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ट्रांजिस्टर - FETs, MOSFETs - सिंगल

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BSC200P03LSGAUMA1
Infineon Technologies

BSC200P03LSGAUMA1

भाग स्टॉक: 884

एफईटी प्रकार: P-Channel, प्रौद्योगिकी: MOSFET (Metal Oxide), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 30V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 9.9A (Ta), 12.5A (Tc), ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडी चालू, न्यूनतम आरडी चालू): 10V, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 20 mOhm @ 12.5A, 10V,

इच्छा-सूची
BSS215PL6327HTSA1
Infineon Technologies

BSS215PL6327HTSA1

भाग स्टॉक: 873

एफईटी प्रकार: P-Channel, प्रौद्योगिकी: MOSFET (Metal Oxide), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 20V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta), ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडी चालू, न्यूनतम आरडी चालू): 2.5V, 4.5V, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 150 mOhm @ 1.5A, 4.5V,

इच्छा-सूची
BSS315PL6327HTSA1
Infineon Technologies

BSS315PL6327HTSA1

भाग स्टॉक: 914

एफईटी प्रकार: P-Channel, प्रौद्योगिकी: MOSFET (Metal Oxide), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 30V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta), ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडी चालू, न्यूनतम आरडी चालू): 4.5V, 10V, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 150 mOhm @ 1.5A, 10V,

इच्छा-सूची
BSO130N03MSGXUMA1
Infineon Technologies

BSO130N03MSGXUMA1

भाग स्टॉक: 855

एफईटी प्रकार: N-Channel, प्रौद्योगिकी: MOSFET (Metal Oxide), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 30V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 9A (Ta), ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडी चालू, न्यूनतम आरडी चालू): 4.5V, 10V, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 13 mOhm @ 11.1A, 10V,

इच्छा-सूची
BSS83PL6327HTSA1
Infineon Technologies

BSS83PL6327HTSA1

भाग स्टॉक: 886

एफईटी प्रकार: P-Channel, प्रौद्योगिकी: MOSFET (Metal Oxide), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 60V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 330mA (Ta), ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडी चालू, न्यूनतम आरडी चालू): 4.5V, 10V, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 2 Ohm @ 330mA, 10V,

इच्छा-सूची
BSS7728NL6327HTSA1
Infineon Technologies

BSS7728NL6327HTSA1

भाग स्टॉक: 6115

एफईटी प्रकार: N-Channel, प्रौद्योगिकी: MOSFET (Metal Oxide), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 60V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 200mA (Ta), ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडी चालू, न्यूनतम आरडी चालू): 4.5V, 10V, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 5 Ohm @ 500mA, 10V,

इच्छा-सूची
BSS84PL6433HTMA1
Infineon Technologies

BSS84PL6433HTMA1

भाग स्टॉक: 768

एफईटी प्रकार: P-Channel, प्रौद्योगिकी: MOSFET (Metal Oxide), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 60V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 170mA (Ta), ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडी चालू, न्यूनतम आरडी चालू): 4.5V, 10V, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 8 Ohm @ 170mA, 10V,

इच्छा-सूची
BSS670S2LL6327HTSA1
Infineon Technologies

BSS670S2LL6327HTSA1

भाग स्टॉक: 5631

एफईटी प्रकार: N-Channel, प्रौद्योगिकी: MOSFET (Metal Oxide), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 55V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 540mA (Ta), ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडी चालू, न्यूनतम आरडी चालू): 4.5V, 10V, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 650 mOhm @ 270mA, 10V,

इच्छा-सूची
BSS308PEL6327HTSA1
Infineon Technologies

BSS308PEL6327HTSA1

भाग स्टॉक: 747

एफईटी प्रकार: P-Channel, प्रौद्योगिकी: MOSFET (Metal Oxide), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 30V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 2A (Ta), ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडी चालू, न्यूनतम आरडी चालू): 4.5V, 10V, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 80 mOhm @ 2A, 10V,

इच्छा-सूची
BSS316NL6327HTSA1
Infineon Technologies

BSS316NL6327HTSA1

भाग स्टॉक: 804

एफईटी प्रकार: N-Channel, प्रौद्योगिकी: MOSFET (Metal Oxide), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 30V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta), ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडी चालू, न्यूनतम आरडी चालू): 4.5V, 10V, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 160 mOhm @ 1.4A, 10V,

इच्छा-सूची
BSS214NW L6327
Infineon Technologies

BSS214NW L6327

भाग स्टॉक: 6119

एफईटी प्रकार: N-Channel, प्रौद्योगिकी: MOSFET (Metal Oxide), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 20V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta), ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडी चालू, न्यूनतम आरडी चालू): 2.5V, 4.5V, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 140 mOhm @ 1.5A, 4.5V,

इच्छा-सूची
BSS306NL6327HTSA1
Infineon Technologies

BSS306NL6327HTSA1

भाग स्टॉक: 6076

एफईटी प्रकार: N-Channel, प्रौद्योगिकी: MOSFET (Metal Oxide), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 30V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta), ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडी चालू, न्यूनतम आरडी चालू): 4.5V, 10V, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 57 mOhm @ 2.3A, 10V,

इच्छा-सूची
BSS214NL6327HTSA1
Infineon Technologies

BSS214NL6327HTSA1

भाग स्टॉक: 803

एफईटी प्रकार: N-Channel, प्रौद्योगिकी: MOSFET (Metal Oxide), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 20V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta), ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडी चालू, न्यूनतम आरडी चालू): 2.5V, 4.5V, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 140 mOhm @ 1.5A, 4.5V,

इच्छा-सूची
BSS209PW L6327
Infineon Technologies

BSS209PW L6327

भाग स्टॉक: 817

एफईटी प्रकार: P-Channel, प्रौद्योगिकी: MOSFET (Metal Oxide), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 20V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 580mA (Ta), ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडी चालू, न्यूनतम आरडी चालू): 2.5V, 4.5V, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 550 mOhm @ 580mA, 4.5V,

इच्छा-सूची
BSS169L6327HTSA1
Infineon Technologies

BSS169L6327HTSA1

भाग स्टॉक: 722

एफईटी प्रकार: N-Channel, प्रौद्योगिकी: MOSFET (Metal Oxide), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 100V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 170mA (Ta), ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडी चालू, न्यूनतम आरडी चालू): 0V, 10V, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 6 Ohm @ 170mA, 10V,

इच्छा-सूची
BSS159NL6327HTSA1
Infineon Technologies

BSS159NL6327HTSA1

भाग स्टॉक: 719

एफईटी प्रकार: N-Channel, प्रौद्योगिकी: MOSFET (Metal Oxide), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 60V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 230mA (Ta), ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडी चालू, न्यूनतम आरडी चालू): 0V, 10V, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 3.5 Ohm @ 160mA, 10V,

इच्छा-सूची
BSS139L6327HTSA1
Infineon Technologies

BSS139L6327HTSA1

भाग स्टॉक: 783

एफईटी प्रकार: N-Channel, प्रौद्योगिकी: MOSFET (Metal Oxide), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 250V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 100mA (Ta), ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडी चालू, न्यूनतम आरडी चालू): 0V, 10V, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 14 Ohm @ 0.1mA, 10V,

इच्छा-सूची
BSS139L6906HTSA1
Infineon Technologies

BSS139L6906HTSA1

भाग स्टॉक: 765

एफईटी प्रकार: N-Channel, प्रौद्योगिकी: MOSFET (Metal Oxide), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 250V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 100mA (Ta), ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडी चालू, न्यूनतम आरडी चालू): 0V, 10V, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 14 Ohm @ 0.1mA, 10V,

इच्छा-सूची
BSS138W L6327
Infineon Technologies

BSS138W L6327

भाग स्टॉक: 784

एफईटी प्रकार: N-Channel, प्रौद्योगिकी: MOSFET (Metal Oxide), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 60V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 280mA (Ta), ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडी चालू, न्यूनतम आरडी चालू): 4.5V, 10V, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 3.5 Ohm @ 220mA, 10V,

इच्छा-सूची
BSS138W L6433
Infineon Technologies

BSS138W L6433

भाग स्टॉक: 726

एफईटी प्रकार: N-Channel, प्रौद्योगिकी: MOSFET (Metal Oxide), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 60V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 280mA (Ta), ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडी चालू, न्यूनतम आरडी चालू): 4.5V, 10V, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 3.5 Ohm @ 220mA, 10V,

इच्छा-सूची
BSS127L6327HTSA1
Infineon Technologies

BSS127L6327HTSA1

भाग स्टॉक: 810

एफईटी प्रकार: N-Channel, प्रौद्योगिकी: MOSFET (Metal Oxide), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 600V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 21mA (Ta), ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडी चालू, न्यूनतम आरडी चालू): 4.5V, 10V, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 500 Ohm @ 16mA, 10V,

इच्छा-सूची
BSS138NL6433HTMA1
Infineon Technologies

BSS138NL6433HTMA1

भाग स्टॉक: 726

एफईटी प्रकार: N-Channel, प्रौद्योगिकी: MOSFET (Metal Oxide), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 60V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 230mA (Ta), ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडी चालू, न्यूनतम आरडी चालू): 4.5V, 10V, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 3.5 Ohm @ 230mA, 10V,

इच्छा-सूची
BSS126L6327HTSA1
Infineon Technologies

BSS126L6327HTSA1

भाग स्टॉक: 754

एफईटी प्रकार: N-Channel, प्रौद्योगिकी: MOSFET (Metal Oxide), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 600V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 21mA (Ta), ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडी चालू, न्यूनतम आरडी चालू): 0V, 10V, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 500 Ohm @ 16mA, 10V,

इच्छा-सूची
BSS126L6906HTSA1
Infineon Technologies

BSS126L6906HTSA1

भाग स्टॉक: 769

एफईटी प्रकार: N-Channel, प्रौद्योगिकी: MOSFET (Metal Oxide), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 600V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 21mA (Ta), ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडी चालू, न्यूनतम आरडी चालू): 0V, 10V, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 500 Ohm @ 16mA, 10V,

इच्छा-सूची
BSR92PL6327HTSA1
Infineon Technologies

BSR92PL6327HTSA1

भाग स्टॉक: 734

एफईटी प्रकार: P-Channel, प्रौद्योगिकी: MOSFET (Metal Oxide), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 250V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 140mA (Ta), ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडी चालू, न्यूनतम आरडी चालू): 2.8V, 10V, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 11 Ohm @ 140mA, 10V,

इच्छा-सूची
BSS119L6327HTSA1
Infineon Technologies

BSS119L6327HTSA1

भाग स्टॉक: 792

एफईटी प्रकार: N-Channel, प्रौद्योगिकी: MOSFET (Metal Oxide), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 100V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 170mA (Ta), ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडी चालू, न्यूनतम आरडी चालू): 4.5V, 10V, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 6 Ohm @ 170mA, 10V,

इच्छा-सूची
BSR316PL6327HTSA1
Infineon Technologies

BSR316PL6327HTSA1

भाग स्टॉक: 775

एफईटी प्रकार: P-Channel, प्रौद्योगिकी: MOSFET (Metal Oxide), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 100V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 360mA (Ta), ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडी चालू, न्यूनतम आरडी चालू): 4.5V, 10V, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 1.8 Ohm @ 360mA, 10V,

इच्छा-सूची
BSP322PL6327HTSA1
Infineon Technologies

BSP322PL6327HTSA1

भाग स्टॉक: 811

एफईटी प्रकार: P-Channel, प्रौद्योगिकी: MOSFET (Metal Oxide), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 100V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 1A (Tc), ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडी चालू, न्यूनतम आरडी चालू): 4.5V, 10V, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 800 mOhm @ 1A, 10V,

इच्छा-सूची
BSP321PL6327HTSA1
Infineon Technologies

BSP321PL6327HTSA1

भाग स्टॉक: 714

एफईटी प्रकार: P-Channel, प्रौद्योगिकी: MOSFET (Metal Oxide), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 100V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 980mA (Tc), ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडी चालू, न्यूनतम आरडी चालू): 10V, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 900 mOhm @ 980mA, 10V,

इच्छा-सूची
BSF045N03MQ3 G
Infineon Technologies

BSF045N03MQ3 G

भाग स्टॉक: 777

एफईटी प्रकार: N-Channel, प्रौद्योगिकी: MOSFET (Metal Oxide), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 30V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 63A (Tc), ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडी चालू, न्यूनतम आरडी चालू): 4.5V, 10V, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 4.5 mOhm @ 20A, 10V,

इच्छा-सूची
BSC152N10NSFGATMA1
Infineon Technologies

BSC152N10NSFGATMA1

भाग स्टॉक: 801

एफईटी प्रकार: N-Channel, प्रौद्योगिकी: MOSFET (Metal Oxide), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 100V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 9.4A (Ta), 63A (Tc), ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडी चालू, न्यूनतम आरडी चालू): 10V, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 15.2 mOhm @ 25A, 10V,

इच्छा-सूची
BSP89H6327XTSA1
Infineon Technologies

BSP89H6327XTSA1

भाग स्टॉक: 183471

एफईटी प्रकार: N-Channel, प्रौद्योगिकी: MOSFET (Metal Oxide), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 240V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 350mA (Ta), ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडी चालू, न्यूनतम आरडी चालू): 4.5V, 10V, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 6 Ohm @ 350mA, 10V,

इच्छा-सूची
BSP92PH6327XTSA1
Infineon Technologies

BSP92PH6327XTSA1

भाग स्टॉक: 175847

एफईटी प्रकार: P-Channel, प्रौद्योगिकी: MOSFET (Metal Oxide), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 250V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 260mA (Ta), ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडी चालू, न्यूनतम आरडी चालू): 2.8V, 10V, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 12 Ohm @ 260mA, 10V,

इच्छा-सूची
BSP170PH6327XTSA1
Infineon Technologies

BSP170PH6327XTSA1

भाग स्टॉक: 177989

एफईटी प्रकार: P-Channel, प्रौद्योगिकी: MOSFET (Metal Oxide), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 60V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 1.9A (Ta), ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडी चालू, न्यूनतम आरडी चालू): 10V, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 300 mOhm @ 1.9A, 10V,

इच्छा-सूची
BSS225H6327FTSA1
Infineon Technologies

BSS225H6327FTSA1

भाग स्टॉक: 122139

एफईटी प्रकार: N-Channel, प्रौद्योगिकी: MOSFET (Metal Oxide), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 600V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 90mA (Ta), ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडी चालू, न्यूनतम आरडी चालू): 4.5V, 10V, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 45 Ohm @ 90mA, 10V,

इच्छा-सूची
BSS131L6327HTSA1
Infineon Technologies

BSS131L6327HTSA1

भाग स्टॉक: 673

एफईटी प्रकार: N-Channel, प्रौद्योगिकी: MOSFET (Metal Oxide), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 240V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 110mA (Ta), ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडी चालू, न्यूनतम आरडी चालू): 4.5V, 10V, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 14 Ohm @ 100mA, 10V,

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