डायोड - रेक्टीफायर - सिंगल | असतत अर्धचालक उत्पाद | 21

MURH7020

भाग स्टॉक: 1712

डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 200V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 70A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1V @ 70A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), रिवर्स रिकवरी टाइम (trr): 75ns,

इच्छा-सूची

GeneSiC Semiconductor

MBR3580

भाग स्टॉक: 5704

डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 80V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 35A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 840mV @ 35A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची

GeneSiC Semiconductor

S85K

भाग स्टॉक: 9592

डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 800V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 85A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.1V @ 85A, स्पीड: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची

GeneSiC Semiconductor

FR40JR02

भाग स्टॉक: 9587

डायोड प्रकार: Standard, Reverse Polarity, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 600V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 40A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1V @ 40A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), रिवर्स रिकवरी टाइम (trr): 250ns,

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GeneSiC Semiconductor

MUR7005

भाग स्टॉक: 7615

डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 50V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 70A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1V @ 70A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), रिवर्स रिकवरी टाइम (trr): 75ns,

इच्छा-सूची

GeneSiC Semiconductor

FR16M05

भाग स्टॉक: 12891

डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 1000V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 16A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.1V @ 16A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), रिवर्स रिकवरी टाइम (trr): 500ns,

इच्छा-सूची

GeneSiC Semiconductor

MBR8030R

भाग स्टॉक: 5368

डायोड प्रकार: Schottky, Reverse Polarity, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 30V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 80A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 750mV @ 80A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची

GeneSiC Semiconductor

MBRH24030R

भाग स्टॉक: 27

डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 30V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 240A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 720mV @ 240A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची

GeneSiC Semiconductor

FR16JR02

भाग स्टॉक: 13694

डायोड प्रकार: Standard, Reverse Polarity, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 600V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 16A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 900mV @ 16A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), रिवर्स रिकवरी टाइम (trr): 250ns,

इच्छा-सूची

GeneSiC Semiconductor

FR16G05

भाग स्टॉक: 13544

डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 400V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 16A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.1V @ 16A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), रिवर्स रिकवरी टाइम (trr): 500ns,

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GeneSiC Semiconductor

FR20B02

भाग स्टॉक: 9603

डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 100V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 20A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1V @ 20A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), रिवर्स रिकवरी टाइम (trr): 200ns,

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GeneSiC Semiconductor

S85BR

भाग स्टॉक: 9653

डायोड प्रकार: Standard, Reverse Polarity, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 100V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 85A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.1V @ 85A, स्पीड: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MBR6030

भाग स्टॉक: 5377

डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 30V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 60A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 650mV @ 60A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची

GeneSiC Semiconductor

FR40B05

भाग स्टॉक: 9618

डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 100V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 40A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1V @ 40A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), रिवर्स रिकवरी टाइम (trr): 500ns,

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GeneSiC Semiconductor

S6DR

भाग स्टॉक: 15113

डायोड प्रकार: Standard, Reverse Polarity, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 200V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 6A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.1V @ 6A, स्पीड: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

S320KR

भाग स्टॉक: 1994

डायोड प्रकार: Standard, Reverse Polarity, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 800V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 320A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.2V @ 300A, स्पीड: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची

GeneSiC Semiconductor

FR70JR02

भाग स्टॉक: 9661

डायोड प्रकार: Standard, Reverse Polarity, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 600V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 70A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.4V @ 70A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), रिवर्स रिकवरी टाइम (trr): 250ns,

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GeneSiC Semiconductor

S12JR

भाग स्टॉक: 23757

डायोड प्रकार: Standard, Reverse Polarity, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 600V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 12A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.1V @ 12A, स्पीड: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची

GeneSiC Semiconductor

MBRH12045

भाग स्टॉक: 2888

डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 45V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 120A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 650mV @ 120A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

S16QR

भाग स्टॉक: 13087

डायोड प्रकार: Standard, Reverse Polarity, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 1200V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 16A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.1V @ 16A, स्पीड: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची

GeneSiC Semiconductor

MBR7560R

भाग स्टॉक: 5392

डायोड प्रकार: Schottky, Reverse Polarity, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 60V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 75A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 750mV @ 75A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची

GeneSiC Semiconductor

FR12MR05

भाग स्टॉक: 12961

डायोड प्रकार: Standard, Reverse Polarity, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 1000V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 12A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.4V @ 12A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), रिवर्स रिकवरी टाइम (trr): 500ns,

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GeneSiC Semiconductor

MBR7535

भाग स्टॉक: 5370

डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 35V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 75A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 750mV @ 75A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची

GeneSiC Semiconductor

S16J

भाग स्टॉक: 12929

डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 600V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 16A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.1V @ 16A, स्पीड: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची

GeneSiC Semiconductor

S40BR

भाग स्टॉक: 15054

डायोड प्रकार: Standard, Reverse Polarity, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 100V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 40A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.1V @ 40A, स्पीड: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची

GeneSiC Semiconductor

S6QR

भाग स्टॉक: 14910

डायोड प्रकार: Standard, Reverse Polarity, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 1200V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 6A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.1V @ 6A, स्पीड: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MBRH20035

भाग स्टॉक: 2626

डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 35V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 200A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 650mV @ 200A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

GKN130/14

भाग स्टॉक: 3663

डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 1400V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 165A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.5V @ 60A, स्पीड: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

S40K

भाग स्टॉक: 11288

डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 800V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 40A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.1V @ 40A, स्पीड: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

S85V

भाग स्टॉक: 9665

डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 1400V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 85A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.1V @ 85A, स्पीड: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

S16BR

भाग स्टॉक: 22492

डायोड प्रकार: Standard, Reverse Polarity, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 100V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 16A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.1V @ 16A, स्पीड: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

S300E

भाग स्टॉक: 1964

डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 300V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 300A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.2V @ 300A, स्पीड: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची

GeneSiC Semiconductor

MBRH24080R

भाग स्टॉक: 64

डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 80V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 240A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 840mV @ 240A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MBRH200200R

भाग स्टॉक: 1557

डायोड प्रकार: Schottky, Reverse Polarity, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 200V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 200A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 920mV @ 200A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

FR20DR02

भाग स्टॉक: 9664

डायोड प्रकार: Standard, Reverse Polarity, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 200V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 20A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1V @ 20A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), रिवर्स रिकवरी टाइम (trr): 200ns,

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GeneSiC Semiconductor

FR12JR05

भाग स्टॉक: 13589

डायोड प्रकार: Standard, Reverse Polarity, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 600V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 12A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 800mV @ 12A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), रिवर्स रिकवरी टाइम (trr): 500ns,

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