ट्रांजिस्टर - FETs, MOSFETs - सिंगल

BSS606NH6327XTSA1

BSS606NH6327XTSA1

भाग स्टॉक: 140760

एफईटी प्रकार: N-Channel, प्रौद्योगिकी: MOSFET (Metal Oxide), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 60V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta), ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडी चालू, न्यूनतम आरडी चालू): 4.5V, 10V, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 60 mOhm @ 3.2A, 10V,

BTS282ZE3180AATMA2

BTS282ZE3180AATMA2

भाग स्टॉक: 30675

एफईटी प्रकार: N-Channel, प्रौद्योगिकी: MOSFET (Metal Oxide), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 49V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 80A (Tc), ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडी चालू, न्यूनतम आरडी चालू): 4.5V, 10V, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 6.5 mOhm @ 36A, 10V,

BSP149H6906XTSA1

BSP149H6906XTSA1

भाग स्टॉक: 132013

एफईटी प्रकार: N-Channel, प्रौद्योगिकी: MOSFET (Metal Oxide), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 200V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 660mA (Ta), ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडी चालू, न्यूनतम आरडी चालू): 0V, 10V, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 1.8 Ohm @ 660mA, 10V,

BSC079N03SG

BSC079N03SG

भाग स्टॉक: 2311

एफईटी प्रकार: N-Channel, प्रौद्योगिकी: MOSFET (Metal Oxide), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 30V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 14.6A (Ta), 40A (Tc), ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडी चालू, न्यूनतम आरडी चालू): 4.5V, 10V, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 7.9 mOhm @ 40A, 10V,

BSP296NL6327HTSA1

BSP296NL6327HTSA1

भाग स्टॉक: 2175

एफईटी प्रकार: N-Channel, प्रौद्योगिकी: MOSFET (Metal Oxide), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 100V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta), ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडी चालू, न्यूनतम आरडी चालू): 4.5V, 10V, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 600 mOhm @ 1.2A, 10V,

BUZ31H3046XKSA1

BUZ31H3046XKSA1

भाग स्टॉक: 2045

एफईटी प्रकार: N-Channel, प्रौद्योगिकी: MOSFET (Metal Oxide), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 200V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 14.5A (Tc), ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडी चालू, न्यूनतम आरडी चालू): 5V, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 200 mOhm @ 9A, 5V,

BSP298H6327XUSA1

BSP298H6327XUSA1

भाग स्टॉक: 144742

एफईटी प्रकार: N-Channel, प्रौद्योगिकी: MOSFET (Metal Oxide), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 400V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 500mA (Ta), ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडी चालू, न्यूनतम आरडी चालू): 10V, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 3 Ohm @ 500mA, 10V,

BSG0812NDATMA1

BSG0812NDATMA1

भाग स्टॉक: 2018

BSO613SPVGHUMA1

BSO613SPVGHUMA1

भाग स्टॉक: 10789

एफईटी प्रकार: P-Channel, प्रौद्योगिकी: MOSFET (Metal Oxide), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 60V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 3.44A (Ta), ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडी चालू, न्यूनतम आरडी चालू): 10V, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 130 mOhm @ 3.44A, 10V,

BSP615S2LHUMA1

BSP615S2LHUMA1

भाग स्टॉक: 1649

BSF024N03LT3GXUMA1

BSF024N03LT3GXUMA1

भाग स्टॉक: 1599

एफईटी प्रकार: N-Channel, प्रौद्योगिकी: MOSFET (Metal Oxide), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 30V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 106A (Tc), ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडी चालू, न्यूनतम आरडी चालू): 4.5V, 10V, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 2.4 mOhm @ 20A, 10V,

BSO083N03MSGXUMA1

BSO083N03MSGXUMA1

भाग स्टॉक: 1515

एफईटी प्रकार: N-Channel, प्रौद्योगिकी: MOSFET (Metal Oxide), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 30V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 11A (Ta), ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडी चालू, न्यूनतम आरडी चालू): 4.5V, 10V, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 8.3 mOhm @ 14A, 10V,

BSO051N03MS G

BSO051N03MS G

भाग स्टॉक: 6171

एफईटी प्रकार: N-Channel, प्रौद्योगिकी: MOSFET (Metal Oxide), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 30V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 14A (Ta), ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडी चालू, न्यूनतम आरडी चालू): 4.5V, 10V, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 5.1 mOhm @ 18A, 10V,

BSL202SNL6327HTSA1

BSL202SNL6327HTSA1

भाग स्टॉक: 1570

एफईटी प्रकार: N-Channel, प्रौद्योगिकी: MOSFET (Metal Oxide), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 20V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta), ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडी चालू, न्यूनतम आरडी चालू): 2.5V, 4.5V, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 22 mOhm @ 7.5A, 4.5V,

BSD316SNL6327XT

BSD316SNL6327XT

भाग स्टॉक: 121446

एफईटी प्रकार: N-Channel, प्रौद्योगिकी: MOSFET (Metal Oxide), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 30V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta), ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडी चालू, न्यूनतम आरडी चालू): 4.5V, 10V, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 160 mOhm @ 1.4A, 10V,

BSZ023N04LSATMA1

BSZ023N04LSATMA1

भाग स्टॉक: 1508

एफईटी प्रकार: N-Channel, प्रौद्योगिकी: MOSFET (Metal Oxide), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 40V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 40A (Tc), ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडी चालू, न्यूनतम आरडी चालू): 4.5V, 10V, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 2.35 mOhm @ 20A, 10V,

BTS121AE3045ANTMA1

BTS121AE3045ANTMA1

भाग स्टॉक: 6242

एफईटी प्रकार: N-Channel, प्रौद्योगिकी: MOSFET (Metal Oxide), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 100V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 22A (Tc), ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडी चालू, न्यूनतम आरडी चालू): 4.5V, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 100 mOhm @ 9.5A, 4.5V,

BSS169L6906HTSA1

BSS169L6906HTSA1

भाग स्टॉक: 1454

एफईटी प्रकार: N-Channel, प्रौद्योगिकी: MOSFET (Metal Oxide), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 100V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 170mA (Ta), ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडी चालू, न्यूनतम आरडी चालू): 0V, 10V, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 6 Ohm @ 170mA, 10V,

BSS159NL6906HTSA1

BSS159NL6906HTSA1

भाग स्टॉक: 1478

एफईटी प्रकार: N-Channel, प्रौद्योगिकी: MOSFET (Metal Oxide), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 60V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 230mA (Ta), ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडी चालू, न्यूनतम आरडी चालू): 0V, 10V, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 3.5 Ohm @ 160mA, 10V,

BSP320SL6327HTSA1

BSP320SL6327HTSA1

भाग स्टॉक: 1391

एफईटी प्रकार: N-Channel, प्रौद्योगिकी: MOSFET (Metal Oxide), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 60V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 2.9A (Ta), ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडी चालू, न्यूनतम आरडी चालू): 10V, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 120 mOhm @ 2.9A, 10V,

BSP324L6327HTSA1

BSP324L6327HTSA1

भाग स्टॉक: 1482

एफईटी प्रकार: N-Channel, प्रौद्योगिकी: MOSFET (Metal Oxide), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 400V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 170mA (Ta), ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडी चालू, न्यूनतम आरडी चालू): 4.5V, 10V, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 25 Ohm @ 170mA, 10V,

BSF050N03LQ3GXUMA1

BSF050N03LQ3GXUMA1

भाग स्टॉक: 1464

एफईटी प्रकार: N-Channel, प्रौद्योगिकी: MOSFET (Metal Oxide), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 30V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 60A (Tc), ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडी चालू, न्यूनतम आरडी चालू): 4.5V, 10V, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 5 mOhm @ 20A, 10V,

BSD816SNL6327HTSA1

BSD816SNL6327HTSA1

भाग स्टॉक: 1485

एफईटी प्रकार: N-Channel, प्रौद्योगिकी: MOSFET (Metal Oxide), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 20V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta), ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडी चालू, न्यूनतम आरडी चालू): 1.8V, 2.5V, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 160 mOhm @ 1.4A, 2.5V,

BSB012NE2LX

BSB012NE2LX

भाग स्टॉक: 1435

एफईटी प्रकार: N-Channel, प्रौद्योगिकी: MOSFET (Metal Oxide), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 25V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 37A (Ta), 170A (Tc), ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडी चालू, न्यूनतम आरडी चालू): 4.5V, 10V, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 1.2 mOhm @ 30A, 10V,

BSB017N03LX3 G

BSB017N03LX3 G

भाग स्टॉक: 1460

एफईटी प्रकार: N-Channel, प्रौद्योगिकी: MOSFET (Metal Oxide), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 30V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 147A (Tc), ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडी चालू, न्यूनतम आरडी चालू): 4.5V, 10V, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 1.7 mOhm @ 30A, 10V,

BSB012N03LX3 G

BSB012N03LX3 G

भाग स्टॉक: 1453

एफईटी प्रकार: N-Channel, प्रौद्योगिकी: MOSFET (Metal Oxide), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 30V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 39A (Ta), 180A (Tc), ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडी चालू, न्यूनतम आरडी चालू): 4.5V, 10V, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 1.2 mOhm @ 30A, 10V,

BSP320SL6433HTMA1

BSP320SL6433HTMA1

भाग स्टॉक: 1443

एफईटी प्रकार: N-Channel, प्रौद्योगिकी: MOSFET (Metal Oxide), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 60V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 2.9A (Ta), ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडी चालू, न्यूनतम आरडी चालू): 10V, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 120 mOhm @ 2.9A, 10V,

BSS123L6433HTMA1

BSS123L6433HTMA1

भाग स्टॉक: 1415

एफईटी प्रकार: N-Channel, प्रौद्योगिकी: MOSFET (Metal Oxide), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 100V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 170mA (Ta), ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडी चालू, न्यूनतम आरडी चालू): 4.5V, 10V, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 6 Ohm @ 170mA, 10V,

BSP135L6433HTMA1

BSP135L6433HTMA1

भाग स्टॉक: 1475

एफईटी प्रकार: N-Channel, प्रौद्योगिकी: MOSFET (Metal Oxide), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 600V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 120mA (Ta), ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडी चालू, न्यूनतम आरडी चालू): 0V, 10V, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 45 Ohm @ 120mA, 10V,

BSP296L6433HTMA1

BSP296L6433HTMA1

भाग स्टॉक: 1422

एफईटी प्रकार: N-Channel, प्रौद्योगिकी: MOSFET (Metal Oxide), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 100V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 1.1A (Ta), ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडी चालू, न्यूनतम आरडी चालू): 4.5V, 10V, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 700 mOhm @ 1.1A, 10V,

BSP125L6433HTMA1

BSP125L6433HTMA1

भाग स्टॉक: 1378

एफईटी प्रकार: N-Channel, प्रौद्योगिकी: MOSFET (Metal Oxide), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 600V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 120mA (Ta), ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडी चालू, न्यूनतम आरडी चालू): 4.5V, 10V, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 45 Ohm @ 120mA, 10V,

BSF077N06NT3GXUMA1

BSF077N06NT3GXUMA1

भाग स्टॉक: 1439

एफईटी प्रकार: N-Channel, प्रौद्योगिकी: MOSFET (Metal Oxide), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 60V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 56A (Tc), ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडी चालू, न्यूनतम आरडी चालू): 10V, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 7.7 mOhm @ 30A, 10V,

BSC889N03MSGATMA1

BSC889N03MSGATMA1

भाग स्टॉक: 1403

एफईटी प्रकार: N-Channel, प्रौद्योगिकी: MOSFET (Metal Oxide), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 30V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 12A (Ta) 44A (Tc), ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडी चालू, न्यूनतम आरडी चालू): 4.5V, 10V, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 9.1 mOhm @ 30A, 10V,

BSC889N03LSGATMA1

BSC889N03LSGATMA1

भाग स्टॉक: 1458

एफईटी प्रकार: N-Channel, प्रौद्योगिकी: MOSFET (Metal Oxide), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 30V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 45A (Tc), ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडी चालू, न्यूनतम आरडी चालू): 4.5V, 10V, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 9 mOhm @ 30A, 10V,

BSC884N03MS G

BSC884N03MS G

भाग स्टॉक: 1453

एफईटी प्रकार: N-Channel, प्रौद्योगिकी: MOSFET (Metal Oxide), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 34V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 85A (Tc), ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडी चालू, न्यूनतम आरडी चालू): 4.5V, 10V, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 4.5 mOhm @ 30A, 10V,

BSC882N03MSGATMA1

BSC882N03MSGATMA1

भाग स्टॉक: 1461

एफईटी प्रकार: N-Channel, प्रौद्योगिकी: MOSFET (Metal Oxide), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 34V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 100A (Tc), ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडी चालू, न्यूनतम आरडी चालू): 4.5V, 10V, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 2.6 mOhm @ 30A, 10V,