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ट्रांजिस्टर - द्विध्रुवी (BJT) - एकल

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  • ट्रांजिस्टर - द्विध्रुवी (BJT) - एकल
MJE802G
ON Semiconductor

MJE802G

भाग स्टॉक: 124162

ट्रांजिस्टर प्रकार: NPN - Darlington, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 4A, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 80V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 2.5V @ 30mA, 1.5A, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 100µA, डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 750 @ 1.5A, 3V,

इच्छा-सूची
MPSA12RLRP
ON Semiconductor

MPSA12RLRP

भाग स्टॉक: 6700

ट्रांजिस्टर प्रकार: NPN - Darlington, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 20V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 1V @ 10µA, 10mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 100nA (ICBO), डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 20000 @ 10mA, 5V,

इच्छा-सूची
MJL0302A
ON Semiconductor

MJL0302A

भाग स्टॉक: 6382

ट्रांजिस्टर प्रकार: PNP, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 15A, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 260V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 1V @ 500mA, 5A, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 10µA (ICBO), डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 75 @ 3A, 5V,

इच्छा-सूची
MJE271
ON Semiconductor

MJE271

भाग स्टॉक: 6411

ट्रांजिस्टर प्रकार: PNP - Darlington, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 2A, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 100V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 3V @ 1.2mA, 120mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 1mA, डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 1500 @ 120mA, 10V,

इच्छा-सूची
NJVMJD44H11T4G-VF01
ON Semiconductor

NJVMJD44H11T4G-VF01

भाग स्टॉक: 198847

ट्रांजिस्टर प्रकार: NPN, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 8A, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 80V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 1V @ 400mA, 8A, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 1µA, डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V,

इच्छा-सूची
P2N2907AZL1G
ON Semiconductor

P2N2907AZL1G

भाग स्टॉक: 6429

ट्रांजिस्टर प्रकार: PNP, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 600mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 60V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 1.6V @ 50mA, 500mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 10nA, डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V,

इच्छा-सूची
NSV12100UW3TCG
ON Semiconductor

NSV12100UW3TCG

भाग स्टॉक: 129179

ट्रांजिस्टर प्रकार: PNP, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 1A, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 12V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 440mV @ 100mA, 1A, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 100nA (ICBO), डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V,

इच्छा-सूची
MJD31CG
ON Semiconductor

MJD31CG

भाग स्टॉक: 152568

ट्रांजिस्टर प्रकार: NPN, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 3A, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 100V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 1.2V @ 375mA, 3A, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 50µA, डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V,

इच्छा-सूची
KSD1588OTU
ON Semiconductor

KSD1588OTU

भाग स्टॉक: 6116

ट्रांजिस्टर प्रकार: NPN, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 7A, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 60V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 500mV @ 500mA, 5A, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 10µA (ICBO), डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 80 @ 3A, 1V,

इच्छा-सूची
KSB708RTU
ON Semiconductor

KSB708RTU

भाग स्टॉक: 6144

ट्रांजिस्टर प्रकार: PNP, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 7A, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 80V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 500mV @ 500mA, 5A, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 10µA (ICBO), डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 40 @ 3A, 1V,

इच्छा-सूची
CPH3115-TL-E
ON Semiconductor

CPH3115-TL-E

भाग स्टॉक: 144891

ट्रांजिस्टर प्रकार: PNP, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 1.5A, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 30V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 375mV @ 15mA, 750mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 100nA (ICBO), डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V,

इच्छा-सूची
SBC857BWT1G
ON Semiconductor

SBC857BWT1G

भाग स्टॉक: 122331

ट्रांजिस्टर प्रकार: PNP, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 45V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 650mV @ 5mA, 100mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 15nA (ICBO), डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V,

इच्छा-सूची
TIP107TU
ON Semiconductor

TIP107TU

भाग स्टॉक: 79673

ट्रांजिस्टर प्रकार: PNP - Darlington, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 8A, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 100V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 2.5V @ 80mA, 8A, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 50µA, डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 1000 @ 3A, 4V,

इच्छा-सूची
MPS3702_D26Z
ON Semiconductor

MPS3702_D26Z

भाग स्टॉक: 6463

ट्रांजिस्टर प्रकार: PNP, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 800mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 25V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 250mV @ 5mA, 50mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 100nA (ICBO), डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 60 @ 50mA, 5V,

इच्छा-सूची
MPSA28RLRP
ON Semiconductor

MPSA28RLRP

भाग स्टॉक: 6385

ट्रांजिस्टर प्रकार: NPN - Darlington, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 500mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 80V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 1.5V @ 100µA, 100mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 500nA, डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 10000 @ 100mA, 5V,

इच्छा-सूची
MPS2222RLRA
ON Semiconductor

MPS2222RLRA

भाग स्टॉक: 6350

ट्रांजिस्टर प्रकार: NPN, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 600mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 30V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 1.6V @ 50mA, 500mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 10nA (ICBO), डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V,

इच्छा-सूची
MJF2955
ON Semiconductor

MJF2955

भाग स्टॉक: 6406

ट्रांजिस्टर प्रकार: PNP, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 10A, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 90V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 2.5V @ 3.3A, 10A, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 1µA, डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V,

इच्छा-सूची
MPS6513_D26Z
ON Semiconductor

MPS6513_D26Z

भाग स्टॉक: 6477

ट्रांजिस्टर प्रकार: NPN, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 200mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 30V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 500mV @ 5mA, 50mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 50nA (ICBO), डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 90 @ 2mA, 10V,

इच्छा-सूची
FJP5554
ON Semiconductor

FJP5554

भाग स्टॉक: 6448

ट्रांजिस्टर प्रकार: NPN, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 4A, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 400V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 1.5V @ 1A, 3.5A, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 250µA, डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 20 @ 800mA, 3V,

इच्छा-सूची
MPS750RLRA
ON Semiconductor

MPS750RLRA

भाग स्टॉक: 6357

ट्रांजिस्टर प्रकार: PNP, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 2A, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 40V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 500mV @ 200mA, 2A, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 100nA (ICBO), डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 75 @ 1A, 2V,

इच्छा-सूची
MPSA13G
ON Semiconductor

MPSA13G

भाग स्टॉक: 6442

ट्रांजिस्टर प्रकार: NPN - Darlington, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 500mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 30V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 1.5V @ 100µA, 100mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 100nA (ICBO), डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 10000 @ 100mA, 5V,

इच्छा-सूची
SBCP56-10T1G
ON Semiconductor

SBCP56-10T1G

भाग स्टॉक: 184982

ट्रांजिस्टर प्रकार: NPN, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 1A, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 80V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 500mV @ 50mA, 500mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 100nA (ICBO), डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V,

इच्छा-सूची
PN100_D26Z
ON Semiconductor

PN100_D26Z

भाग स्टॉक: 6587

ट्रांजिस्टर प्रकार: NPN, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 500mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 45V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 400mV @ 20mA, 200mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 50nA, डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 5V,

इच्छा-सूची
NJVMJD117T4G
ON Semiconductor

NJVMJD117T4G

भाग स्टॉक: 164623

ट्रांजिस्टर प्रकार: PNP - Darlington, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 2A, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 100V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 3V @ 40mA, 4A, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 20µA, डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V,

इच्छा-सूची
MPSA63G
ON Semiconductor

MPSA63G

भाग स्टॉक: 6383

ट्रांजिस्टर प्रकार: PNP - Darlington, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 500mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 30V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 1.5V @ 100µA, 100mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 100nA (ICBO), डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 10000 @ 100mA, 5V,

इच्छा-सूची
NSCT817-40LT1G
ON Semiconductor

NSCT817-40LT1G

भाग स्टॉक: 6397

ट्रांजिस्टर प्रकार: NPN, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 45V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 700mV @ 50mA, 500mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 100nA (ICBO), डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 1V,

इच्छा-सूची
MCH6101-TL-E
ON Semiconductor

MCH6101-TL-E

भाग स्टॉक: 101257

ट्रांजिस्टर प्रकार: PNP, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 1.5A, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 15V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 180mV @ 15mA, 750mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 100nA (ICBO), डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V,

इच्छा-सूची
MMBT6521LT1G
ON Semiconductor

MMBT6521LT1G

भाग स्टॉक: 164647

ट्रांजिस्टर प्रकार: NPN, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 25V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 500mV @ 5mA, 50mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 500nA (ICBO), डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 300 @ 2mA, 10V,

इच्छा-सूची
MJD2955-1G
ON Semiconductor

MJD2955-1G

भाग स्टॉक: 6406

ट्रांजिस्टर प्रकार: PNP, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 10A, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 60V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 8V @ 3.3A, 10A, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 50µA, डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V,

इच्छा-सूची
KSD1221OTU
ON Semiconductor

KSD1221OTU

भाग स्टॉक: 6728

ट्रांजिस्टर प्रकार: NPN, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 3A, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 60V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 1V @ 300mA, 3A, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 100µA (ICBO), डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 60 @ 500mA, 5V,

इच्छा-सूची
MMJT9435T3G
ON Semiconductor

MMJT9435T3G

भाग स्टॉक: 6367

ट्रांजिस्टर प्रकार: PNP, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 3A, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 30V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 550mV @ 300mA, 3A, डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 125 @ 800mA, 1V,

इच्छा-सूची
FJAF6808DTU
ON Semiconductor

FJAF6808DTU

भाग स्टॉक: 6615

ट्रांजिस्टर प्रकार: NPN, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 8A, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 750V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 5V @ 1.2A, 5A, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 1mA, डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 4.5 @ 5A, 5V,

इच्छा-सूची
MMBTA13_D87Z
ON Semiconductor

MMBTA13_D87Z

भाग स्टॉक: 6496

ट्रांजिस्टर प्रकार: NPN - Darlington, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 1.2A, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 30V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 1.5V @ 100µA, 100mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 100nA (ICBO), डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 10000 @ 100mA, 5V,

इच्छा-सूची
MPS6523_D26Z
ON Semiconductor

MPS6523_D26Z

भाग स्टॉक: 6530

ट्रांजिस्टर प्रकार: PNP, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 500mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 25V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 500mV @ 5mA, 50mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 50nA (ICBO), डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 300 @ 2mA, 10V,

इच्छा-सूची
NSCT3904LT3G
ON Semiconductor

NSCT3904LT3G

भाग स्टॉक: 6409

ट्रांजिस्टर प्रकार: NPN, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 200mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 40V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 300mV @ 5mA, 50mA, डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V,

इच्छा-सूची
MPS3702_D75Z
ON Semiconductor

MPS3702_D75Z

भाग स्टॉक: 6543

ट्रांजिस्टर प्रकार: PNP, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 800mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 25V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 250mV @ 5mA, 50mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 100nA (ICBO), डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 60 @ 50mA, 5V,

इच्छा-सूची