ट्रांजिस्टर - FETs, MOSFETs - सिंगल

5HN01C-TB-EX

भाग स्टॉक: 2210

5HP01M-TL-H

भाग स्टॉक: 110639

एफईटी प्रकार: P-Channel, प्रौद्योगिकी: MOSFET (Metal Oxide), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 50V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 70mA (Ta), ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडी चालू, न्यूनतम आरडी चालू): 4V, 10V, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 22 Ohm @ 40mA, 10V,

5LN01M-TL-H

भाग स्टॉक: 114622

एफईटी प्रकार: N-Channel, प्रौद्योगिकी: MOSFET (Metal Oxide), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 50V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 100mA (Ta), ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडी चालू, न्यूनतम आरडी चालू): 1.5V, 4V, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 7.8 Ohm @ 50mA, 4V,

5HP01S-TL-E

भाग स्टॉक: 1973

5HP01SS-TL-E

भाग स्टॉक: 142336

5HP01SS-TL-H

भाग स्टॉक: 108914

5HP01C-TB-H

भाग स्टॉक: 157648

5HP01M-TL-E

भाग स्टॉक: 1963

एफईटी प्रकार: P-Channel, प्रौद्योगिकी: MOSFET (Metal Oxide), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 50V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 70mA (Ta), ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडी चालू, न्यूनतम आरडी चालू): 4V, 10V, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 22 Ohm @ 40mA, 10V,

5HN01S-TL-E

भाग स्टॉक: 1979

5HP01C-TB-E

भाग स्टॉक: 6246

5HN01SS-TL-H

भाग स्टॉक: 146833

5HN01SS-TL-E

भाग स्टॉक: 154338

5HN01M-TL-E

भाग स्टॉक: 1932

एफईटी प्रकार: N-Channel, प्रौद्योगिकी: MOSFET (Metal Oxide), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 50V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 100mA (Ta), ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडी चालू, न्यूनतम आरडी चालू): 4V, 10V, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 7.5 Ohm @ 50mA, 10V,

5HN01M-TL-H

भाग स्टॉक: 102036

एफईटी प्रकार: N-Channel, प्रौद्योगिकी: MOSFET (Metal Oxide), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 50V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 100mA (Ta), ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडी चालू, न्यूनतम आरडी चालू): 4V, 10V, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 7.5 Ohm @ 50mA, 10V,

5HN01C-TB-H

भाग स्टॉक: 147399

5HN01C-TB-E

भाग स्टॉक: 176441

5LN01SP-AC

भाग स्टॉक: 6260

एफईटी प्रकार: N-Channel, प्रौद्योगिकी: MOSFET (Metal Oxide), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 50V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 100mA (Ta), ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडी चालू, न्यूनतम आरडी चालू): 1.5V, 4V, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 7.8 Ohm @ 50mA, 4V,

5LN01C-TB-E

भाग स्टॉक: 128226

एफईटी प्रकार: N-Channel, प्रौद्योगिकी: MOSFET (Metal Oxide), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 50V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 100mA (Ta), ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडी चालू, न्यूनतम आरडी चालू): 1.5V, 4V, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 7.8 Ohm @ 50mA, 4V,

5LP01M-TL-HX

भाग स्टॉक: 1826

5LP01SP

भाग स्टॉक: 1894

एफईटी प्रकार: P-Channel, प्रौद्योगिकी: MOSFET (Metal Oxide), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 50V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 70mA (Ta), ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडी चालू, न्यूनतम आरडी चालू): 1.5V, 4V, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 23 Ohm @ 40mA, 4V,

5LP01M-TL-E

भाग स्टॉक: 6268

एफईटी प्रकार: P-Channel, प्रौद्योगिकी: MOSFET (Metal Oxide), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 50V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 70mA (Ta), ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडी चालू, न्यूनतम आरडी चालू): 1.5V, 4V, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 23 Ohm @ 40mA, 4V,

5LN01SP

भाग स्टॉक: 1839

एफईटी प्रकार: N-Channel, प्रौद्योगिकी: MOSFET (Metal Oxide), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 50V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 100mA (Ta), ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडी चालू, न्यूनतम आरडी चालू): 1.5V, 4V, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 7.8 Ohm @ 50mA, 4V,

5LN01M-TL-E

भाग स्टॉक: 1842

एफईटी प्रकार: N-Channel, प्रौद्योगिकी: MOSFET (Metal Oxide), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 50V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 100mA (Ta), ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडी चालू, न्यूनतम आरडी चालू): 1.5V, 4V, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 7.8 Ohm @ 50mA, 4V,

5LP01SS-TL-H

भाग स्टॉक: 6223

एफईटी प्रकार: P-Channel, प्रौद्योगिकी: MOSFET (Metal Oxide), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 50V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 70mA (Ta), ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडी चालू, न्यूनतम आरडी चालू): 1.5V, 4V, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 23 Ohm @ 40mA, 4V,

5LP01SS-TL-E

भाग स्टॉक: 1441

एफईटी प्रकार: P-Channel, प्रौद्योगिकी: MOSFET (Metal Oxide), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 50V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 70mA (Ta), ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडी चालू, न्यूनतम आरडी चालू): 1.5V, 4V, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 23 Ohm @ 40mA, 4V,

5LP01S-TL-E

भाग स्टॉक: 1507

एफईटी प्रकार: P-Channel, प्रौद्योगिकी: MOSFET (Metal Oxide), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 50V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 70mA (Ta), ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडी चालू, न्यूनतम आरडी चालू): 1.5V, 4V, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 23 Ohm @ 40mA, 4V,

5LP01C-TB-H

भाग स्टॉक: 174960

एफईटी प्रकार: P-Channel, प्रौद्योगिकी: MOSFET (Metal Oxide), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 50V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 70mA (Ta), ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडी चालू, न्यूनतम आरडी चालू): 1.5V, 4V, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 23 Ohm @ 40mA, 4V,

5LP01C-TB-E

भाग स्टॉक: 128915

एफईटी प्रकार: P-Channel, प्रौद्योगिकी: MOSFET (Metal Oxide), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 50V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 70mA (Ta), ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडी चालू, न्यूनतम आरडी चालू): 1.5V, 4V, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 23 Ohm @ 40mA, 4V,

5LN01SS-TL-H

भाग स्टॉक: 1448

एफईटी प्रकार: N-Channel, प्रौद्योगिकी: MOSFET (Metal Oxide), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 50V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 100mA (Ta), ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडी चालू, न्यूनतम आरडी चालू): 1.5V, 4V, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 7.8 Ohm @ 50mA, 4V,

5LN01C-TB-H

भाग स्टॉक: 6222

एफईटी प्रकार: N-Channel, प्रौद्योगिकी: MOSFET (Metal Oxide), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 50V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 100mA (Ta), ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडी चालू, न्यूनतम आरडी चालू): 1.5V, 4V, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 7.8 Ohm @ 50mA, 4V,

5LN01S-TL-E

भाग स्टॉक: 1469

एफईटी प्रकार: N-Channel, प्रौद्योगिकी: MOSFET (Metal Oxide), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 50V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 100mA (Ta), ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडी चालू, न्यूनतम आरडी चालू): 1.5V, 4V, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 7.8 Ohm @ 50mA, 4V,

5LN01SS-TL-E

भाग स्टॉक: 109264

एफईटी प्रकार: N-Channel, प्रौद्योगिकी: MOSFET (Metal Oxide), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 50V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 100mA (Ta), ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडी चालू, न्यूनतम आरडी चालू): 1.5V, 4V, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 7.8 Ohm @ 50mA, 4V,

5LP01M-TL-H

भाग स्टॉक: 185339

एफईटी प्रकार: P-Channel, प्रौद्योगिकी: MOSFET (Metal Oxide), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 50V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 70mA (Ta), ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडी चालू, न्यूनतम आरडी चालू): 1.5V, 4V, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 23 Ohm @ 40mA, 4V,

5X49_BG7002B

भाग स्टॉक: 646

एफईटी प्रकार: N-Channel, प्रौद्योगिकी: MOSFET (Metal Oxide), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 100V,

5LP01SP-AC

भाग स्टॉक: 9476

एफईटी प्रकार: P-Channel, प्रौद्योगिकी: MOSFET (Metal Oxide), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 50V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 70mA (Ta), ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडी चालू, न्यूनतम आरडी चालू): 1.5V, 4V, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 23 Ohm @ 40mA, 4V,

6HP04MH-TL-W

भाग स्टॉक: 133677

एफईटी प्रकार: P-Channel, प्रौद्योगिकी: MOSFET (Metal Oxide), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 60V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 370mA (Ta), ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडी चालू, न्यूनतम आरडी चालू): 4V, 10V, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 4.2 Ohm @ 190mA, 10V,