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डायोड - रेक्टीफायर्स - Arrays

BAV23CLT1G
ON Semiconductor

BAV23CLT1G

भाग स्टॉक: 146931

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 250V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 400mA, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.25V @ 200mA, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

विशलिस्ट के लिए
BAT54CLT3G
ON Semiconductor

BAT54CLT3G

भाग स्टॉक: 112816

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 30V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 200mA (DC), वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 800mV @ 100mA, स्पीड: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

विशलिस्ट के लिए
BAV99
ON Semiconductor

BAV99

भाग स्टॉक: 156101

डायोड विन्यास: 1 Pair Series Connection, डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 70V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 200mA, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.25V @ 150mA, स्पीड: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

विशलिस्ट के लिए
BAV99DW-7-F
Diodes Incorporated

BAV99DW-7-F

भाग स्टॉक: 163856

डायोड विन्यास: 2 Pair Series Connection, डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 75V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 215mA (DC), वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.25V @ 150mA, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

विशलिस्ट के लिए
BAV23S-7-F
Diodes Incorporated

BAV23S-7-F

भाग स्टॉक: 111098

डायोड विन्यास: 1 Pair Series Connection, डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 200V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 400mA (DC), वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.25V @ 200mA, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

विशलिस्ट के लिए
BAV23-7
Diodes Incorporated

BAV23-7

भाग स्टॉक: 142094

डायोड विन्यास: 2 Independent, डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 200V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 400mA (DC), वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.25V @ 200mA, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

विशलिस्ट के लिए
BAS40-06-7-F
Diodes Incorporated

BAS40-06-7-F

भाग स्टॉक: 171236

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Anode, डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 40V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 200mA (DC), वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1V @ 40mA, स्पीड: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

विशलिस्ट के लिए
BAT54CTA
Diodes Incorporated

BAT54CTA

भाग स्टॉक: 133645

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 30V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 200mA (DC), वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1V @ 100mA, स्पीड: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

विशलिस्ट के लिए
BAS40-05-7-F
Diodes Incorporated

BAS40-05-7-F

भाग स्टॉक: 151062

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 40V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 200mA (DC), वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1V @ 40mA, स्पीड: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

विशलिस्ट के लिए
BAS40-05-TP
Micro Commercial Co

BAS40-05-TP

भाग स्टॉक: 126463

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 40V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 200mA (DC), वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1V @ 40mA, स्पीड: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

विशलिस्ट के लिए
BAW56-TP
Micro Commercial Co

BAW56-TP

भाग स्टॉक: 182605

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Anode, डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 75V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 250mA (DC), वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 855mV @ 10mA, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

विशलिस्ट के लिए
BAV199-TP
Micro Commercial Co

BAV199-TP

भाग स्टॉक: 186972

डायोड विन्यास: 1 Pair Series Connection, डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 70V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 215mA (DC), वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.25V @ 150mA, स्पीड: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

विशलिस्ट के लिए
BAS40DW-04-TP
Micro Commercial Co

BAS40DW-04-TP

भाग स्टॉक: 160052

डायोड विन्यास: 2 Pair Series Connection, डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 40V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 200mA, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1V @ 40mA, स्पीड: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

विशलिस्ट के लिए
BAV23S-TP
Micro Commercial Co

BAV23S-TP

भाग स्टॉक: 106167

डायोड विन्यास: 1 Pair Series Connection, डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 200V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 225mA, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.25V @ 200mA, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

विशलिस्ट के लिए
BYV32-50-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYV32-50-E3/45

भाग स्टॉक: 93642

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 50V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 18A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.15V @ 20A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

विशलिस्ट के लिए
BYV32-150-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYV32-150-E3/45

भाग स्टॉक: 93652

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 150V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 18A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.15V @ 20A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

विशलिस्ट के लिए
BYT28F-400HE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT28F-400HE3/45

भाग स्टॉक: 95567

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 400V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 5A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.3V @ 5A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

विशलिस्ट के लिए
BYQ28EB-150HE3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYQ28EB-150HE3/81

भाग स्टॉक: 94147

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 150V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 5A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.1V @ 5A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

विशलिस्ट के लिए
BYQ28EB-200HE3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYQ28EB-200HE3/81

भाग स्टॉक: 94201

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 200V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 5A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.1V @ 5A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

विशलिस्ट के लिए
BYQ28EB-100HE3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYQ28EB-100HE3/81

भाग स्टॉक: 94148

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 100V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 5A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.1V @ 5A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

विशलिस्ट के लिए
BYQ28EB-100-E3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYQ28EB-100-E3/81

भाग स्टॉक: 99581

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 100V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 5A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.1V @ 5A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

विशलिस्ट के लिए
BYQ28EB-200-E3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYQ28EB-200-E3/81

भाग स्टॉक: 99628

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 200V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 5A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.1V @ 5A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

विशलिस्ट के लिए
BYQ28EB-150-E3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYQ28EB-150-E3/81

भाग स्टॉक: 99563

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 150V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 5A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.1V @ 5A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

विशलिस्ट के लिए
BYT28F-300HE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT28F-300HE3/45

भाग स्टॉक: 104917

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 300V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 5A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.3V @ 5A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

विशलिस्ट के लिए
BYT28F-400-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT28F-400-E3/45

भाग स्टॉक: 104928

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 400V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 5A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.3V @ 5A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

विशलिस्ट के लिए
BYT28F-300-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT28F-300-E3/45

भाग स्टॉक: 104927

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 300V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 5A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.3V @ 5A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

विशलिस्ट के लिए
BYT28B-400HE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT28B-400HE3/45

भाग स्टॉक: 107478

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 400V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 5A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.3V @ 5A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

विशलिस्ट के लिए
BYT28B-300HE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT28B-300HE3/45

भाग स्टॉक: 107542

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 300V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 5A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.3V @ 5A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

विशलिस्ट के लिए
BYQ28EB-100HE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYQ28EB-100HE3/45

भाग स्टॉक: 119216

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 100V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 5A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.1V @ 5A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

विशलिस्ट के लिए
BYQ28EB-200HE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYQ28EB-200HE3/45

भाग स्टॉक: 119258

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 200V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 5A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.1V @ 5A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

विशलिस्ट के लिए
BYQ28EF-200HE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYQ28EF-200HE3/45

भाग स्टॉक: 119266

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 200V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 5A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.1V @ 5A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

विशलिस्ट के लिए
BAV99,235
Nexperia USA Inc.

BAV99,235

भाग स्टॉक: 180619

डायोड विन्यास: 1 Pair Series Connection, डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 100V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 215mA (DC), वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.25V @ 150mA, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

विशलिस्ट के लिए
BAT721C,215
Nexperia USA Inc.

BAT721C,215

भाग स्टॉक: 135771

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 40V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 200mA (DC), वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 550mV @ 200mA, स्पीड: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

विशलिस्ट के लिए
BAT54C-G
Comchip Technology

BAT54C-G

भाग स्टॉक: 134924

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 30V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 200mA (DC), वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1V @ 100mA, स्पीड: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

विशलिस्ट के लिए
BAT5404E6327HTSA1
Infineon Technologies

BAT5404E6327HTSA1

भाग स्टॉक: 154931

डायोड विन्यास: 1 Pair Series Connection, डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 30V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 200mA (DC), वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 800mV @ 100mA, स्पीड: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

विशलिस्ट के लिए
BAT6404E6327HTSA1
Infineon Technologies

BAT6404E6327HTSA1

भाग स्टॉक: 160216

डायोड विन्यास: 1 Pair Series Connection, डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 40V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 120mA, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 750mV @ 100mA, स्पीड: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

विशलिस्ट के लिए