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डायोड - रेक्टीफायर्स - Arrays

BAV99T-7-F
Diodes Incorporated

BAV99T-7-F

भाग स्टॉक: 146128

डायोड विन्यास: 1 Pair Series Connection, डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 85V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 75mA (DC), वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1V @ 50mA, स्पीड: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

विशलिस्ट के लिए
BAV199Q-7-F
Diodes Incorporated

BAV199Q-7-F

भाग स्टॉक: 192574

डायोड विन्यास: 1 Pair Series Connection, डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 85V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 140mA (DC), वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.1V @ 50mA, स्पीड: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

विशलिस्ट के लिए
BAV99BRV-7
Diodes Incorporated

BAV99BRV-7

भाग स्टॉक: 135499

डायोड विन्यास: 2 Pair Series Connection, डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 75V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 215mA (DC), वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.25V @ 150mA, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

विशलिस्ट के लिए
BAV199W-7
Diodes Incorporated

BAV199W-7

भाग स्टॉक: 182301

डायोड विन्यास: 1 Pair Series Connection, डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 85V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 140mA (DC), वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.1V @ 50mA, स्पीड: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

विशलिस्ट के लिए
BAS116V-7
Diodes Incorporated

BAS116V-7

भाग स्टॉक: 101779

डायोड विन्यास: 2 Independent, डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 85V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 215mA (DC), वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.25V @ 150mA, स्पीड: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

विशलिस्ट के लिए
BAT54AW-7-F
Diodes Incorporated

BAT54AW-7-F

भाग स्टॉक: 147527

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Anode, डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 30V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 200mA (DC), वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1V @ 100mA, स्पीड: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

विशलिस्ट के लिए
BAS7005E6327HTSA1
Infineon Technologies

BAS7005E6327HTSA1

भाग स्टॉक: 117509

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 70V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 70mA (DC), वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1V @ 15mA, स्पीड: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

विशलिस्ट के लिए
BAS28 TR
Central Semiconductor Corp

BAS28 TR

भाग स्टॉक: 122513

डायोड विन्यास: 2 Independent, डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 75V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 250mA (DC), वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.25V @ 150mA, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

विशलिस्ट के लिए
BAR43SFILM
STMicroelectronics

BAR43SFILM

भाग स्टॉक: 108240

डायोड विन्यास: 1 Pair Series Connection, डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 30V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 100mA, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1V @ 100mA, स्पीड: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

विशलिस्ट के लिए
BAV99T-TP
Micro Commercial Co

BAV99T-TP

भाग स्टॉक: 148357

डायोड विन्यास: 1 Pair Series Connection, डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 85V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 75mA (DC), वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1V @ 50mA, स्पीड: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

विशलिस्ट के लिए
BAT54TW-TP
Micro Commercial Co

BAT54TW-TP

भाग स्टॉक: 145263

डायोड विन्यास: 3 Independent, डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 30V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 200mA (DC), वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1V @ 100mA, स्पीड: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

विशलिस्ट के लिए
BYVB32-200-E3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYVB32-200-E3/81

भाग स्टॉक: 80269

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 200V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 18A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.15V @ 20A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

विशलिस्ट के लिए
BYVB32-150-E3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYVB32-150-E3/81

भाग स्टॉक: 80306

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 150V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 18A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.15V @ 20A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

विशलिस्ट के लिए
BYVF32-100HE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYVF32-100HE3/45

भाग स्टॉक: 84390

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 100V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 18A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.15V @ 20A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

विशलिस्ट के लिए
BYVB32-100HE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYVB32-100HE3/45

भाग स्टॉक: 84406

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 100V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 18A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.15V @ 20A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

विशलिस्ट के लिए
BYVB32-200HE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYVB32-200HE3/45

भाग स्टॉक: 84421

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 200V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 18A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.15V @ 20A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

विशलिस्ट के लिए
BYVB32-150HE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYVB32-150HE3/45

भाग स्टॉक: 84464

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 150V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 18A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.15V @ 20A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

विशलिस्ट के लिए
BYVF32-150HE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYVF32-150HE3/45

भाग स्टॉक: 84448

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 150V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 18A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.15V @ 20A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

विशलिस्ट के लिए
BYVF32-200HE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYVF32-200HE3/45

भाग स्टॉक: 84465

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 200V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 18A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.15V @ 20A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

विशलिस्ट के लिए
BYVB32-50HE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYVB32-50HE3/45

भाग स्टॉक: 84388

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 50V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 18A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.15V @ 20A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

विशलिस्ट के लिए
BYVF32-50HE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYVF32-50HE3/45

भाग स्टॉक: 87228

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 50V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 18A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.15V @ 20A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

विशलिस्ट के लिए
BYVF32-100-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYVF32-100-E3/45

भाग स्टॉक: 87144

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 100V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 18A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.15V @ 20A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

विशलिस्ट के लिए
BYVF32-150-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYVF32-150-E3/45

भाग स्टॉक: 87197

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 150V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 18A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.15V @ 20A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

विशलिस्ट के लिए
BYVF32-50-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYVF32-50-E3/45

भाग स्टॉक: 87137

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 50V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 18A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.15V @ 20A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

विशलिस्ट के लिए
BYT28B-300HE3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT28B-300HE3/81

भाग स्टॉक: 84901

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 300V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 5A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.3V @ 5A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

विशलिस्ट के लिए
BYT28B-400HE3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT28B-400HE3/81

भाग स्टॉक: 84909

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 400V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 5A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.3V @ 5A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

विशलिस्ट के लिए
BYVB32-50-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYVB32-50-E3/45

भाग स्टॉक: 88816

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 50V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 18A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.15V @ 20A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

विशलिस्ट के लिए
BYVB32-100-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYVB32-100-E3/45

भाग स्टॉक: 88779

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 100V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 18A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.15V @ 20A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

विशलिस्ट के लिए
BYT28B-300-E3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT28B-300-E3/81

भाग स्टॉक: 87379

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 300V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 5A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.3V @ 5A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

विशलिस्ट के लिए
BYT28B-400-E3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT28B-400-E3/81

भाग स्टॉक: 87329

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 400V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 5A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.3V @ 5A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

विशलिस्ट के लिए
BAS40-07,215
Nexperia USA Inc.

BAS40-07,215

भाग स्टॉक: 164953

डायोड विन्यास: 2 Independent, डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 40V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 120mA (DC), वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1V @ 40mA, स्पीड: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

विशलिस्ट के लिए
BAV23,215
Nexperia USA Inc.

BAV23,215

भाग स्टॉक: 115772

डायोड विन्यास: 2 Independent, डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 200V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 225mA (DC), वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1V @ 100mA, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

विशलिस्ट के लिए
BAS70-05,215
Nexperia USA Inc.

BAS70-05,215

भाग स्टॉक: 109258

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 70V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 70mA (DC), वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1V @ 15mA, स्पीड: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

विशलिस्ट के लिए
BAV99S,135
Nexperia USA Inc.

BAV99S,135

भाग स्टॉक: 130049

डायोड विन्यास: 2 Pair Series Connection, डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 100V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 200mA (DC), वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.25V @ 150mA, स्पीड: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

विशलिस्ट के लिए
BAV70S,135
Nexperia USA Inc.

BAV70S,135

भाग स्टॉक: 195709

डायोड विन्यास: 2 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 100V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 250mA (DC), वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.25V @ 150mA, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

विशलिस्ट के लिए
BAV74LT1G
ON Semiconductor

BAV74LT1G

भाग स्टॉक: 180179

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 50V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 200mA (DC), वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1V @ 100mA, स्पीड: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

विशलिस्ट के लिए