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ट्रांजिस्टर - FETs, MOSFETs - सिंगल

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NTTFS4824NTWG
ON Semiconductor

NTTFS4824NTWG

भाग स्टॉक: 716

एफईटी प्रकार: N-Channel, प्रौद्योगिकी: MOSFET (Metal Oxide), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 30V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 8.3A (Ta), 69A (Tc), ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडी चालू, न्यूनतम आरडी चालू): 4.5V, 11.5V, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 5 mOhm @ 20A, 10V,

इच्छा-सूची
FDS6688AS
ON Semiconductor

FDS6688AS

भाग स्टॉक: 613

एफईटी प्रकार: N-Channel, प्रौद्योगिकी: MOSFET (Metal Oxide), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 30V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 14.5A (Ta), ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडी चालू, न्यूनतम आरडी चालू): 4.5V, 10V, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 6 mOhm @ 14.5A, 10V,

इच्छा-सूची
FDD6778A
ON Semiconductor

FDD6778A

भाग स्टॉक: 638

एफईटी प्रकार: N-Channel, प्रौद्योगिकी: MOSFET (Metal Oxide), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 25V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 10A (Tc), ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडी चालू, न्यूनतम आरडी चालू): 4.5V, 10V, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 14 mOhm @ 10A, 10V,

इच्छा-सूची
NTB5412NT4G
ON Semiconductor

NTB5412NT4G

भाग स्टॉक: 6085

एफईटी प्रकार: N-Channel, प्रौद्योगिकी: MOSFET (Metal Oxide), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 60V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 60A (Tc), ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडी चालू, न्यूनतम आरडी चालू): 10V, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 14 mOhm @ 30A, 10V,

इच्छा-सूची
MMDF3N02HDR2G
ON Semiconductor

MMDF3N02HDR2G

भाग स्टॉक: 838

एफईटी प्रकार: N-Channel, प्रौद्योगिकी: MOSFET (Metal Oxide), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 20V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta), ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडी चालू, न्यूनतम आरडी चालू): 4.5V, 10V, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 90 mOhm @ 3A, 10V,

इच्छा-सूची
FDD7030BL
ON Semiconductor

FDD7030BL

भाग स्टॉक: 617

एफईटी प्रकार: N-Channel, प्रौद्योगिकी: MOSFET (Metal Oxide), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 30V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 56A (Tc), ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडी चालू, न्यूनतम आरडी चालू): 4.5V, 10V, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 9.5 mOhm @ 14A, 10V,

इच्छा-सूची
FQD4N50TM_WS
ON Semiconductor

FQD4N50TM_WS

भाग स्टॉक: 570

एफईटी प्रकार: N-Channel, प्रौद्योगिकी: MOSFET (Metal Oxide), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 500V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 2.6A (Tc), ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडी चालू, न्यूनतम आरडी चालू): 10V, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 2.7 Ohm @ 1.3A, 10V,

इच्छा-सूची
FDI025N06
ON Semiconductor

FDI025N06

भाग स्टॉक: 624

एफईटी प्रकार: N-Channel, प्रौद्योगिकी: MOSFET (Metal Oxide), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 60V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 265A (Tc), ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडी चालू, न्यूनतम आरडी चालू): 10V, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 2.5 mOhm @ 75A, 10V,

इच्छा-सूची
MTB30P06VT4G
ON Semiconductor

MTB30P06VT4G

भाग स्टॉक: 600

एफईटी प्रकार: P-Channel, प्रौद्योगिकी: MOSFET (Metal Oxide), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 60V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 30A (Tc), ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडी चालू, न्यूनतम आरडी चालू): 10V, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 80 mOhm @ 15A, 10V,

इच्छा-सूची
FDP8870-F085
ON Semiconductor

FDP8870-F085

भाग स्टॉक: 581

एफईटी प्रकार: N-Channel, प्रौद्योगिकी: MOSFET (Metal Oxide), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 30V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 156A (Tc), ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडी चालू, न्यूनतम आरडी चालू): 4.5V, 10V, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 4.1 mOhm @ 35A, 10V,

इच्छा-सूची
NTD70N03RT4G
ON Semiconductor

NTD70N03RT4G

भाग स्टॉक: 892

एफईटी प्रकार: N-Channel, प्रौद्योगिकी: MOSFET (Metal Oxide), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 25V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 32A (Tc), ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडी चालू, न्यूनतम आरडी चालू): 4.5V, 10V, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 8 mOhm @ 20A, 10V,

इच्छा-सूची
NTB75N06T4G
ON Semiconductor

NTB75N06T4G

भाग स्टॉक: 839

एफईटी प्रकार: N-Channel, प्रौद्योगिकी: MOSFET (Metal Oxide), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 60V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 75A (Ta), ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडी चालू, न्यूनतम आरडी चालू): 10V, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 9.5 mOhm @ 37.5A, 10V,

इच्छा-सूची
SCH2825-TL-E
ON Semiconductor

SCH2825-TL-E

भाग स्टॉक: 150222

एफईटी प्रकार: N-Channel, प्रौद्योगिकी: MOSFET (Metal Oxide), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 30V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta), ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडी चालू, न्यूनतम आरडी चालू): 4V, 10V, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 180 mOhm @ 800mA, 10V,

इच्छा-सूची
FDT55AN06LA0
ON Semiconductor

FDT55AN06LA0

भाग स्टॉक: 579

एफईटी प्रकार: N-Channel, प्रौद्योगिकी: MOSFET (Metal Oxide), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 60V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 12.1A (Tc), ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडी चालू, न्यूनतम आरडी चालू): 5V, 10V, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 46 mOhm @ 11A, 10V,

इच्छा-सूची
NILMS4501NR2G
ON Semiconductor

NILMS4501NR2G

भाग स्टॉक: 848

एफईटी प्रकार: N-Channel, प्रौद्योगिकी: MOSFET (Metal Oxide), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 24V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta), ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडी चालू, न्यूनतम आरडी चालू): 10V, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 13 mOhm @ 6A, 10V,

इच्छा-सूची
FQD5N60CTM_F080
ON Semiconductor

FQD5N60CTM_F080

भाग स्टॉक: 647

एफईटी प्रकार: N-Channel, प्रौद्योगिकी: MOSFET (Metal Oxide), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 600V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 2.8A (Tc), ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडी चालू, न्यूनतम आरडी चालू): 10V, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 2.5 Ohm @ 1.4A, 10V,

इच्छा-सूची
IRFR120ATM
ON Semiconductor

IRFR120ATM

भाग स्टॉक: 712

एफईटी प्रकार: N-Channel, प्रौद्योगिकी: MOSFET (Metal Oxide), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 100V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 8.4A (Tc), ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडी चालू, न्यूनतम आरडी चालू): 10V, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 200 mOhm @ 4.2A, 10V,

इच्छा-सूची
FD70N20PWD
ON Semiconductor

FD70N20PWD

भाग स्टॉक: 612

एफईटी प्रकार: N-Channel, प्रौद्योगिकी: MOSFET (Metal Oxide), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 200V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 70A (Ta),

इच्छा-सूची
FQD2N60CTF_F080
ON Semiconductor

FQD2N60CTF_F080

भाग स्टॉक: 714

एफईटी प्रकार: N-Channel, प्रौद्योगिकी: MOSFET (Metal Oxide), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 600V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 1.9A (Tc), ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडी चालू, न्यूनतम आरडी चालू): 10V, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 4.7 Ohm @ 950mA, 10V,

इच्छा-सूची
SSH70N10A
ON Semiconductor

SSH70N10A

भाग स्टॉक: 739

एफईटी प्रकार: N-Channel, प्रौद्योगिकी: MOSFET (Metal Oxide), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 100V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 70A (Tc), ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडी चालू, न्यूनतम आरडी चालू): 10V, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 23 mOhm @ 35A, 10V,

इच्छा-सूची
SSP45N20B_FP001
ON Semiconductor

SSP45N20B_FP001

भाग स्टॉक: 789

एफईटी प्रकार: N-Channel, प्रौद्योगिकी: MOSFET (Metal Oxide), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 200V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 35A (Tc), ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडी चालू, न्यूनतम आरडी चालू): 10V, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 65 mOhm @ 17.5A, 10V,

इच्छा-सूची
FQU6N40CTU_NBEA001
ON Semiconductor

FQU6N40CTU_NBEA001

भाग स्टॉक: 624

एफईटी प्रकार: N-Channel, प्रौद्योगिकी: MOSFET (Metal Oxide), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 400V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc), ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडी चालू, न्यूनतम आरडी चालू): 10V, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 1 Ohm @ 2.25A, 10V,

इच्छा-सूची
FDD16AN08A0_NF054
ON Semiconductor

FDD16AN08A0_NF054

भाग स्टॉक: 623

एफईटी प्रकार: N-Channel, प्रौद्योगिकी: MOSFET (Metal Oxide), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 75V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 50A (Tc), ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडी चालू, न्यूनतम आरडी चालू): 6V, 10V, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 16 mOhm @ 50A, 10V,

इच्छा-सूची
NTD4804NAT4G
ON Semiconductor

NTD4804NAT4G

भाग स्टॉक: 586

एफईटी प्रकार: N-Channel, प्रौद्योगिकी: MOSFET (Metal Oxide), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 30V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 14.5A (Ta), 124A (Tc), ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडी चालू, न्यूनतम आरडी चालू): 4.5V, 11.5V, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 4 mOhm @ 30A, 10V,

इच्छा-सूची
FQA6N80_F109
ON Semiconductor

FQA6N80_F109

भाग स्टॉक: 664

एफईटी प्रकार: N-Channel, प्रौद्योगिकी: MOSFET (Metal Oxide), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 800V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 6.3A (Tc), ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडी चालू, न्यूनतम आरडी चालू): 10V, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 1.95 Ohm @ 3.15A, 10V,

इच्छा-सूची
FDP15N65
ON Semiconductor

FDP15N65

भाग स्टॉक: 6152

एफईटी प्रकार: N-Channel, प्रौद्योगिकी: MOSFET (Metal Oxide), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 650V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 15A (Tc), ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडी चालू, न्यूनतम आरडी चालू): 10V, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 440 mOhm @ 7.5A, 10V,

इच्छा-सूची
NTK3043NAT5G
ON Semiconductor

NTK3043NAT5G

भाग स्टॉक: 635

एफईटी प्रकार: N-Channel, प्रौद्योगिकी: MOSFET (Metal Oxide), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 20V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 210mA (Ta), ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडी चालू, न्यूनतम आरडी चालू): 1.65V, 4.5V, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 3.4 Ohm @ 10mA, 4.5V,

इच्छा-सूची
MTP20N15EG
ON Semiconductor

MTP20N15EG

भाग स्टॉक: 725

एफईटी प्रकार: N-Channel, प्रौद्योगिकी: MOSFET (Metal Oxide), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 150V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 20A (Tc), ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडी चालू, न्यूनतम आरडी चालू): 10V, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 130 mOhm @ 10A, 10V,

इच्छा-सूची
NTD12N10T4G
ON Semiconductor

NTD12N10T4G

भाग स्टॉक: 895

एफईटी प्रकार: N-Channel, प्रौद्योगिकी: MOSFET (Metal Oxide), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 100V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 12A (Ta), ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडी चालू, न्यूनतम आरडी चालू): 10V, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 165 mOhm @ 6A, 10V,

इच्छा-सूची
NTD5414NT4G
ON Semiconductor

NTD5414NT4G

भाग स्टॉक: 670

एफईटी प्रकार: N-Channel, प्रौद्योगिकी: MOSFET (Metal Oxide), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 60V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 24A (Ta), ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडी चालू, न्यूनतम आरडी चालू): 10V, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 37 mOhm @ 24A, 10V,

इच्छा-सूची
FQD2P40TF_F080
ON Semiconductor

FQD2P40TF_F080

भाग स्टॉक: 681

एफईटी प्रकार: P-Channel, प्रौद्योगिकी: MOSFET (Metal Oxide), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 400V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 1.56A (Tc), ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडी चालू, न्यूनतम आरडी चालू): 10V, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 6.5 Ohm @ 780mA, 10V,

इच्छा-सूची
NTLJS3180PZTAG
ON Semiconductor

NTLJS3180PZTAG

भाग स्टॉक: 643

एफईटी प्रकार: P-Channel, प्रौद्योगिकी: MOSFET (Metal Oxide), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 20V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta), ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडी चालू, न्यूनतम आरडी चालू): 1.5V, 4.5V, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 38 mOhm @ 3A, 4.5V,

इच्छा-सूची
NTD4810NT4G
ON Semiconductor

NTD4810NT4G

भाग स्टॉक: 850

एफईटी प्रकार: N-Channel, प्रौद्योगिकी: MOSFET (Metal Oxide), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 30V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 54A (Tc), ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडी चालू, न्यूनतम आरडी चालू): 4.5V, 11.5V, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 10 mOhm @ 30A, 10V,

इच्छा-सूची
NTMFS4845NT3G
ON Semiconductor

NTMFS4845NT3G

भाग स्टॉक: 598

एफईटी प्रकार: N-Channel, प्रौद्योगिकी: MOSFET (Metal Oxide), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 30V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 13.7A (Ta), 115A (Tc), ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडी चालू, न्यूनतम आरडी चालू): 4.5V, 10V, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 2.9 mOhm @ 30A, 10V,

इच्छा-सूची
NTHS5441PT1G
ON Semiconductor

NTHS5441PT1G

भाग स्टॉक: 626

एफईटी प्रकार: P-Channel, प्रौद्योगिकी: MOSFET (Metal Oxide), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 20V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 3.9A (Ta), आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 46 mOhm @ 3.9A, 4.5V,

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SFH9240
ON Semiconductor

SFH9240

भाग स्टॉक: 630

एफईटी प्रकार: P-Channel, प्रौद्योगिकी: MOSFET (Metal Oxide), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 200V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 11A (Tc), ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडी चालू, न्यूनतम आरडी चालू): 10V, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 500 mOhm @ 5.5A, 10V,

इच्छा-सूची