डायोड - जेनर - सिंगल

BZV55C68 L0G

BZV55C68 L0G

भाग स्टॉक: 242

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BZV55C9V1 L1G

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भाग स्टॉक: 156

वोल्टेज - जेनर (Nom) (Vz): 9.1V, सहनशीलता: ±5%, शक्ति - मैक्स: 500mW, प्रतिबाधा (अधिकतम) (Zzt): 10 Ohms, करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr: 100nA @ 6.8V, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1V @ 10mA,

BZV55B51 L0G

BZV55B51 L0G

भाग स्टॉक: 250

वोल्टेज - जेनर (Nom) (Vz): 51V, सहनशीलता: ±2%, शक्ति - मैक्स: 500mW, प्रतिबाधा (अधिकतम) (Zzt): 125 Ohms, करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr: 100nA @ 38V, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1V @ 100mA,

BZV55C3V0 L1G

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भाग स्टॉक: 165

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BZX85C36 R0G

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भाग स्टॉक: 184

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BZT55C11 L1G

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भाग स्टॉक: 218

वोल्टेज - जेनर (Nom) (Vz): 11V, सहनशीलता: ±5%, शक्ति - मैक्स: 500mW, प्रतिबाधा (अधिकतम) (Zzt): 20 Ohms, करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr: 100nA @ 8.2V, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1V @ 10mA,

BZV55C13 L0G

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भाग स्टॉक: 242

वोल्टेज - जेनर (Nom) (Vz): 13V, सहनशीलता: ±5%, शक्ति - मैक्स: 500mW, प्रतिबाधा (अधिकतम) (Zzt): 26 Ohms, करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr: 100nA @ 10V, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1V @ 10mA,

BZX85C3V9 R0G

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भाग स्टॉक: 210

वोल्टेज - जेनर (Nom) (Vz): 3.9V, सहनशीलता: ±5%, शक्ति - मैक्स: 1.3W, प्रतिबाधा (अधिकतम) (Zzt): 15 Ohms, करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr: 20µA @ 1V, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.2V @ 10mA,

BZV55B18 L0G

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भाग स्टॉक: 159

वोल्टेज - जेनर (Nom) (Vz): 18V, सहनशीलता: ±2%, शक्ति - मैक्स: 500mW, प्रतिबाधा (अधिकतम) (Zzt): 50 Ohms, करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr: 100nA @ 13V, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1V @ 100mA,

BZT55C27 L1G

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भाग स्टॉक: 233

वोल्टेज - जेनर (Nom) (Vz): 27V, सहनशीलता: ±5%, शक्ति - मैक्स: 500mW, प्रतिबाधा (अधिकतम) (Zzt): 80 Ohms, करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr: 100nA @ 20V, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1V @ 10mA,

BZT55C62 L1G

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भाग स्टॉक: 252

वोल्टेज - जेनर (Nom) (Vz): 62V, सहनशीलता: ±5%, शक्ति - मैक्स: 500mW, प्रतिबाधा (अधिकतम) (Zzt): 150 Ohms, करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr: 100nA @ 47V, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1V @ 10mA,

BZX85C6V8 R0G

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भाग स्टॉक: 226

वोल्टेज - जेनर (Nom) (Vz): 6.8V, सहनशीलता: ±5%, शक्ति - मैक्स: 1.3W, प्रतिबाधा (अधिकतम) (Zzt): 3.5 Ohms, करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr: 1µA @ 4V, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.2V @ 10mA,

BZV55B3V9 L1G

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भाग स्टॉक: 236

वोल्टेज - जेनर (Nom) (Vz): 3.9V, सहनशीलता: ±2%, शक्ति - मैक्स: 500mW, प्रतिबाधा (अधिकतम) (Zzt): 85 Ohms, करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr: 2µA @ 1V, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1V @ 100mA,

BZV55C22 L1G

BZV55C22 L1G

भाग स्टॉक: 180

वोल्टेज - जेनर (Nom) (Vz): 22V, सहनशीलता: ±5%, शक्ति - मैक्स: 500mW, प्रतिबाधा (अधिकतम) (Zzt): 55 Ohms, करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr: 100nA @ 16V, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1V @ 10mA,

BZV55B51 L1G

BZV55B51 L1G

भाग स्टॉक: 252

वोल्टेज - जेनर (Nom) (Vz): 51V, सहनशीलता: ±2%, शक्ति - मैक्स: 500mW, प्रतिबाधा (अधिकतम) (Zzt): 125 Ohms, करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr: 100nA @ 38V, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1V @ 100mA,

BZT55C5V1 L1G

BZT55C5V1 L1G

भाग स्टॉक: 246

वोल्टेज - जेनर (Nom) (Vz): 5.1V, सहनशीलता: ±5%, शक्ति - मैक्स: 500mW, प्रतिबाधा (अधिकतम) (Zzt): 35 Ohms, करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr: 100nA @ 1V, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1V @ 10mA,

BZV55C3V9 L1G

BZV55C3V9 L1G

भाग स्टॉक: 183

वोल्टेज - जेनर (Nom) (Vz): 3.9V, सहनशीलता: ±5%, शक्ति - मैक्स: 500mW, प्रतिबाधा (अधिकतम) (Zzt): 85 Ohms, करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr: 2µA @ 1V, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1V @ 10mA,

BZV55C8V2 L0G

BZV55C8V2 L0G

भाग स्टॉक: 183

वोल्टेज - जेनर (Nom) (Vz): 8.2V, सहनशीलता: ±5%, शक्ति - मैक्स: 500mW, प्रतिबाधा (अधिकतम) (Zzt): 7 Ohms, करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr: 100nA @ 6.2V, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1V @ 10mA,

BZX85C5V6 R0G

BZX85C5V6 R0G

भाग स्टॉक: 239

वोल्टेज - जेनर (Nom) (Vz): 5.6V, सहनशीलता: ±5%, शक्ति - मैक्स: 1.3W, प्रतिबाधा (अधिकतम) (Zzt): 7 Ohms, करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr: 1µA @ 2V, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.2V @ 10mA,

BZV55B11 L1G

BZV55B11 L1G

भाग स्टॉक: 182

वोल्टेज - जेनर (Nom) (Vz): 11V, सहनशीलता: ±2%, शक्ति - मैक्स: 500mW, प्रतिबाधा (अधिकतम) (Zzt): 20 Ohms, करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr: 100nA @ 8.2V, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1V @ 100mA,

BZV55C47 L0G

BZV55C47 L0G

भाग स्टॉक: 218

वोल्टेज - जेनर (Nom) (Vz): 47V, सहनशीलता: ±5%, शक्ति - मैक्स: 500mW, प्रतिबाधा (अधिकतम) (Zzt): 110 Ohms, करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr: 100nA @ 35V, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1V @ 10mA,

BZT55B4V7 L1G

BZT55B4V7 L1G

भाग स्टॉक: 202

वोल्टेज - जेनर (Nom) (Vz): 4.7V, सहनशीलता: ±2%, शक्ति - मैक्स: 500mW, प्रतिबाधा (अधिकतम) (Zzt): 60 Ohms, करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr: 500nA @ 1V, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1V @ 10mA,

BZT55C13 L1G

BZT55C13 L1G

भाग स्टॉक: 197

वोल्टेज - जेनर (Nom) (Vz): 13V, सहनशीलता: ±5%, शक्ति - मैक्स: 500mW, प्रतिबाधा (अधिकतम) (Zzt): 26 Ohms, करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr: 100nA @ 10V, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1V @ 10mA,

BZT55B5V1 L1G

BZT55B5V1 L1G

भाग स्टॉक: 238

वोल्टेज - जेनर (Nom) (Vz): 5.1V, सहनशीलता: ±2%, शक्ति - मैक्स: 500mW, प्रतिबाधा (अधिकतम) (Zzt): 35 Ohms, करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr: 100nA @ 1V, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1V @ 10mA,

BZT55B43 L1G

BZT55B43 L1G

भाग स्टॉक: 247

वोल्टेज - जेनर (Nom) (Vz): 43V, सहनशीलता: ±2%, शक्ति - मैक्स: 500mW, प्रतिबाधा (अधिकतम) (Zzt): 90 Ohms, करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr: 100nA @ 32V, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1V @ 10mA,

BZX85C12 R0G

BZX85C12 R0G

भाग स्टॉक: 221

वोल्टेज - जेनर (Nom) (Vz): 12V, सहनशीलता: ±5%, शक्ति - मैक्स: 1.3W, प्रतिबाधा (अधिकतम) (Zzt): 9 Ohms, करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr: 500nA @ 9.1V, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.2V @ 10mA,

BZT55C18 L1G

BZT55C18 L1G

भाग स्टॉक: 205

वोल्टेज - जेनर (Nom) (Vz): 18V, सहनशीलता: ±5%, शक्ति - मैक्स: 500mW, प्रतिबाधा (अधिकतम) (Zzt): 50 Ohms, करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr: 100nA @ 13V, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1V @ 10mA,

BZV55C16 L1G

BZV55C16 L1G

भाग स्टॉक: 201

वोल्टेज - जेनर (Nom) (Vz): 16V, सहनशीलता: ±5%, शक्ति - मैक्स: 500mW, प्रतिबाधा (अधिकतम) (Zzt): 40 Ohms, करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr: 100nA @ 12V, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1V @ 10mA,

BZT55C9V1 L1G

BZT55C9V1 L1G

भाग स्टॉक: 216

वोल्टेज - जेनर (Nom) (Vz): 9.1V, सहनशीलता: ±5%, शक्ति - मैक्स: 500mW, प्रतिबाधा (अधिकतम) (Zzt): 10 Ohms, करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr: 100nA @ 6.8V, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1V @ 10mA,

BZX85C11 R0G

BZX85C11 R0G

भाग स्टॉक: 211

वोल्टेज - जेनर (Nom) (Vz): 11V, सहनशीलता: ±5%, शक्ति - मैक्स: 1.3W, प्रतिबाधा (अधिकतम) (Zzt): 8 Ohms, करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr: 500nA @ 8.2V, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.2V @ 10mA,

BZT55C68 L1G

BZT55C68 L1G

भाग स्टॉक: 217

वोल्टेज - जेनर (Nom) (Vz): 68V, सहनशीलता: ±5%, शक्ति - मैक्स: 500mW, प्रतिबाधा (अधिकतम) (Zzt): 160 Ohms, करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr: 100nA @ 51V, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1V @ 10mA,

BZV55B2V7 L1G

BZV55B2V7 L1G

भाग स्टॉक: 228

वोल्टेज - जेनर (Nom) (Vz): 2.7V, सहनशीलता: ±2%, शक्ति - मैक्स: 500mW, प्रतिबाधा (अधिकतम) (Zzt): 85 Ohms, करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr: 10µA @ 1V, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1V @ 100mA,

BZX85C10 R0G

BZX85C10 R0G

भाग स्टॉक: 206

वोल्टेज - जेनर (Nom) (Vz): 10V, सहनशीलता: ±5%, शक्ति - मैक्स: 1.3W, प्रतिबाधा (अधिकतम) (Zzt): 7 Ohms, करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr: 500nA @ 7.5V, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.2V @ 10mA,

BZV55C24 L1G

BZV55C24 L1G

भाग स्टॉक: 225

वोल्टेज - जेनर (Nom) (Vz): 24V, सहनशीलता: ±5%, शक्ति - मैक्स: 500mW, प्रतिबाधा (अधिकतम) (Zzt): 80 Ohms, करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr: 100nA @ 18V, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1V @ 10mA,

BZX85C56 R0G

BZX85C56 R0G

भाग स्टॉक: 206

वोल्टेज - जेनर (Nom) (Vz): 56V, सहनशीलता: ±5%, शक्ति - मैक्स: 1.3W, प्रतिबाधा (अधिकतम) (Zzt): 120 Ohms, करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr: 500nA @ 39V, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.2V @ 10mA,

BZV55B16 L1G

BZV55B16 L1G

भाग स्टॉक: 162

वोल्टेज - जेनर (Nom) (Vz): 16V, सहनशीलता: ±2%, शक्ति - मैक्स: 500mW, प्रतिबाधा (अधिकतम) (Zzt): 40 Ohms, करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr: 100nA @ 12V, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1V @ 100mA,