ट्रांजिस्टर - बाइपोलर (BJT) - सिंगल, प्री-बायस्ड

SMMUN2216LT1G

SMMUN2216LT1G

भाग स्टॉक: 151789

ट्रांजिस्टर प्रकार: NPN - Pre-Biased, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, रोकनेवाला - आधार (R1): 4.7 kOhms, डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V,

DTC123EM3T5G

DTC123EM3T5G

भाग स्टॉक: 192578

ट्रांजिस्टर प्रकार: NPN - Pre-Biased, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, रोकनेवाला - आधार (R1): 2.2 kOhms, रोकनेवाला - एमिटर बेस (R2): 2.2 kOhms, डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 8 @ 5mA, 10V,

MUN5232T1

MUN5232T1

भाग स्टॉक: 2015

ट्रांजिस्टर प्रकार: NPN - Pre-Biased, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, रोकनेवाला - आधार (R1): 4.7 kOhms, रोकनेवाला - एमिटर बेस (R2): 4.7 kOhms, डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 15 @ 5mA, 10V,

NSVDTA113EM3T5G

NSVDTA113EM3T5G

भाग स्टॉक: 194382

ट्रांजिस्टर प्रकार: PNP - Pre-Biased, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, रोकनेवाला - आधार (R1): 1 kOhms, रोकनेवाला - एमिटर बेस (R2): 1 kOhms, डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 3 @ 5mA, 10V,

NSBA124EF3T5G

NSBA124EF3T5G

भाग स्टॉक: 122944

ट्रांजिस्टर प्रकार: PNP - Pre-Biased, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, रोकनेवाला - आधार (R1): 22 kOhms, रोकनेवाला - एमिटर बेस (R2): 22 kOhms, डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V,

NSVDTC123JM3T5G

NSVDTC123JM3T5G

भाग स्टॉक: 21685

ट्रांजिस्टर प्रकार: NPN - Pre-Biased, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, रोकनेवाला - आधार (R1): 2.2 kOhms, रोकनेवाला - एमिटर बेस (R2): 47 kOhms, डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

NSBA114EF3T5G

NSBA114EF3T5G

भाग स्टॉक: 186160

ट्रांजिस्टर प्रकार: PNP - Pre-Biased, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, रोकनेवाला - आधार (R1): 10 kOhms, रोकनेवाला - एमिटर बेस (R2): 10 kOhms, डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V,

FJX4004RTF

FJX4004RTF

भाग स्टॉक: 2027

ट्रांजिस्टर प्रकार: PNP - Pre-Biased, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, रोकनेवाला - आधार (R1): 47 kOhms, रोकनेवाला - एमिटर बेस (R2): 47 kOhms, डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V,

DTC114EM3T5G

DTC114EM3T5G

भाग स्टॉक: 124245

ट्रांजिस्टर प्रकार: NPN - Pre-Biased, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, रोकनेवाला - आधार (R1): 10 kOhms, रोकनेवाला - एमिटर बेस (R2): 10 kOhms, डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V,

FJV3107RMTF

FJV3107RMTF

भाग स्टॉक: 2014

ट्रांजिस्टर प्रकार: NPN - Pre-Biased, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, रोकनेवाला - आधार (R1): 22 kOhms, रोकनेवाला - एमिटर बेस (R2): 47 kOhms, डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V,

MUN2133T1

MUN2133T1

भाग स्टॉक: 1930

ट्रांजिस्टर प्रकार: PNP - Pre-Biased, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, रोकनेवाला - आधार (R1): 4.7 kOhms, रोकनेवाला - एमिटर बेस (R2): 47 kOhms, डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

NSVMUN5237T1G

NSVMUN5237T1G

भाग स्टॉक: 181095

NSBA113EF3T5G

NSBA113EF3T5G

भाग स्टॉक: 117274

ट्रांजिस्टर प्रकार: PNP - Pre-Biased, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, रोकनेवाला - आधार (R1): 1 kOhms, रोकनेवाला - एमिटर बेस (R2): 1 kOhms, डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 3 @ 5mA, 10V,

MUN2211JT1

MUN2211JT1

भाग स्टॉक: 1923

ट्रांजिस्टर प्रकार: NPN - Pre-Biased, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, रोकनेवाला - आधार (R1): 10 kOhms, रोकनेवाला - एमिटर बेस (R2): 10 kOhms, डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V,

MUN2236T1

MUN2236T1

भाग स्टॉक: 3292

ट्रांजिस्टर प्रकार: NPN - Pre-Biased, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, रोकनेवाला - आधार (R1): 100 kOhms, रोकनेवाला - एमिटर बेस (R2): 100 kOhms, डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

SDTC144EET1G

SDTC144EET1G

भाग स्टॉक: 137286

ट्रांजिस्टर प्रकार: NPN - Pre-Biased, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, रोकनेवाला - आधार (R1): 47 kOhms, रोकनेवाला - एमिटर बेस (R2): 47 kOhms, डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

SMUN2113T1G

SMUN2113T1G

भाग स्टॉक: 112312

ट्रांजिस्टर प्रकार: PNP - Pre-Biased, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, रोकनेवाला - आधार (R1): 47 kOhms, रोकनेवाला - एमिटर बेस (R2): 47 kOhms, डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

SMUN5233T1G

SMUN5233T1G

भाग स्टॉक: 184821

ट्रांजिस्टर प्रकार: NPN - Pre-Biased, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, रोकनेवाला - आधार (R1): 4.7 kOhms, रोकनेवाला - एमिटर बेस (R2): 47 kOhms, डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

MUN5234T1

MUN5234T1

भाग स्टॉक: 1930

ट्रांजिस्टर प्रकार: NPN - Pre-Biased, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, रोकनेवाला - आधार (R1): 22 kOhms, रोकनेवाला - एमिटर बेस (R2): 47 kOhms, डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

SMUN5213T1G

SMUN5213T1G

भाग स्टॉक: 168586

ट्रांजिस्टर प्रकार: NPN - Pre-Biased, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, रोकनेवाला - आधार (R1): 47 kOhms, रोकनेवाला - एमिटर बेस (R2): 47 kOhms, डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

NSVDTC143ZET1G

NSVDTC143ZET1G

भाग स्टॉक: 155329

ट्रांजिस्टर प्रकार: NPN - Pre-Biased, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, रोकनेवाला - आधार (R1): 4.7 kOhms, रोकनेवाला - एमिटर बेस (R2): 47 kOhms, डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

DTC143ZM3T5G

DTC143ZM3T5G

भाग स्टॉक: 180227

ट्रांजिस्टर प्रकार: NPN - Pre-Biased, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, रोकनेवाला - आधार (R1): 4.7 kOhms, रोकनेवाला - एमिटर बेस (R2): 47 kOhms, डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

NSVDTA143EM3T5G

NSVDTA143EM3T5G

भाग स्टॉक: 189405

ट्रांजिस्टर प्रकार: PNP - Pre-Biased, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, रोकनेवाला - आधार (R1): 4.7 kOhms, रोकनेवाला - एमिटर बेस (R2): 4.7 kOhms, डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 15 @ 5mA, 10V,

FJY4002R

FJY4002R

भाग स्टॉक: 119045

ट्रांजिस्टर प्रकार: PNP - Pre-Biased, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, रोकनेवाला - आधार (R1): 10 kOhms, रोकनेवाला - एमिटर बेस (R2): 10 kOhms, डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V,

SMUN5112T1G

SMUN5112T1G

भाग स्टॉक: 138503

ट्रांजिस्टर प्रकार: PNP - Pre-Biased, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, रोकनेवाला - आधार (R1): 22 kOhms, रोकनेवाला - एमिटर बेस (R2): 22 kOhms, डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V,

MUN5131T1

MUN5131T1

भाग स्टॉक: 2009

ट्रांजिस्टर प्रकार: PNP - Pre-Biased, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, रोकनेवाला - आधार (R1): 2.2 kOhms, रोकनेवाला - एमिटर बेस (R2): 2.2 kOhms, डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 8 @ 5mA, 10V,

SDTC114EET1G

SDTC114EET1G

भाग स्टॉक: 108480

ट्रांजिस्टर प्रकार: NPN - Pre-Biased, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, रोकनेवाला - आधार (R1): 10 kOhms, रोकनेवाला - एमिटर बेस (R2): 10 kOhms, डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V,

FJV3104RMTF

FJV3104RMTF

भाग स्टॉक: 193521

ट्रांजिस्टर प्रकार: NPN - Pre-Biased, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, रोकनेवाला - आधार (R1): 47 kOhms, रोकनेवाला - एमिटर बेस (R2): 47 kOhms, डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V,

SMUN5235T1G

SMUN5235T1G

भाग स्टॉक: 100190

ट्रांजिस्टर प्रकार: NPN - Pre-Biased, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, रोकनेवाला - आधार (R1): 2.2 kOhms, रोकनेवाला - एमिटर बेस (R2): 47 kOhms, डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

FJX3004RTF

FJX3004RTF

भाग स्टॉक: 3264

ट्रांजिस्टर प्रकार: NPN - Pre-Biased, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, रोकनेवाला - आधार (R1): 47 kOhms, रोकनेवाला - एमिटर बेस (R2): 47 kOhms, डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V,

MUN2212T1G

MUN2212T1G

भाग स्टॉक: 196583

ट्रांजिस्टर प्रकार: NPN - Pre-Biased, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, रोकनेवाला - आधार (R1): 22 kOhms, रोकनेवाला - एमिटर बेस (R2): 22 kOhms, डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V,

FJX3007RTF

FJX3007RTF

भाग स्टॉक: 120815

ट्रांजिस्टर प्रकार: NPN - Pre-Biased, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, रोकनेवाला - आधार (R1): 22 kOhms, रोकनेवाला - एमिटर बेस (R2): 47 kOhms, डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V,

MMUN2216LT1

MMUN2216LT1

भाग स्टॉक: 1965

ट्रांजिस्टर प्रकार: NPN - Pre-Biased, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, रोकनेवाला - आधार (R1): 4.7 kOhms, डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V,

MUN2231T1

MUN2231T1

भाग स्टॉक: 2074

ट्रांजिस्टर प्रकार: NPN - Pre-Biased, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, रोकनेवाला - आधार (R1): 2.2 kOhms, रोकनेवाला - एमिटर बेस (R2): 2.2 kOhms, डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 8 @ 5mA, 10V,

DTC123TM3T5G

DTC123TM3T5G

भाग स्टॉक: 133094

ट्रांजिस्टर प्रकार: NPN - Pre-Biased, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, रोकनेवाला - आधार (R1): 2.2 kOhms, डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V,

MUN2213JT1

MUN2213JT1

भाग स्टॉक: 1916

ट्रांजिस्टर प्रकार: NPN - Pre-Biased, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, रोकनेवाला - आधार (R1): 47 kOhms, रोकनेवाला - एमिटर बेस (R2): 47 kOhms, डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,