प्रकार | विवरण |
भाग की स्थिति | Active |
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डायोड विन्यास | 2 Independent |
डायोड प्रकार | Silicon Carbide Schottky |
वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम) | 1200V |
करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड) | 100A (DC) |
वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर | 1.8V @ 100A |
स्पीड | No Recovery Time > 500mA (Io) |
रिवर्स रिकवरी टाइम (trr) | 0ns |
करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr | 1mA @ 1200V |
ऑपरेटिंग तापमान - जंक्शन | - |
माउन्टिंग का प्रकार | Chassis Mount |
पैकेज / केस | Module |
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज | Module |
RoHS स्थिति | RoHS कॉम्प्लाइंट |
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नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल) | लागू नहीं |
जीवनसूचक स्थिति | अप्रचलित / जीवन का अंत |
स्टॉक श्रेणी | मौजूदा भंडार |