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Optoisolators - ट्रांजिस्टर, फोटोवोल्टिक आउटपुट Ou

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CNX38U3S
ON Semiconductor

CNX38U3S

भाग स्टॉक: 5395

चैनलों की संख्या: 1, वोल्टेज - अलगाव: 5300Vrms, वर्तमान स्थानांतरण अनुपात (न्यूनतम): 70% @ 10mA, वर्तमान स्थानांतरण अनुपात (अधिकतम): 210% @ 10mA, चालू / बंद समय (टाइप): 20µs, 20µs,

इच्छा-सूची
MCT210300W
ON Semiconductor

MCT210300W

भाग स्टॉक: 5473

चैनलों की संख्या: 1, वोल्टेज - अलगाव: 5300Vrms, वर्तमान स्थानांतरण अनुपात (न्यूनतम): 150% @ 10mA, चालू / बंद समय (टाइप): 1µs, 50µs, उदय / पतन का समय (प्रकार): 1µs, 11µs,

इच्छा-सूची
CNY172TM
ON Semiconductor

CNY172TM

भाग स्टॉक: 5334

चैनलों की संख्या: 1, वोल्टेज - अलगाव: 4170Vrms, वर्तमान स्थानांतरण अनुपात (न्यूनतम): 63% @ 10mA, वर्तमान स्थानांतरण अनुपात (अधिकतम): 125% @ 10mA, चालू / बंद समय (टाइप): 2µs, 3µs, उदय / पतन का समय (प्रकार): 4µs, 3.5µs (Max),

इच्छा-सूची
H11F2M
ON Semiconductor

H11F2M

भाग स्टॉक: 5388

चैनलों की संख्या: 1, वोल्टेज - अलगाव: 7500Vpk, चालू / बंद समय (टाइप): 45µs, 45µs (Max),

इच्छा-सूची
H11A5W
ON Semiconductor

H11A5W

भाग स्टॉक: 5285

चैनलों की संख्या: 1, वोल्टेज - अलगाव: 5300Vrms, वर्तमान स्थानांतरण अनुपात (न्यूनतम): 30% @ 10mA, चालू / बंद समय (टाइप): 2µs, 2µs,

इच्छा-सूची
H11AA814SD
ON Semiconductor

H11AA814SD

भाग स्टॉक: 5347

चैनलों की संख्या: 1, वोल्टेज - अलगाव: 5300Vrms, वर्तमान स्थानांतरण अनुपात (न्यूनतम): 20% @ 1mA, वर्तमान स्थानांतरण अनुपात (अधिकतम): 300% @ 1mA, उदय / पतन का समय (प्रकार): 2.4µs, 2.4µs,

इच्छा-सूची
HMA124R1V
ON Semiconductor

HMA124R1V

भाग स्टॉक: 5311

चैनलों की संख्या: 1, वोल्टेज - अलगाव: 3750Vrms, वर्तमान स्थानांतरण अनुपात (न्यूनतम): 100% @ 1mA, वर्तमान स्थानांतरण अनुपात (अधिकतम): 1200% @ 1mA, उदय / पतन का समय (प्रकार): 3µs, 3µs,

इच्छा-सूची
FOD2743CV
ON Semiconductor

FOD2743CV

भाग स्टॉक: 5433

चैनलों की संख्या: 1, वोल्टेज - अलगाव: 5000Vrms, वर्तमान स्थानांतरण अनुपात (न्यूनतम): 50% @ 1mA, वर्तमान स्थानांतरण अनुपात (अधिकतम): 100% @ 1mA,

इच्छा-सूची
MCT5200300W
ON Semiconductor

MCT5200300W

भाग स्टॉक: 5431

चैनलों की संख्या: 1, वोल्टेज - अलगाव: 5300Vrms, वर्तमान स्थानांतरण अनुपात (न्यूनतम): 75% @ 10mA, चालू / बंद समय (टाइप): 1.6µs, 18µs, उदय / पतन का समय (प्रकार): 1.3µs, 16µs,

इच्छा-सूची
FOD250LSD
ON Semiconductor

FOD250LSD

भाग स्टॉक: 5402

चैनलों की संख्या: 1, वोल्टेज - अलगाव: 5000Vrms, वर्तमान स्थानांतरण अनुपात (न्यूनतम): 15% @ 16mA, वर्तमान स्थानांतरण अनुपात (अधिकतम): 50% @ 16mA, चालू / बंद समय (टाइप): 1µs, 1µs (Max),

इच्छा-सूची
H11AA8143SD
ON Semiconductor

H11AA8143SD

भाग स्टॉक: 5436

चैनलों की संख्या: 1, वोल्टेज - अलगाव: 5300Vrms, वर्तमान स्थानांतरण अनुपात (न्यूनतम): 20% @ 1mA, वर्तमान स्थानांतरण अनुपात (अधिकतम): 300% @ 1mA, उदय / पतन का समय (प्रकार): 2.4µs, 2.4µs,

इच्छा-सूची
HMHA2801CR1V
ON Semiconductor

HMHA2801CR1V

भाग स्टॉक: 2556

चैनलों की संख्या: 1, वोल्टेज - अलगाव: 3750Vrms, वर्तमान स्थानांतरण अनुपात (न्यूनतम): 200% @ 5mA, वर्तमान स्थानांतरण अनुपात (अधिकतम): 400% @ 5mA, उदय / पतन का समय (प्रकार): 3µs, 3µs,

इच्छा-सूची
MOC8204300W
ON Semiconductor

MOC8204300W

भाग स्टॉक: 5536

चैनलों की संख्या: 1, वोल्टेज - अलगाव: 5300Vrms, वर्तमान स्थानांतरण अनुपात (न्यूनतम): 20% @ 10mA, चालू / बंद समय (टाइप): 5µs, 5µs,

इच्छा-सूची
HCPL2731M
ON Semiconductor

HCPL2731M

भाग स्टॉक: 67935

चैनलों की संख्या: 2, वोल्टेज - अलगाव: 5000Vrms, वर्तमान स्थानांतरण अनुपात (न्यूनतम): 500% @ 1.6mA,

इच्छा-सूची
FOD2742AR2
ON Semiconductor

FOD2742AR2

भाग स्टॉक: 5317

चैनलों की संख्या: 1, वोल्टेज - अलगाव: 2500Vrms, वर्तमान स्थानांतरण अनुपात (न्यूनतम): 100% @ 10mA, वर्तमान स्थानांतरण अनुपात (अधिकतम): 200% @ 10mA,

इच्छा-सूची
SL5500300
ON Semiconductor

SL5500300

भाग स्टॉक: 5390

चैनलों की संख्या: 1, वोल्टेज - अलगाव: 5300Vrms, वर्तमान स्थानांतरण अनुपात (न्यूनतम): 40% @ 10mA, वर्तमान स्थानांतरण अनुपात (अधिकतम): 300% @ 10mA, चालू / बंद समय (टाइप): 20µs, 50µs (Max),

इच्छा-सूची
FODM121ER2
ON Semiconductor

FODM121ER2

भाग स्टॉक: 5415

चैनलों की संख्या: 1, वोल्टेज - अलगाव: 3750Vrms, वर्तमान स्थानांतरण अनुपात (न्यूनतम): 50% @ 5mA, वर्तमान स्थानांतरण अनुपात (अधिकतम): 600% @ 5mA, उदय / पतन का समय (प्रकार): 3µs, 3µs,

इच्छा-सूची
H11A1SD
ON Semiconductor

H11A1SD

भाग स्टॉक: 5346

चैनलों की संख्या: 1, वोल्टेज - अलगाव: 5300Vrms, वर्तमान स्थानांतरण अनुपात (न्यूनतम): 50% @ 10mA, चालू / बंद समय (टाइप): 2µs, 2µs,

इच्छा-सूची
H11AA1TM
ON Semiconductor

H11AA1TM

भाग स्टॉक: 5362

चैनलों की संख्या: 1, वोल्टेज - अलगाव: 4170Vrms, वर्तमान स्थानांतरण अनुपात (न्यूनतम): 20% @ 10mA,

इच्छा-सूची
H11B815SD
ON Semiconductor

H11B815SD

भाग स्टॉक: 5329

चैनलों की संख्या: 1, वोल्टेज - अलगाव: 5000Vrms, वर्तमान स्थानांतरण अनुपात (न्यूनतम): 600% @ 1mA, वर्तमान स्थानांतरण अनुपात (अधिकतम): 7500% @ 1mA, उदय / पतन का समय (प्रकार): 300µs, 250µs (Max),

इच्छा-सूची
H11G3TM
ON Semiconductor

H11G3TM

भाग स्टॉक: 5397

चैनलों की संख्या: 1, वोल्टेज - अलगाव: 7500Vpk, वर्तमान स्थानांतरण अनुपात (न्यूनतम): 200% @ 1mA, चालू / बंद समय (टाइप): 5µs, 100µs,

इच्छा-सूची
H11A817D300
ON Semiconductor

H11A817D300

भाग स्टॉक: 5274

चैनलों की संख्या: 1, वोल्टेज - अलगाव: 5300Vrms, वर्तमान स्थानांतरण अनुपात (न्यूनतम): 300% @ 5mA, वर्तमान स्थानांतरण अनुपात (अधिकतम): 600% @ 5mA, उदय / पतन का समय (प्रकार): 2.4µs, 2.4µs,

इच्छा-सूची
CNY1723SD
ON Semiconductor

CNY1723SD

भाग स्टॉक: 5339

चैनलों की संख्या: 1, वोल्टेज - अलगाव: 5300Vrms, वर्तमान स्थानांतरण अनुपात (न्यूनतम): 63% @ 10mA, वर्तमान स्थानांतरण अनुपात (अधिकतम): 125% @ 10mA, चालू / बंद समय (टाइप): 2µs, 3µs, उदय / पतन का समय (प्रकार): 1µs, 2µs,

इच्छा-सूची
H11G1300W
ON Semiconductor

H11G1300W

भाग स्टॉक: 5423

चैनलों की संख्या: 1, वोल्टेज - अलगाव: 5300Vrms, वर्तमान स्थानांतरण अनुपात (न्यूनतम): 1000% @ 10mA, चालू / बंद समय (टाइप): 5µs, 100µs,

इच्छा-सूची
H11B815300
ON Semiconductor

H11B815300

भाग स्टॉक: 5424

चैनलों की संख्या: 1, वोल्टेज - अलगाव: 5000Vrms, वर्तमान स्थानांतरण अनुपात (न्यूनतम): 600% @ 1mA, वर्तमान स्थानांतरण अनुपात (अधिकतम): 7500% @ 1mA, उदय / पतन का समय (प्रकार): 300µs, 250µs (Max),

इच्छा-सूची
H11A817AS
ON Semiconductor

H11A817AS

भाग स्टॉक: 5394

चैनलों की संख्या: 1, वोल्टेज - अलगाव: 5300Vrms, वर्तमान स्थानांतरण अनुपात (न्यूनतम): 80% @ 5mA, वर्तमान स्थानांतरण अनुपात (अधिकतम): 160% @ 5mA, उदय / पतन का समय (प्रकार): 2.4µs, 2.4µs,

इच्छा-सूची
H11AA2TM
ON Semiconductor

H11AA2TM

भाग स्टॉक: 5314

चैनलों की संख्या: 1, वोल्टेज - अलगाव: 7500Vpk, वर्तमान स्थानांतरण अनुपात (न्यूनतम): 10% @ 10mA,

इच्छा-सूची
FOD617D3S
ON Semiconductor

FOD617D3S

भाग स्टॉक: 5513

चैनलों की संख्या: 1, वोल्टेज - अलगाव: 5000Vrms, वर्तमान स्थानांतरण अनुपात (न्यूनतम): 160% @ 10mA, वर्तमान स्थानांतरण अनुपात (अधिकतम): 320% @ 10mA, उदय / पतन का समय (प्रकार): 4µs, 3µs,

इच्छा-सूची
MCT2ETVM
ON Semiconductor

MCT2ETVM

भाग स्टॉक: 5500

चैनलों की संख्या: 1, वोल्टेज - अलगाव: 7500Vpk, वर्तमान स्थानांतरण अनुपात (न्यूनतम): 20% @ 10mA, चालू / बंद समय (टाइप): 2µs, 2µs, उदय / पतन का समय (प्रकार): 2µs, 1.5µs,

इच्छा-सूची
H11F2SD
ON Semiconductor

H11F2SD

भाग स्टॉक: 5508

चैनलों की संख्या: 1, वोल्टेज - अलगाव: 5300Vrms, चालू / बंद समय (टाइप): 25µs, 25µs (Max),

इच्छा-सूची
FOD817X_5699W
ON Semiconductor

FOD817X_5699W

भाग स्टॉक: 2555

चैनलों की संख्या: 1, वोल्टेज - अलगाव: 5000Vrms, वर्तमान स्थानांतरण अनुपात (न्यूनतम): 50% @ 5mA, वर्तमान स्थानांतरण अनुपात (अधिकतम): 600% @ 5mA, उदय / पतन का समय (प्रकार): 4µs, 3µs,

इच्छा-सूची
CNX48U3SD
ON Semiconductor

CNX48U3SD

भाग स्टॉक: 5508

चैनलों की संख्या: 1, वोल्टेज - अलगाव: 5300Vrms, वर्तमान स्थानांतरण अनुपात (न्यूनतम): 350% @ 500µA, चालू / बंद समय (टाइप): 3.5µs, 36µs,

इच्छा-सूची
TIL117FM
ON Semiconductor

TIL117FM

भाग स्टॉक: 5514

चैनलों की संख्या: 1, वोल्टेज - अलगाव: 7500Vpk, वर्तमान स्थानांतरण अनुपात (न्यूनतम): 50% @ 10mA, चालू / बंद समय (टाइप): 10µs, 10µs (Max), उदय / पतन का समय (प्रकार): 2µs, 2µs,

इच्छा-सूची
FOD815300W
ON Semiconductor

FOD815300W

भाग स्टॉक: 5371

चैनलों की संख्या: 1, वोल्टेज - अलगाव: 5000Vrms, वर्तमान स्थानांतरण अनुपात (न्यूनतम): 600% @ 1mA, वर्तमान स्थानांतरण अनुपात (अधिकतम): 7500% @ 1mA, उदय / पतन का समय (प्रकार): 60µs, 53µs,

इच्छा-सूची
H11B3W
ON Semiconductor

H11B3W

भाग स्टॉक: 5416

चैनलों की संख्या: 1, वोल्टेज - अलगाव: 5300Vrms, वर्तमान स्थानांतरण अनुपात (न्यूनतम): 100% @ 1mA, चालू / बंद समय (टाइप): 25µs, 18µs,

इच्छा-सूची
MOC81063SR2
ON Semiconductor

MOC81063SR2

भाग स्टॉक: 5369

चैनलों की संख्या: 1, वोल्टेज - अलगाव: 5300Vrms, वर्तमान स्थानांतरण अनुपात (न्यूनतम): 50% @ 10mA, वर्तमान स्थानांतरण अनुपात (अधिकतम): 150% @ 10mA, चालू / बंद समय (टाइप): 2µs, 3µs, उदय / पतन का समय (प्रकार): 1µs, 2µs,

इच्छा-सूची