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डायोड - रेक्टीफायर - सिंगल

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  • डायोड - रेक्टीफायर - सिंगल
1N3213R
GeneSiC Semiconductor

1N3213R

भाग स्टॉक: 9594

डायोड प्रकार: Standard, Reverse Polarity, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 500V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 15A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.5V @ 15A, स्पीड: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची
1N5834R
GeneSiC Semiconductor

1N5834R

भाग स्टॉक: 5649

डायोड प्रकार: Schottky, Reverse Polarity, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 40V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 40A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 590mV @ 40A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची
1N3297A
GeneSiC Semiconductor

1N3297A

भाग स्टॉक: 3391

डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 1400V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 100A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.5V @ 100A, स्पीड: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची
1N3768
GeneSiC Semiconductor

1N3768

भाग स्टॉक: 9899

डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 1000V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 35A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.2V @ 35A, स्पीड: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची
1N3211R
GeneSiC Semiconductor

1N3211R

भाग स्टॉक: 13605

डायोड प्रकार: Standard, Reverse Polarity, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 300V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 15A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.5V @ 15A, स्पीड: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची
1N1188AR
GeneSiC Semiconductor

1N1188AR

भाग स्टॉक: 14724

डायोड प्रकार: Standard, Reverse Polarity, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 400V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 40A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.1V @ 40A, स्पीड: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची
1N1186R
GeneSiC Semiconductor

1N1186R

भाग स्टॉक: 14976

डायोड प्रकार: Standard, Reverse Polarity, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 200V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 35A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.2V @ 35A, स्पीड: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची
1N3293A
GeneSiC Semiconductor

1N3293A

भाग स्टॉक: 3421

डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 600V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 100A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.5V @ 100A, स्पीड: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची
1N1187R
GeneSiC Semiconductor

1N1187R

भाग स्टॉक: 11210

डायोड प्रकार: Standard, Reverse Polarity, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 300V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 35A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.2V @ 35A, स्पीड: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची
1N3766
GeneSiC Semiconductor

1N3766

भाग स्टॉक: 9596

डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 800V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 35A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.2V @ 35A, स्पीड: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची
1N2133AR
GeneSiC Semiconductor

1N2133AR

भाग स्टॉक: 9580

डायोड प्रकार: Standard, Reverse Polarity, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 300V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 60A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.1V @ 60A, स्पीड: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची
1N3671AR
GeneSiC Semiconductor

1N3671AR

भाग स्टॉक: 14489

डायोड प्रकार: Standard, Reverse Polarity, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 800V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 12A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.1V @ 12A, स्पीड: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची
1N5832
GeneSiC Semiconductor

1N5832

भाग स्टॉक: 5575

डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 20V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 40A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 520mV @ 40A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची
1N3208R
GeneSiC Semiconductor

1N3208R

भाग स्टॉक: 15260

डायोड प्रकार: Standard, Reverse Polarity, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 50V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 15A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.5V @ 15A, स्पीड: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची
150K100A
GeneSiC Semiconductor

150K100A

भाग स्टॉक: 3461

डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 1000V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 150A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.33V @ 150A, स्पीड: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची
1N1183R
GeneSiC Semiconductor

1N1183R

भाग स्टॉक: 15035

डायोड प्रकार: Standard, Reverse Polarity, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 50V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 35A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.2V @ 35A, स्पीड: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची
1N1202AR
GeneSiC Semiconductor

1N1202AR

भाग स्टॉक: 15978

डायोड प्रकार: Standard, Reverse Polarity, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 200V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 12A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.1V @ 12A, स्पीड: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची
1N2133A
GeneSiC Semiconductor

1N2133A

भाग स्टॉक: 9591

डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 300V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 60A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.1V @ 60A, स्पीड: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची
1N5828
GeneSiC Semiconductor

1N5828

भाग स्टॉक: 5643

डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 40V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 15A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 500mV @ 15A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची
1N4595
GeneSiC Semiconductor

1N4595

भाग स्टॉक: 3450

डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 1200V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 150A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.5V @ 150A, स्पीड: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची
1N4592R
GeneSiC Semiconductor

1N4592R

भाग स्टॉक: 3417

डायोड प्रकार: Standard, Reverse Polarity, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 600V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 150A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.5V @ 150A, स्पीड: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची
1N1190R
GeneSiC Semiconductor

1N1190R

भाग स्टॉक: 16753

डायोड प्रकार: Standard, Reverse Polarity, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 600V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 35A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.2V @ 35A, स्पीड: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची
1N8030-GA
GeneSiC Semiconductor

1N8030-GA

भाग स्टॉक: 464

डायोड प्रकार: Silicon Carbide Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 650V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 750mA, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.39V @ 750mA, स्पीड: No Recovery Time > 500mA (Io), रिवर्स रिकवरी टाइम (trr): 0ns,

इच्छा-सूची
1N8024-GA
GeneSiC Semiconductor

1N8024-GA

भाग स्टॉक: 457

डायोड प्रकार: Silicon Carbide Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 1200V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 750mA, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.74V @ 750mA, स्पीड: No Recovery Time > 500mA (Io), रिवर्स रिकवरी टाइम (trr): 0ns,

इच्छा-सूची
1N6095R
GeneSiC Semiconductor

1N6095R

भाग स्टॉक: 4316

डायोड प्रकार: Schottky, Reverse Polarity, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 30V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 25A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 580mV @ 25A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची
1N1184A
GeneSiC Semiconductor

1N1184A

भाग स्टॉक: 11180

डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 100V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 40A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.1V @ 40A, स्पीड: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची
1N3673AR
GeneSiC Semiconductor

1N3673AR

भाग स्टॉक: 12882

डायोड प्रकार: Standard, Reverse Polarity, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 1000V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 12A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.1V @ 12A, स्पीड: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची
1N1186AR
GeneSiC Semiconductor

1N1186AR

भाग स्टॉक: 10488

डायोड प्रकार: Standard, Reverse Polarity, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 200V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 40A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.1V @ 40A,

इच्छा-सूची
150KR60A
GeneSiC Semiconductor

150KR60A

भाग स्टॉक: 2965

डायोड प्रकार: Standard, Reverse Polarity, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 600V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 150A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.33V @ 150A, स्पीड: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची
1N1206AR
GeneSiC Semiconductor

1N1206AR

भाग स्टॉक: 17397

डायोड प्रकार: Standard, Reverse Polarity, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 600V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 12A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.1V @ 12A, स्पीड: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची
1N1184
GeneSiC Semiconductor

1N1184

भाग स्टॉक: 7472

डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 100V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 35A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.2V @ 35A, स्पीड: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची
1N3210
GeneSiC Semiconductor

1N3210

भाग स्टॉक: 11001

डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 200V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 15A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.5V @ 15A, स्पीड: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची
1N3214
GeneSiC Semiconductor

1N3214

भाग स्टॉक: 12725

डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 600V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 15A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.5V @ 15A, स्पीड: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची
1N3891
GeneSiC Semiconductor

1N3891

भाग स्टॉक: 11106

डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 200V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 12A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.4V @ 12A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), रिवर्स रिकवरी टाइम (trr): 200ns,

इच्छा-सूची
1N4595R
GeneSiC Semiconductor

1N4595R

भाग स्टॉक: 2917

डायोड प्रकार: Standard, Reverse Polarity, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 1200V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 150A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.5V @ 150A, स्पीड: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची
1N6098
GeneSiC Semiconductor

1N6098

भाग स्टॉक: 4336

डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 40V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 50A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 700mV @ 50A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची