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डायोड - रेक्टीफायर - सिंगल

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  • डायोड - रेक्टीफायर - सिंगल
1N3889
GeneSiC Semiconductor

1N3889

भाग स्टॉक: 12061

डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 50V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 12A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.4V @ 12A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), रिवर्स रिकवरी टाइम (trr): 200ns,

इच्छा-सूची
1N3893R
GeneSiC Semiconductor

1N3893R

भाग स्टॉक: 9557

डायोड प्रकार: Standard, Reverse Polarity, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 600V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 12A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.4V @ 12A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), रिवर्स रिकवरी टाइम (trr): 200ns,

इच्छा-सूची
1N1188R
GeneSiC Semiconductor

1N1188R

भाग स्टॉक: 14337

डायोड प्रकार: Standard, Reverse Polarity, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 400V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 35A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.2V @ 35A, स्पीड: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची
1N2131AR
GeneSiC Semiconductor

1N2131AR

भाग स्टॉक: 7092

डायोड प्रकार: Standard, Reverse Polarity, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 200V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 60A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.1V @ 60A, स्पीड: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची
1N1200A
GeneSiC Semiconductor

1N1200A

भाग स्टॉक: 15967

डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 100V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 12A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.1V @ 12A, स्पीड: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची
1N1190AR
GeneSiC Semiconductor

1N1190AR

भाग स्टॉक: 10679

डायोड प्रकार: Standard, Reverse Polarity, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 600V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 40A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.1V @ 40A, स्पीड: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची
1N1190A
GeneSiC Semiconductor

1N1190A

भाग स्टॉक: 11089

डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 600V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 40A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.1V @ 40A, स्पीड: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची
1N2138AR
GeneSiC Semiconductor

1N2138AR

भाग स्टॉक: 7743

डायोड प्रकार: Standard, Reverse Polarity, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 600V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 60A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.1V @ 60A, स्पीड: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची
1N1186A
GeneSiC Semiconductor

1N1186A

भाग स्टॉक: 11112

डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 200V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 40A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.1V @ 40A,

इच्छा-सूची
1N3768R
GeneSiC Semiconductor

1N3768R

भाग स्टॉक: 7145

डायोड प्रकार: Standard, Reverse Polarity, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 1000V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 35A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.2V @ 35A, स्पीड: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची
1N2130AR
GeneSiC Semiconductor

1N2130AR

भाग स्टॉक: 10388

डायोड प्रकार: Standard, Reverse Polarity, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 150V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 60A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.1V @ 60A, स्पीड: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची
1N3892
GeneSiC Semiconductor

1N3892

भाग स्टॉक: 11891

डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 400V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 12A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.4V @ 12A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), रिवर्स रिकवरी टाइम (trr): 200ns,

इच्छा-सूची
1N3879
GeneSiC Semiconductor

1N3879

भाग स्टॉक: 12395

डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 50V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 6A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.4V @ 6A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), रिवर्स रिकवरी टाइम (trr): 200ns,

इच्छा-सूची
1N3881R
GeneSiC Semiconductor

1N3881R

भाग स्टॉक: 11499

डायोड प्रकार: Standard, Reverse Polarity, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 200V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 6A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.4V @ 6A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), रिवर्स रिकवरी टाइम (trr): 200ns,

इच्छा-सूची
1N3881
GeneSiC Semiconductor

1N3881

भाग स्टॉक: 12277

डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 200V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 6A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.4V @ 6A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), रिवर्स रिकवरी टाइम (trr): 200ns,

इच्छा-सूची
1N3883
GeneSiC Semiconductor

1N3883

भाग स्टॉक: 9906

डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 400V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 6A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.4V @ 6A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), रिवर्स रिकवरी टाइम (trr): 200ns,

इच्छा-सूची
1N3879R
GeneSiC Semiconductor

1N3879R

भाग स्टॉक: 15729

डायोड प्रकार: Standard, Reverse Polarity, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 50V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 6A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.4V @ 6A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), रिवर्स रिकवरी टाइम (trr): 200ns,

इच्छा-सूची
1N3892R
GeneSiC Semiconductor

1N3892R

भाग स्टॉक: 11929

डायोड प्रकार: Standard, Reverse Polarity, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 400V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 12A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.4V @ 12A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), रिवर्स रिकवरी टाइम (trr): 200ns,

इच्छा-सूची
1N3883R
GeneSiC Semiconductor

1N3883R

भाग स्टॉक: 9515

डायोड प्रकार: Standard, Reverse Polarity, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 400V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 6A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.4V @ 6A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), रिवर्स रिकवरी टाइम (trr): 200ns,

इच्छा-सूची
1N8035-GA
GeneSiC Semiconductor

1N8035-GA

भाग स्टॉक: 457

डायोड प्रकार: Silicon Carbide Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 650V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 14.6A (DC), वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.5V @ 15A, स्पीड: No Recovery Time > 500mA (Io), रिवर्स रिकवरी टाइम (trr): 0ns,

इच्छा-सूची
1N8034-GA
GeneSiC Semiconductor

1N8034-GA

भाग स्टॉक: 435

डायोड प्रकार: Silicon Carbide Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 650V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 9.4A (DC), वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.34V @ 10A, स्पीड: No Recovery Time > 500mA (Io), रिवर्स रिकवरी टाइम (trr): 0ns,

इच्छा-सूची
1N8028-GA
GeneSiC Semiconductor

1N8028-GA

भाग स्टॉक: 456

डायोड प्रकार: Silicon Carbide Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 1200V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 9.4A (DC), वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.6V @ 10A, स्पीड: No Recovery Time > 500mA (Io), रिवर्स रिकवरी टाइम (trr): 0ns,

इच्छा-सूची
1N8031-GA
GeneSiC Semiconductor

1N8031-GA

भाग स्टॉक: 472

डायोड प्रकार: Silicon Carbide Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 650V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 1A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.5V @ 1A, स्पीड: No Recovery Time > 500mA (Io), रिवर्स रिकवरी टाइम (trr): 0ns,

इच्छा-सूची
1N3889R
GeneSiC Semiconductor

1N3889R

भाग स्टॉक: 12088

डायोड प्रकार: Standard, Reverse Polarity, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 50V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 12A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.4V @ 12A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), रिवर्स रिकवरी टाइम (trr): 200ns,

इच्छा-सूची
1N8033-GA
GeneSiC Semiconductor

1N8033-GA

भाग स्टॉक: 413

डायोड प्रकार: Silicon Carbide Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 650V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 4.3A (DC), वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.65V @ 5A, स्पीड: No Recovery Time > 500mA (Io), रिवर्स रिकवरी टाइम (trr): 0ns,

इच्छा-सूची
MBR3530R
GeneSiC Semiconductor

MBR3530R

भाग स्टॉक: 5706

डायोड प्रकार: Schottky, Reverse Polarity, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 30V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 35A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 680mV @ 35A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची
SD4145R
GeneSiC Semiconductor

SD4145R

भाग स्टॉक: 6557

डायोड प्रकार: Schottky, Reverse Polarity, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 45V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 30A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 680mV @ 30A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची
S40MR
GeneSiC Semiconductor

S40MR

भाग स्टॉक: 9616

डायोड प्रकार: Standard, Reverse Polarity, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 1000V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 40A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.1V @ 40A, स्पीड: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची
S150Q
GeneSiC Semiconductor

S150Q

भाग स्टॉक: 2529

डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 1200V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 150A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.2V @ 150A, स्पीड: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची
MBR8060R
GeneSiC Semiconductor

MBR8060R

भाग स्टॉक: 5428

डायोड प्रकार: Schottky, Reverse Polarity, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 60V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 80A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 750mV @ 80A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची
MBR6035
GeneSiC Semiconductor

MBR6035

भाग स्टॉक: 5414

डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 35V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 60A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 650mV @ 60A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची
MBRH12030
GeneSiC Semiconductor

MBRH12030

भाग स्टॉक: 2907

डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 30V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 120A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 650mV @ 120A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची
S300B
GeneSiC Semiconductor

S300B

भाग स्टॉक: 2041

डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 100V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 300A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.2V @ 300A, स्पीड: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची
S380ZR
GeneSiC Semiconductor

S380ZR

भाग स्टॉक: 2007

डायोड प्रकार: Standard, Reverse Polarity, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 2000V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 380A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.2V @ 380A, स्पीड: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची
FR12DR05
GeneSiC Semiconductor

FR12DR05

भाग स्टॉक: 16846

डायोड प्रकार: Standard, Reverse Polarity, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 200V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 12A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 800mV @ 12A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), रिवर्स रिकवरी टाइम (trr): 500ns,

इच्छा-सूची
MURH7010
GeneSiC Semiconductor

MURH7010

भाग स्टॉक: 31

डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 100V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 70A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1V @ 70A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), रिवर्स रिकवरी टाइम (trr): 75ns,

इच्छा-सूची