ट्रांजिस्टर - FETs, MOSFETs - सिंगल

घर
ट्रांजिस्टर - FETs, MOSFETs - सिंगल

Infineon Technologies

BSS138N E8004

भाग स्टॉक: 164

एफईटी प्रकार: N-Channel, प्रौद्योगिकी: MOSFET (Metal Oxide), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 60V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 230mA (Ta), ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडी चालू, न्यूनतम आरडी चालू): 4.5V, 10V, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 3.5 Ohm @ 230mA, 10V,

इच्छा-सूची

Infineon Technologies

BSS138N E7854

भाग स्टॉक: 6034

एफईटी प्रकार: N-Channel, प्रौद्योगिकी: MOSFET (Metal Oxide), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 60V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 230mA (Ta), ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडी चालू, न्यूनतम आरडी चालू): 4.5V, 10V, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 3.5 Ohm @ 230mA, 10V,

इच्छा-सूची

Infineon Technologies

BSS138N E6908

भाग स्टॉक: 6083

एफईटी प्रकार: N-Channel, प्रौद्योगिकी: MOSFET (Metal Oxide), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 60V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 230mA (Ta), ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडी चालू, न्यूनतम आरडी चालू): 4.5V, 10V, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 3.5 Ohm @ 230mA, 10V,

इच्छा-सूची

Infineon Technologies

BSS138N E6433

भाग स्टॉक: 174

एफईटी प्रकार: N-Channel, प्रौद्योगिकी: MOSFET (Metal Oxide), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 60V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 230mA (Ta), ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडी चालू, न्यूनतम आरडी चालू): 4.5V, 10V, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 3.5 Ohm @ 230mA, 10V,

इच्छा-सूची

Infineon Technologies

BSS127 E6327

भाग स्टॉक: 172

एफईटी प्रकार: N-Channel, प्रौद्योगिकी: MOSFET (Metal Oxide), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 600V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 21mA (Ta), ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडी चालू, न्यूनतम आरडी चालू): 4.5V, 10V, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 500 Ohm @ 16mA, 10V,

इच्छा-सूची

Infineon Technologies

BSS126 E6906

भाग स्टॉक: 106

एफईटी प्रकार: N-Channel, प्रौद्योगिकी: MOSFET (Metal Oxide), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 600V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 21mA (Ta), ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडी चालू, न्यूनतम आरडी चालू): 0V, 10V, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 500 Ohm @ 16mA, 10V,

इच्छा-सूची

Infineon Technologies

BSS126 E6327

भाग स्टॉक: 152

एफईटी प्रकार: N-Channel, प्रौद्योगिकी: MOSFET (Metal Oxide), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 600V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 21mA (Ta), ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडी चालू, न्यूनतम आरडी चालू): 0V, 10V, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 500 Ohm @ 16mA, 10V,

इच्छा-सूची

Infineon Technologies

BSS123L7874XT

भाग स्टॉक: 161

एफईटी प्रकार: N-Channel, प्रौद्योगिकी: MOSFET (Metal Oxide), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 100V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 170mA (Ta), ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडी चालू, न्यूनतम आरडी चालू): 4.5V, 10V, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 6 Ohm @ 170mA, 10V,

इच्छा-सूची

Infineon Technologies

BSS119 E7978

भाग स्टॉक: 169

एफईटी प्रकार: N-Channel, प्रौद्योगिकी: MOSFET (Metal Oxide), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 100V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 170mA (Ta), ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडी चालू, न्यूनतम आरडी चालू): 4.5V, 10V, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 6 Ohm @ 170mA, 10V,

इच्छा-सूची

Infineon Technologies

BSS123 E6433

भाग स्टॉक: 169

एफईटी प्रकार: N-Channel, प्रौद्योगिकी: MOSFET (Metal Oxide), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 100V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 170mA (Ta), ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडी चालू, न्यूनतम आरडी चालू): 4.5V, 10V, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 6 Ohm @ 170mA, 10V,

इच्छा-सूची

Infineon Technologies

BSS119 E7796

भाग स्टॉक: 122

एफईटी प्रकार: N-Channel, प्रौद्योगिकी: MOSFET (Metal Oxide), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 100V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 170mA (Ta), ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडी चालू, न्यूनतम आरडी चालू): 4.5V, 10V, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 6 Ohm @ 170mA, 10V,

इच्छा-सूची

Infineon Technologies

BSS119 E6433

भाग स्टॉक: 145

एफईटी प्रकार: N-Channel, प्रौद्योगिकी: MOSFET (Metal Oxide), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 100V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 170mA (Ta), ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडी चालू, न्यूनतम आरडी चालू): 4.5V, 10V, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 6 Ohm @ 170mA, 10V,

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Infineon Technologies

BSP92P E6327

भाग स्टॉक: 140

एफईटी प्रकार: P-Channel, प्रौद्योगिकी: MOSFET (Metal Oxide), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 250V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 260mA (Ta), ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडी चालू, न्यूनतम आरडी चालू): 2.8V, 10V, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 12 Ohm @ 260mA, 10V,

इच्छा-सूची

Infineon Technologies

BSP615S2L

भाग स्टॉक: 129

एफईटी प्रकार: N-Channel, प्रौद्योगिकी: MOSFET (Metal Oxide), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 55V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta), ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडी चालू, न्यूनतम आरडी चालू): 4.5V, 10V, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 90 mOhm @ 1.4A, 10V,

इच्छा-सूची

Infineon Technologies

BSP613P

भाग स्टॉक: 153

एफईटी प्रकार: P-Channel, प्रौद्योगिकी: MOSFET (Metal Oxide), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 60V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 2.9A (Ta), ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडी चालू, न्यूनतम आरडी चालू): 10V, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 130 mOhm @ 2.9A, 10V,

इच्छा-सूची

Infineon Technologies

BSP373 E6327

भाग स्टॉक: 119

एफईटी प्रकार: N-Channel, प्रौद्योगिकी: MOSFET (Metal Oxide), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 100V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta), ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडी चालू, न्यूनतम आरडी चालू): 10V, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 300 mOhm @ 1.7A, 10V,

इच्छा-सूची

Infineon Technologies

BSP324 E6327

भाग स्टॉक: 172

एफईटी प्रकार: N-Channel, प्रौद्योगिकी: MOSFET (Metal Oxide), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 400V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 170mA (Ta), ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडी चालू, न्यूनतम आरडी चालू): 4.5V, 10V, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 25 Ohm @ 170mA, 10V,

इच्छा-सूची

Infineon Technologies

BSP372 E6327

भाग स्टॉक: 155

एफईटी प्रकार: N-Channel, प्रौद्योगिकी: MOSFET (Metal Oxide), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 100V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta), ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडी चालू, न्यूनतम आरडी चालू): 5V, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 310 mOhm @ 1.7A, 5V,

इच्छा-सूची

Infineon Technologies

BSP320S E6433

भाग स्टॉक: 110

एफईटी प्रकार: N-Channel, प्रौद्योगिकी: MOSFET (Metal Oxide), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 60V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 2.9A (Ta), ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडी चालू, न्यूनतम आरडी चालू): 10V, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 120 mOhm @ 2.9A, 10V,

इच्छा-सूची

Infineon Technologies

BSP320S E6327

भाग स्टॉक: 88

एफईटी प्रकार: N-Channel, प्रौद्योगिकी: MOSFET (Metal Oxide), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 60V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 2.9A (Ta), ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडी चालू, न्यूनतम आरडी चालू): 10V, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 120 mOhm @ 2.9A, 10V,

इच्छा-सूची

BSP300L6327HUSA1

Infineon Technologies

BSP300L6327HUSA1

भाग स्टॉक: 138

एफईटी प्रकार: N-Channel, प्रौद्योगिकी: MOSFET (Metal Oxide), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 800V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 190mA (Ta), ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडी चालू, न्यूनतम आरडी चालू): 10V, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 20 Ohm @ 190mA, 10V,

इच्छा-सूची

Infineon Technologies

BSP318S E6327

भाग स्टॉक: 158

एफईटी प्रकार: N-Channel, प्रौद्योगिकी: MOSFET (Metal Oxide), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 60V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta), ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडी चालू, न्यूनतम आरडी चालू): 4.5V, 10V, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 90 mOhm @ 2.6A, 10V,

इच्छा-सूची

Infineon Technologies

BSP300 E6327

भाग स्टॉक: 95

एफईटी प्रकार: N-Channel, प्रौद्योगिकी: MOSFET (Metal Oxide), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 800V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 190mA (Ta), ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडी चालू, न्यूनतम आरडी चालू): 10V, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 20 Ohm @ 190mA, 10V,

इच्छा-सूची

Infineon Technologies

BSP299 E6327

भाग स्टॉक: 166

एफईटी प्रकार: N-Channel, प्रौद्योगिकी: MOSFET (Metal Oxide), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 500V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 400mA (Ta), ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडी चालू, न्यूनतम आरडी चालू): 10V, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 4 Ohm @ 400mA, 10V,

इच्छा-सूची

Infineon Technologies

BSP298 E6327

भाग स्टॉक: 6031

एफईटी प्रकार: N-Channel, प्रौद्योगिकी: MOSFET (Metal Oxide), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 400V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 500mA (Ta), ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडी चालू, न्यूनतम आरडी चालू): 10V, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 3 Ohm @ 500mA, 10V,

इच्छा-सूची

BSP298L6327HUSA1

Infineon Technologies

BSP298L6327HUSA1

भाग स्टॉक: 5657

एफईटी प्रकार: N-Channel, प्रौद्योगिकी: MOSFET (Metal Oxide), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 400V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 500mA (Ta), ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडी चालू, न्यूनतम आरडी चालू): 10V, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 3 Ohm @ 500mA, 10V,

इच्छा-सूची

Infineon Technologies

BSP296 E6433

भाग स्टॉक: 127

एफईटी प्रकार: N-Channel, प्रौद्योगिकी: MOSFET (Metal Oxide), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 100V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 1.1A (Ta), ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडी चालू, न्यूनतम आरडी चालू): 4.5V, 10V, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 700 mOhm @ 1.1A, 10V,

इच्छा-सूची

Infineon Technologies

BSP297 E6327

भाग स्टॉक: 144

एफईटी प्रकार: N-Channel, प्रौद्योगिकी: MOSFET (Metal Oxide), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 200V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 660mA (Ta), ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडी चालू, न्यूनतम आरडी चालू): 4.5V, 10V, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 1.8 Ohm @ 660mA, 10V,

इच्छा-सूची

Infineon Technologies

BSP149 E6906

भाग स्टॉक: 78

एफईटी प्रकार: N-Channel, प्रौद्योगिकी: MOSFET (Metal Oxide), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 200V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 660mA (Ta), ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडी चालू, न्यूनतम आरडी चालू): 0V, 10V, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 1.8 Ohm @ 660mA, 10V,

इच्छा-सूची

BSP149L6906HTSA1

Infineon Technologies

BSP149L6906HTSA1

भाग स्टॉक: 6023

एफईटी प्रकार: N-Channel, प्रौद्योगिकी: MOSFET (Metal Oxide), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 200V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 660mA (Ta), ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडी चालू, न्यूनतम आरडी चालू): 0V, 10V, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 1.8 Ohm @ 660mA, 10V,

इच्छा-सूची

Infineon Technologies

BSP149 E6327

भाग स्टॉक: 156

एफईटी प्रकार: N-Channel, प्रौद्योगिकी: MOSFET (Metal Oxide), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 200V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 660mA (Ta), ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडी चालू, न्यूनतम आरडी चालू): 0V, 10V, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 1.8 Ohm @ 660mA, 10V,

इच्छा-सूची

BSP135L6906HTSA1

Infineon Technologies

BSP135L6906HTSA1

भाग स्टॉक: 6085

एफईटी प्रकार: N-Channel, प्रौद्योगिकी: MOSFET (Metal Oxide), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 600V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 120mA (Ta), ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडी चालू, न्यूनतम आरडी चालू): 0V, 10V, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 45 Ohm @ 120mA, 10V,

इच्छा-सूची

BSP135L6327HTSA1

Infineon Technologies

BSP135L6327HTSA1

भाग स्टॉक: 106

एफईटी प्रकार: N-Channel, प्रौद्योगिकी: MOSFET (Metal Oxide), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 600V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 120mA (Ta), ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडी चालू, न्यूनतम आरडी चालू): 0V, 10V, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 45 Ohm @ 120mA, 10V,

इच्छा-सूची

Infineon Technologies

BSP135 E6906

भाग स्टॉक: 6091

एफईटी प्रकार: N-Channel, प्रौद्योगिकी: MOSFET (Metal Oxide), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 600V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 120mA (Ta), ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडी चालू, न्यूनतम आरडी चालू): 0V, 10V, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 45 Ohm @ 120mA, 10V,

इच्छा-सूची

Infineon Technologies

BSP135 E6327

भाग स्टॉक: 155

एफईटी प्रकार: N-Channel, प्रौद्योगिकी: MOSFET (Metal Oxide), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 600V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 120mA (Ta), ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडी चालू, न्यूनतम आरडी चालू): 0V, 10V, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 45 Ohm @ 120mA, 10V,

इच्छा-सूची

BSP129L6906HTSA1

Infineon Technologies

BSP129L6906HTSA1

भाग स्टॉक: 84

एफईटी प्रकार: N-Channel, प्रौद्योगिकी: MOSFET (Metal Oxide), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 240V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 350mA (Ta), ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडी चालू, न्यूनतम आरडी चालू): 0V, 10V, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 6 Ohm @ 350mA, 10V,

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3600

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