डायोड - जेनर - सिंगल

BZT52B7V5-G RHG

BZT52B7V5-G RHG

भाग स्टॉक: 200

वोल्टेज - जेनर (Nom) (Vz): 7.5V, सहनशीलता: ±2%, शक्ति - मैक्स: 410mW, प्रतिबाधा (अधिकतम) (Zzt): 15 Ohms, करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr: 1µA @ 5V, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 900mV @ 10mA,

BZT52C10K RKG

BZT52C10K RKG

भाग स्टॉक: 189

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BZT52B30S RRG

BZT52B30S RRG

भाग स्टॉक: 262

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BZX84C6V2 RFG

BZX84C6V2 RFG

भाग स्टॉक: 191

वोल्टेज - जेनर (Nom) (Vz): 6.2V, सहनशीलता: ±5%, शक्ति - मैक्स: 300mW, प्रतिबाधा (अधिकतम) (Zzt): 10 Ohms, करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr: 3µA @ 4V, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 900mV @ 10mA,

BZT52C16 RHG

BZT52C16 RHG

भाग स्टॉक: 215

वोल्टेज - जेनर (Nom) (Vz): 16V, सहनशीलता: ±5%, शक्ति - मैक्स: 500mW, प्रतिबाधा (अधिकतम) (Zzt): 40 Ohms, करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr: 45nA @ 11.2V, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1V @ 10mA,

BZT52B6V8 RHG

BZT52B6V8 RHG

भाग स्टॉक: 178

वोल्टेज - जेनर (Nom) (Vz): 6.8V, सहनशीलता: ±2%, शक्ति - मैक्स: 500mW, प्रतिबाधा (अधिकतम) (Zzt): 15 Ohms, करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr: 1.8µA @ 4V, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1V @ 10mA,

BZT52B51S RRG

BZT52B51S RRG

भाग स्टॉक: 169

वोल्टेज - जेनर (Nom) (Vz): 51V, सहनशीलता: ±2%, शक्ति - मैक्स: 200mW, प्रतिबाधा (अधिकतम) (Zzt): 180 Ohms, करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr: 45nA @ 35.7V, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1V @ 10mA,

BZT52C75S RRG

BZT52C75S RRG

भाग स्टॉक: 261

वोल्टेज - जेनर (Nom) (Vz): 75V, सहनशीलता: ±5%, शक्ति - मैक्स: 200mW, प्रतिबाधा (अधिकतम) (Zzt): 255 Ohms, करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr: 45nA @ 52.5V, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1V @ 10mA,

BZX584B9V1 RSG

BZX584B9V1 RSG

भाग स्टॉक: 212

वोल्टेज - जेनर (Nom) (Vz): 9.1V, सहनशीलता: ±2%, शक्ति - मैक्स: 150mW, प्रतिबाधा (अधिकतम) (Zzt): 15 Ohms, करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr: 500nA @ 6V, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 900mV @ 10mA,

BZT52C56K RKG

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भाग स्टॉक: 211

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BZT52B43-G RHG

BZT52B43-G RHG

भाग स्टॉक: 175

वोल्टेज - जेनर (Nom) (Vz): 43V, सहनशीलता: ±2%, शक्ति - मैक्स: 410mW, प्रतिबाधा (अधिकतम) (Zzt): 130 Ohms, करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr: 100nA @ 29.4V, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 900mV @ 10mA,

BZT52C36 RHG

BZT52C36 RHG

भाग स्टॉक: 228

वोल्टेज - जेनर (Nom) (Vz): 36V, सहनशीलता: ±5%, शक्ति - मैक्स: 500mW, प्रतिबाधा (अधिकतम) (Zzt): 90 Ohms, करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr: 45nA @ 25.2V, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1V @ 10mA,

BZT52B27-G RHG

BZT52B27-G RHG

भाग स्टॉक: 203

वोल्टेज - जेनर (Nom) (Vz): 27V, सहनशीलता: ±2%, शक्ति - मैक्स: 410mW, प्रतिबाधा (अधिकतम) (Zzt): 80 Ohms, करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr: 100nA @ 18.9V, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 900mV @ 10mA,

BZT52B24 RHG

BZT52B24 RHG

भाग स्टॉक: 198

वोल्टेज - जेनर (Nom) (Vz): 24V, सहनशीलता: ±2%, शक्ति - मैक्स: 500mW, प्रतिबाधा (अधिकतम) (Zzt): 70 Ohms, करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr: 45nA @ 16.8V, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1V @ 10mA,

BZT52C5V6S RRG

BZT52C5V6S RRG

भाग स्टॉक: 266

वोल्टेज - जेनर (Nom) (Vz): 5.6V, सहनशीलता: ±5%, शक्ति - मैक्स: 200mW, प्रतिबाधा (अधिकतम) (Zzt): 40 Ohms, करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr: 900nA @ 2V, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1V @ 10mA,

BZT52C5V1K RKG

BZT52C5V1K RKG

भाग स्टॉक: 181

वोल्टेज - जेनर (Nom) (Vz): 5.1V, सहनशीलता: ±5%, शक्ति - मैक्स: 200mW, प्रतिबाधा (अधिकतम) (Zzt): 60 Ohms, करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr: 2µA @ 1.5V,

BZT52B13S RRG

BZT52B13S RRG

भाग स्टॉक: 169

वोल्टेज - जेनर (Nom) (Vz): 13V, सहनशीलता: ±2%, शक्ति - मैक्स: 200mW, प्रतिबाधा (अधिकतम) (Zzt): 30 Ohms, करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr: 90nA @ 8V, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1V @ 10mA,

BZT52B4V3 RHG

BZT52B4V3 RHG

भाग स्टॉक: 207

वोल्टेज - जेनर (Nom) (Vz): 4.3V, सहनशीलता: ±2%, शक्ति - मैक्स: 500mW, प्रतिबाधा (अधिकतम) (Zzt): 90 Ohms, करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr: 2.7µA @ 1V, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1V @ 10mA,

BZT52C22S RRG

BZT52C22S RRG

भाग स्टॉक: 189

वोल्टेज - जेनर (Nom) (Vz): 22V, सहनशीलता: ±5%, शक्ति - मैक्स: 200mW, प्रतिबाधा (अधिकतम) (Zzt): 55 Ohms, करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr: 45nA @ 15.4V, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1V @ 10mA,

BZX84C39 RFG

BZX84C39 RFG

भाग स्टॉक: 187

वोल्टेज - जेनर (Nom) (Vz): 39V, सहनशीलता: ±5%, शक्ति - मैक्स: 300mW, प्रतिबाधा (अधिकतम) (Zzt): 130 Ohms, करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr: 100nA @ 27.3V, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 900mV @ 10mA,

BZT52B3V6S RRG

BZT52B3V6S RRG

भाग स्टॉक: 230

वोल्टेज - जेनर (Nom) (Vz): 3.6V, सहनशीलता: ±2%, शक्ति - मैक्स: 200mW, प्रतिबाधा (अधिकतम) (Zzt): 90 Ohms, करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr: 4.5µA @ 1V, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1V @ 10mA,

BZT52C12-G RHG

BZT52C12-G RHG

भाग स्टॉक: 180

वोल्टेज - जेनर (Nom) (Vz): 12V, सहनशीलता: ±5%, शक्ति - मैक्स: 350mW, प्रतिबाधा (अधिकतम) (Zzt): 25 Ohms, करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr: 100nA @ 8V, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 900mV @ 10mA,

BZT52C33S RRG

BZT52C33S RRG

भाग स्टॉक: 266

वोल्टेज - जेनर (Nom) (Vz): 33V, सहनशीलता: ±5%, शक्ति - मैक्स: 200mW, प्रतिबाधा (अधिकतम) (Zzt): 80 Ohms, करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr: 45nA @ 23V, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1V @ 10mA,

BZX84C33 RFG

BZX84C33 RFG

भाग स्टॉक: 219

वोल्टेज - जेनर (Nom) (Vz): 33V, सहनशीलता: ±5%, शक्ति - मैक्स: 300mW, प्रतिबाधा (अधिकतम) (Zzt): 80 Ohms, करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr: 100nA @ 23.1V, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 900mV @ 10mA,

BZX84C3V9 RFG

BZX84C3V9 RFG

भाग स्टॉक: 223

वोल्टेज - जेनर (Nom) (Vz): 3.9V, सहनशीलता: ±5%, शक्ति - मैक्स: 300mW, प्रतिबाधा (अधिकतम) (Zzt): 90 Ohms, करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr: 3µA @ 1V, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 900mV @ 10mA,

BZT52B16S RRG

BZT52B16S RRG

भाग स्टॉक: 180

वोल्टेज - जेनर (Nom) (Vz): 16V, सहनशीलता: ±2%, शक्ति - मैक्स: 200mW, प्रतिबाधा (अधिकतम) (Zzt): 40 Ohms, करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr: 45nA @ 11.2V, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1V @ 10mA,

BZT52B5V1-G RHG

BZT52B5V1-G RHG

भाग स्टॉक: 175

वोल्टेज - जेनर (Nom) (Vz): 5.1V, सहनशीलता: ±2%, शक्ति - मैक्स: 410mW, प्रतिबाधा (अधिकतम) (Zzt): 60 Ohms, करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr: 2µA @ 2V, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 900mV @ 10mA,

BZT52B27S RRG

BZT52B27S RRG

भाग स्टॉक: 178

वोल्टेज - जेनर (Nom) (Vz): 27V, सहनशीलता: ±2%, शक्ति - मैक्स: 200mW, प्रतिबाधा (अधिकतम) (Zzt): 80 Ohms, करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr: 45nA @ 18.9V, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1V @ 10mA,

BZT52C43S RRG

BZT52C43S RRG

भाग स्टॉक: 259

वोल्टेज - जेनर (Nom) (Vz): 43V, सहनशीलता: ±5%, शक्ति - मैक्स: 200mW, प्रतिबाधा (अधिकतम) (Zzt): 150 Ohms, करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr: 45nA @ 30.1V, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1V @ 10mA,

BZT52B15-G RHG

BZT52B15-G RHG

भाग स्टॉक: 214

वोल्टेज - जेनर (Nom) (Vz): 15V, सहनशीलता: ±2%, शक्ति - मैक्स: 410mW, प्रतिबाधा (अधिकतम) (Zzt): 30 Ohms, करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr: 100nA @ 10.5V, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 900mV @ 10mA,

BZT52C24-G RHG

BZT52C24-G RHG

भाग स्टॉक: 183

वोल्टेज - जेनर (Nom) (Vz): 24V, सहनशीलता: ±5%, शक्ति - मैक्स: 350mW, प्रतिबाधा (अधिकतम) (Zzt): 70 Ohms, करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr: 100nA @ 16.8V, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 900mV @ 10mA,

BZT52C27-G RHG

BZT52C27-G RHG

भाग स्टॉक: 198

वोल्टेज - जेनर (Nom) (Vz): 27V, सहनशीलता: ±5%, शक्ति - मैक्स: 350mW, प्रतिबाधा (अधिकतम) (Zzt): 80 Ohms, करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr: 100nA @ 18.9V, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 900mV @ 10mA,

BZT52B43S RRG

BZT52B43S RRG

भाग स्टॉक: 167

वोल्टेज - जेनर (Nom) (Vz): 43V, सहनशीलता: ±2%, शक्ति - मैक्स: 200mW, प्रतिबाधा (अधिकतम) (Zzt): 150 Ohms, करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr: 45nA @ 30.1V, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1V @ 10mA,

BZT52C4V7 RHG

BZT52C4V7 RHG

भाग स्टॉक: 174

वोल्टेज - जेनर (Nom) (Vz): 4.7V, सहनशीलता: ±5%, शक्ति - मैक्स: 500mW, प्रतिबाधा (अधिकतम) (Zzt): 80 Ohms, करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr: 2.7µA @ 2V, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1V @ 10mA,

BZT52C3V9 RHG

BZT52C3V9 RHG

भाग स्टॉक: 205

वोल्टेज - जेनर (Nom) (Vz): 3.9V, सहनशीलता: ±5%, शक्ति - मैक्स: 500mW, प्रतिबाधा (अधिकतम) (Zzt): 90 Ohms, करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr: 2.7µA @ 1V, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1V @ 10mA,

BZT52C2V7 RHG

BZT52C2V7 RHG

भाग स्टॉक: 185

वोल्टेज - जेनर (Nom) (Vz): 2.7V, सहनशीलता: ±5%, शक्ति - मैक्स: 500mW, प्रतिबाधा (अधिकतम) (Zzt): 100 Ohms, करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr: 18µA @ 1V, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1V @ 10mA,