डायोड - जेनर - सिंगल

BZT52B8V2S RRG

BZT52B8V2S RRG

भाग स्टॉक: 179

वोल्टेज - जेनर (Nom) (Vz): 8.2V, सहनशीलता: ±2%, शक्ति - मैक्स: 200mW, प्रतिबाधा (अधिकतम) (Zzt): 15 Ohms, करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr: 630nA @ 5V, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1V @ 10mA,

BZT52C11K RKG

BZT52C11K RKG

भाग स्टॉक: 228

वोल्टेज - जेनर (Nom) (Vz): 11V, सहनशीलता: ±5%, शक्ति - मैक्स: 200mW, प्रतिबाधा (अधिकतम) (Zzt): 20 Ohms, करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr: 100nA @ 8V,

BZT52C3V9K RKG

BZT52C3V9K RKG

भाग स्टॉक: 250

वोल्टेज - जेनर (Nom) (Vz): 3.9V, सहनशीलता: ±5%, शक्ति - मैक्स: 200mW, प्रतिबाधा (अधिकतम) (Zzt): 90 Ohms, करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr: 5µA @ 1V,

BZT52C33-G RHG

BZT52C33-G RHG

भाग स्टॉक: 173

वोल्टेज - जेनर (Nom) (Vz): 33V, सहनशीलता: ±5%, शक्ति - मैक्स: 350mW, प्रतिबाधा (अधिकतम) (Zzt): 80 Ohms, करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr: 100nA @ 23.1V, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 900mV @ 10mA,

BZT52C3V6S RRG

BZT52C3V6S RRG

भाग स्टॉक: 230

वोल्टेज - जेनर (Nom) (Vz): 3.6V, सहनशीलता: ±5%, शक्ति - मैक्स: 200mW, प्रतिबाधा (अधिकतम) (Zzt): 90 Ohms, करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr: 4.5µA @ 1V, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1V @ 10mA,

BZT52B36 RHG

BZT52B36 RHG

भाग स्टॉक: 260

वोल्टेज - जेनर (Nom) (Vz): 36V, सहनशीलता: ±2%, शक्ति - मैक्स: 500mW, प्रतिबाधा (अधिकतम) (Zzt): 90 Ohms, करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr: 45nA @ 25.2V, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1V @ 10mA,

BZT52C36-G RHG

BZT52C36-G RHG

भाग स्टॉक: 223

वोल्टेज - जेनर (Nom) (Vz): 36V, सहनशीलता: ±5%, शक्ति - मैक्स: 350mW, प्रतिबाधा (अधिकतम) (Zzt): 90 Ohms, करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr: 100nA @ 25.2V, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 900mV @ 10mA,

BZT52B24S RRG

BZT52B24S RRG

भाग स्टॉक: 167

वोल्टेज - जेनर (Nom) (Vz): 24V, सहनशीलता: ±2%, शक्ति - मैक्स: 200mW, प्रतिबाधा (अधिकतम) (Zzt): 70 Ohms, करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr: 45nA @ 16.8V, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1V @ 10mA,

BZT52B4V7 RHG

BZT52B4V7 RHG

भाग स्टॉक: 199

वोल्टेज - जेनर (Nom) (Vz): 4.7V, सहनशीलता: ±2%, शक्ति - मैक्स: 500mW, प्रतिबाधा (अधिकतम) (Zzt): 80 Ohms, करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr: 2.7µA @ 2V, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1V @ 10mA,

BZT52C18 RHG

BZT52C18 RHG

भाग स्टॉक: 259

वोल्टेज - जेनर (Nom) (Vz): 18V, सहनशीलता: ±5%, शक्ति - मैक्स: 500mW, प्रतिबाधा (अधिकतम) (Zzt): 45 Ohms, करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr: 45nA @ 12.6V, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1V @ 10mA,

BZT52B36S RRG

BZT52B36S RRG

भाग स्टॉक: 225

वोल्टेज - जेनर (Nom) (Vz): 36V, सहनशीलता: ±2%, शक्ति - मैक्स: 200mW, प्रतिबाधा (अधिकतम) (Zzt): 90 Ohms, करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr: 45nA @ 25.2V, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1V @ 10mA,

BZT52B22S RRG

BZT52B22S RRG

भाग स्टॉक: 184

वोल्टेज - जेनर (Nom) (Vz): 22V, सहनशीलता: ±2%, शक्ति - मैक्स: 200mW, प्रतिबाधा (अधिकतम) (Zzt): 55 Ohms, करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr: 45nA @ 15.4V, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1V @ 10mA,

BZT52C13S RRG

BZT52C13S RRG

भाग स्टॉक: 206

वोल्टेज - जेनर (Nom) (Vz): 13V, सहनशीलता: ±5%, शक्ति - मैक्स: 200mW, प्रतिबाधा (अधिकतम) (Zzt): 30 Ohms, करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr: 90nA @ 8V, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1V @ 10mA,

BZT52C16K RKG

BZT52C16K RKG

भाग स्टॉक: 265

वोल्टेज - जेनर (Nom) (Vz): 16V, सहनशीलता: ±5%, शक्ति - मैक्स: 200mW, प्रतिबाधा (अधिकतम) (Zzt): 40 Ohms, करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr: 100nA @ 12V,

BZT52C7V5K RKG

BZT52C7V5K RKG

भाग स्टॉक: 192

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BZT52C9V1S RRG

BZT52C9V1S RRG

भाग स्टॉक: 253

वोल्टेज - जेनर (Nom) (Vz): 9.1V, सहनशीलता: ±5%, शक्ति - मैक्स: 200mW, प्रतिबाधा (अधिकतम) (Zzt): 15 Ohms, करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr: 450nA @ 6V, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1V @ 10mA,

BZT52C2V7-G RHG

BZT52C2V7-G RHG

भाग स्टॉक: 259

वोल्टेज - जेनर (Nom) (Vz): 2.7V, सहनशीलता: ±5%, शक्ति - मैक्स: 350mW, प्रतिबाधा (अधिकतम) (Zzt): 100 Ohms, करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr: 20µA @ 1V, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 900mV @ 10mA,

BZT52B56 RHG

BZT52B56 RHG

भाग स्टॉक: 252

वोल्टेज - जेनर (Nom) (Vz): 56V, सहनशीलता: ±2%, शक्ति - मैक्स: 500mW, प्रतिबाधा (अधिकतम) (Zzt): 200 Ohms, करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr: 45nA @ 39.2V, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1V @ 10mA,

BZT52B13-G RHG

BZT52B13-G RHG

भाग स्टॉक: 201

वोल्टेज - जेनर (Nom) (Vz): 13V, सहनशीलता: ±2%, शक्ति - मैक्स: 410mW, प्रतिबाधा (अधिकतम) (Zzt): 30 Ohms, करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr: 100nA @ 8V, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 900mV @ 10mA,

BZT52C3V3 RHG

BZT52C3V3 RHG

भाग स्टॉक: 264

वोल्टेज - जेनर (Nom) (Vz): 3.3V, सहनशीलता: ±5%, शक्ति - मैक्स: 500mW, प्रतिबाधा (अधिकतम) (Zzt): 95 Ohms, करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr: 4.5µA @ 1V, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1V @ 10mA,

BZT52C47K RKG

BZT52C47K RKG

भाग स्टॉक: 226

वोल्टेज - जेनर (Nom) (Vz): 47V, सहनशीलता: ±5%, शक्ति - मैक्स: 200mW, प्रतिबाधा (अधिकतम) (Zzt): 170 Ohms, करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr: 2µA @ 36V,

BZT52C27K RKG

BZT52C27K RKG

भाग स्टॉक: 215

वोल्टेज - जेनर (Nom) (Vz): 27V, सहनशीलता: ±5%, शक्ति - मैक्स: 200mW, प्रतिबाधा (अधिकतम) (Zzt): 80 Ohms, करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr: 100nA @ 21V,

BZT52C22 RHG

BZT52C22 RHG

भाग स्टॉक: 205

वोल्टेज - जेनर (Nom) (Vz): 22V, सहनशीलता: ±5%, शक्ति - मैक्स: 500mW, प्रतिबाधा (अधिकतम) (Zzt): 55 Ohms, करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr: 45nA @ 15.4V, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1V @ 10mA,

BZT52C24 RHG

BZT52C24 RHG

भाग स्टॉक: 211

वोल्टेज - जेनर (Nom) (Vz): 24V, सहनशीलता: ±5%, शक्ति - मैक्स: 500mW, प्रतिबाधा (अधिकतम) (Zzt): 70 Ohms, करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr: 45nA @ 16.8V, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1V @ 10mA,

BZT52B12-G RHG

BZT52B12-G RHG

भाग स्टॉक: 190

वोल्टेज - जेनर (Nom) (Vz): 12V, सहनशीलता: ±2%, शक्ति - मैक्स: 410mW, प्रतिबाधा (अधिकतम) (Zzt): 25 Ohms, करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr: 100nA @ 8V, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 900mV @ 10mA,

BZT52C3V3K RKG

BZT52C3V3K RKG

भाग स्टॉक: 256

वोल्टेज - जेनर (Nom) (Vz): 3.3V, सहनशीलता: ±5%, शक्ति - मैक्स: 200mW, प्रतिबाधा (अधिकतम) (Zzt): 95 Ohms, करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr: 20µA @ 1V,

BZT52C13 RHG

BZT52C13 RHG

भाग स्टॉक: 182

वोल्टेज - जेनर (Nom) (Vz): 13V, सहनशीलता: ±5%, शक्ति - मैक्स: 500mW, प्रतिबाधा (अधिकतम) (Zzt): 30 Ohms, करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr: 90nA @ 8V, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1V @ 10mA,

BZT52C56 RHG

BZT52C56 RHG

भाग स्टॉक: 180

वोल्टेज - जेनर (Nom) (Vz): 56V, सहनशीलता: ±5%, शक्ति - मैक्स: 500mW, प्रतिबाधा (अधिकतम) (Zzt): 200 Ohms, करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr: 45nA @ 39.2V, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1V @ 10mA,

BZT52C4V3S RRG

BZT52C4V3S RRG

भाग स्टॉक: 194

वोल्टेज - जेनर (Nom) (Vz): 4.3V, सहनशीलता: ±5%, शक्ति - मैक्स: 200mW, प्रतिबाधा (अधिकतम) (Zzt): 90 Ohms, करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr: 2.7µA @ 1V, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1V @ 10mA,

BZX84C24 RFG

BZX84C24 RFG

भाग स्टॉक: 227

वोल्टेज - जेनर (Nom) (Vz): 24V, सहनशीलता: ±5%, शक्ति - मैक्स: 300mW, प्रतिबाधा (अधिकतम) (Zzt): 70 Ohms, करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr: 100nA @ 16.8V, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 900mV @ 10mA,

BZT52B20 RHG

BZT52B20 RHG

भाग स्टॉक: 213

वोल्टेज - जेनर (Nom) (Vz): 20V, सहनशीलता: ±2%, शक्ति - मैक्स: 500mW, प्रतिबाधा (अधिकतम) (Zzt): 55 Ohms, करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr: 45nA @ 14V, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1V @ 10mA,

BZT52B5V1S RRG

BZT52B5V1S RRG

भाग स्टॉक: 251

वोल्टेज - जेनर (Nom) (Vz): 5.1V, सहनशीलता: ±2%, शक्ति - मैक्स: 200mW, प्रतिबाधा (अधिकतम) (Zzt): 60 Ohms, करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr: 1.8µA @ 2V, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1V @ 10mA,

BZT52C20 RHG

BZT52C20 RHG

भाग स्टॉक: 179

वोल्टेज - जेनर (Nom) (Vz): 20V, सहनशीलता: ±5%, शक्ति - मैक्स: 500mW, प्रतिबाधा (अधिकतम) (Zzt): 55 Ohms, करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr: 45nA @ 14V, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1V @ 10mA,

BZT52C8V2-G RHG

BZT52C8V2-G RHG

भाग स्टॉक: 221

वोल्टेज - जेनर (Nom) (Vz): 8.2V, सहनशीलता: ±5%, शक्ति - मैक्स: 350mW, प्रतिबाधा (अधिकतम) (Zzt): 15 Ohms, करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr: 700nA @ 5V, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 900mV @ 10mA,

BZT52B2V7 RHG

BZT52B2V7 RHG

भाग स्टॉक: 215

वोल्टेज - जेनर (Nom) (Vz): 2.7V, सहनशीलता: ±2%, शक्ति - मैक्स: 500mW, प्रतिबाधा (अधिकतम) (Zzt): 100 Ohms, करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr: 18µA @ 1V, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1V @ 10mA,

BZX84C8V2 RFG

BZX84C8V2 RFG

भाग स्टॉक: 265

वोल्टेज - जेनर (Nom) (Vz): 8.2V, सहनशीलता: ±5%, शक्ति - मैक्स: 300mW, प्रतिबाधा (अधिकतम) (Zzt): 15 Ohms, करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr: 700nA @ 5V, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 900mV @ 10mA,