यूनतम आरडी चालू): 10V, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 1.05 Ohm @ 2.9A, 10V,

इच्छा-सूची
TK6A45DA(STA4,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

TK6A45DA(STA4,Q,M)

भाग स्टॉक: 65709

एफईटी प्रकार: N-Channel, प्रौद्योगिकी: MOSFET (Metal Oxide), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 450V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta), ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडी चालू, न्यूनतम आरडी चालू): 10V, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 1.35 Ohm @ 2.8A, 10V,

इच्छा-सूची
TK7A55D(STA4,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

TK7A55D(STA4,Q,M)

भाग स्टॉक: 51660

एफईटी प्रकार: N-Channel, प्रौद्योगिकी: MOSFET (Metal Oxide), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 550V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 7A (Ta), ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडी चालू, न्यूनतम आरडी चालू): 10V, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 1.25 Ohm @ 3.5A, 10V,

इच्छा-सूची
TK6Q60W,S1VQ
Toshiba Semiconductor and Storage

TK6Q60W,S1VQ

भाग स्टॉक: 45527

एफईटी प्रकार: N-Channel, प्रौद्योगिकी: MOSFET (Metal Oxide), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 600V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 6.2A (Ta), ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडी चालू, न्यूनतम आरडी चालू): 10V, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 820 mOhm @ 3.1A, 10V,

इच्छा-सूची
TK9A45D(STA4,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

TK9A45D(STA4,Q,M)

भाग स्टॉक: 48218

एफईटी प्रकार: N-Channel, प्रौद्योगिकी: MOSFET (Metal Oxide), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 450V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 9A (Ta), ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडी चालू, न्यूनतम आरडी चालू): 10V, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 770 mOhm @ 4.5A, 10V,

इच्छा-सूची
TK40E10K3,S1X(S
Toshiba Semiconductor and Storage

TK40E10K3,S1X(S

भाग स्टॉक: 43237

एफईटी प्रकार: N-Channel, प्रौद्योगिकी: MOSFET (Metal Oxide), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 100V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 40A (Ta), आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 15 mOhm @ 20A, 10V,

इच्छा-सूची
TPCA8055-H,LQ(M
Toshiba Semiconductor and Storage

TPCA8055-H,LQ(M

भाग स्टॉक: 60456

एफईटी प्रकार: N-Channel, प्रौद्योगिकी: MOSFET (Metal Oxide), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 30V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 56A (Ta), ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडी चालू, न्यूनतम आरडी चालू): 4.5V, 10V, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 1.9 mOhm @ 28A, 10V,

इच्छा-सूची
TK12A60D(STA4,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

TK12A60D(STA4,Q,M)

भाग स्टॉक: 50578

एफईटी प्रकार: N-Channel, प्रौद्योगिकी: MOSFET (Metal Oxide), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 600V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 12A (Ta), ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडी चालू, न्यूनतम आरडी चालू): 10V, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 550 mOhm @ 6A, 10V,

इच्छा-सूची
TK11A50D(STA4,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

TK11A50D(STA4,Q,M)

भाग स्टॉक: 38250

एफईटी प्रकार: N-Channel, प्रौद्योगिकी: MOSFET (Metal Oxide), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 500V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 11A (Ta), ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडी चालू, न्यूनतम आरडी चालू): 10V, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 600 mOhm @ 5.5A, 10V,

इच्छा-सूची
TK6A65W,S5X
Toshiba Semiconductor and Storage

TK6A65W,S5X

भाग स्टॉक: 38216

एफईटी प्रकार: N-Channel, प्रौद्योगिकी: MOSFET (Metal Oxide), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 650V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 5.8A (Ta), ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडी चालू, न्यूनतम आरडी चालू): 10V, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 1 Ohm @ 2.9A, 10V,

इच्छा-सूची
TK8A45D(STA4,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

TK8A45D(STA4,Q,M)

भाग स्टॉक: 51493

एफईटी प्रकार: N-Channel, प्रौद्योगिकी: MOSFET (Metal Oxide), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 450V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 8A (Ta), ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडी चालू, न्यूनतम आरडी चालू): 10V, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 900 mOhm @ 4A, 10V,

इच्छा-सूची
TK5A65DA(STA4,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

TK5A65DA(STA4,Q,M)

भाग स्टॉक: 51848

एफईटी प्रकार: N-Channel, प्रौद्योगिकी: MOSFET (Metal Oxide), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 650V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta), ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडी चालू, न्यूनतम आरडी चालू): 10V, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 1.67 Ohm @ 2.3A, 10V,

इच्छा-सूची
SSM3J327R,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

SSM3J327R,LF

भाग स्टॉक: 111963

एफईटी प्रकार: P-Channel, प्रौद्योगिकी: MOSFET (Metal Oxide), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 20V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 3.9A (Ta), ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडी चालू, न्यूनतम आरडी चालू): 1.5V, 4.5V, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 93 mOhm @ 1.5A, 4.5V,

इच्छा-सूची
SSM3K37MFV,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage

SSM3K37MFV,L3F

भाग स्टॉक: 146195

एफईटी प्रकार: N-Channel, प्रौद्योगिकी: MOSFET (Metal Oxide), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 20V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 250mA (Ta), ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडी चालू, न्यूनतम आरडी चालू): 1.5V, 4.5V, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 2.2 Ohm @ 100mA, 4.5V,

इच्छा-सूची
TK6A53D(STA4,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

TK6A53D(STA4,Q,M)

भाग स्टॉक: 55041

एफईटी प्रकार: N-Channel, प्रौद्योगिकी: MOSFET (Metal Oxide), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 525V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 6A (Ta), ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडी चालू, न्यूनतम आरडी चालू): 10V, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 1.3 Ohm @ 3A, 10V,

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