डायोड - रेक्टीफायर - सिंगल | असतत अर्धचालक उत्पाद | 100

SS2PH9HM3_A/H

भाग स्टॉक: 89

डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 29V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 2A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 800mV @ 2A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची

Vishay Semiconductor Diodes Division

V20PW60-M3/I

भाग स्टॉक: 150636

डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 60V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 20A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 660mV @ 20A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची

Vishay Semiconductor Diodes Division

UG1C-M3/73

भाग स्टॉक: 175166

डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 150V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 1A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 950mV @ 1A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), रिवर्स रिकवरी टाइम (trr): 25ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-5ECH06-M3/9AT

भाग स्टॉक: 184431

डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 600V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 5A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.95V @ 5A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), रिवर्स रिकवरी टाइम (trr): 23ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

SB240S-E3/54

भाग स्टॉक: 180807

डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 40V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 2A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 550mV @ 2A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-30BQ015-M3/9AT

भाग स्टॉक: 182364

डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 15V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 3A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 350mV @ 3A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Vishay Semiconductor Diodes Division

RS3B-E3/9AT

भाग स्टॉक: 162851

डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 100V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 3A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.3V @ 2.5A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), रिवर्स रिकवरी टाइम (trr): 150ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

VF10150S-E3/4W

भाग स्टॉक: 130546

डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 150V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 10A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.2V @ 10A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Vishay Semiconductor Diodes Division

RS3D-M3/9AT

भाग स्टॉक: 173174

डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 200V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 3A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.3V @ 2.5A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), रिवर्स रिकवरी टाइम (trr): 150ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

S5GHE3_A/I

भाग स्टॉक: 154855

डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 400V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 5A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.15V @ 5A, स्पीड: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), रिवर्स रिकवरी टाइम (trr): 2.5µs,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

SS2H9-E3/52T

भाग स्टॉक: 184421

डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 90V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 2A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 790mV @ 2A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Vishay Semiconductor Diodes Division

SS26HE3_A/I

भाग स्टॉक: 175345

डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 60V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 2A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 700mV @ 2A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Vishay Semiconductor Diodes Division

SL44-M3/9AT

भाग स्टॉक: 143150

डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 40V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 4A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 440mV @ 4A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Vishay Semiconductor Diodes Division

SL23-M3/5BT

भाग स्टॉक: 104954

डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 30V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 2A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 500mV @ 2A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Vishay Semiconductor Diodes Division

S1PJHM3J/84A

भाग स्टॉक: 123648

डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 600V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 1A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.1V @ 1A, स्पीड: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), रिवर्स रिकवरी टाइम (trr): 1.8µs,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

SS2P4HM3/84A

भाग स्टॉक: 153780

डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 40V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 2A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 550mV @ 2A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Vishay Semiconductor Diodes Division

RS3GHE3_A/I

भाग स्टॉक: 124575

डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 400V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 3A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.3V @ 2.5A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), रिवर्स रिकवरी टाइम (trr): 150ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

S5KHE3_A/I

भाग स्टॉक: 195340

डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 800V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 5A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.15V @ 5A, स्पीड: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), रिवर्स रिकवरी टाइम (trr): 2.5µs,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

S5JHE3_A/H

भाग स्टॉक: 136107

डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 600V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 5A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.15V @ 5A, स्पीड: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), रिवर्स रिकवरी टाइम (trr): 2.5µs,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

VIT2080S-E3/4W

भाग स्टॉक: 140332

डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 80V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 20A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 920mV @ 20A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Vishay Semiconductor Diodes Division

RS1PB-M3/84A

भाग स्टॉक: 122353

डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 100V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 1A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.3V @ 1A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), रिवर्स रिकवरी टाइम (trr): 150ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

SS3H9HE3_B/I

भाग स्टॉक: 105

डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 90V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 3A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 800mV @ 3A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Vishay Semiconductor Diodes Division

SS29-M3/5BT

भाग स्टॉक: 180933

डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 90V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 1.5A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 950mV @ 3A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Vishay Semiconductor Diodes Division

SS36-E3/9AT

भाग स्टॉक: 168758

डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 60V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 3A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 750mV @ 3A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Vishay Semiconductor Diodes Division

SS3P3HM3/85A

भाग स्टॉक: 152510

डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 30V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 3A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 580mV @ 3A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Vishay Semiconductor Diodes Division

SB160-E3/53

भाग स्टॉक: 125480

डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 60V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 1A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 650mV @ 1A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Vishay Semiconductor Diodes Division

SL23HE3_A/H

भाग स्टॉक: 150924

डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 30V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 2A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 395mV @ 1A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Vishay Semiconductor Diodes Division

UF5405-E3/73

भाग स्टॉक: 111356

डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 500V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 3A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.7V @ 3A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), रिवर्स रिकवरी टाइम (trr): 75ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

GPP10G-E3/54

भाग स्टॉक: 115566

डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 400V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 1A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.1V @ 1A, स्पीड: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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Vishay Semiconductor Diodes Division

MUR440-E3/73

भाग स्टॉक: 125861

डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 400V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 4A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.28V @ 4A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), रिवर्स रिकवरी टाइम (trr): 75ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

SS3P4HM3J/84A

भाग स्टॉक: 136622

डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 40V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 3A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 600mV @ 3A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-10BQ060HM3/5BT

भाग स्टॉक: 134192

डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 60V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 1A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 490mV @ 1A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची

Vishay Semiconductor Diodes Division

VI10150S-E3/4W

भाग स्टॉक: 135341

डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 150V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 10A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.2V @ 10A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Vishay Semiconductor Diodes Division

SS210HE3_A/H

भाग स्टॉक: 103

डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 100V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 1.5A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 950mV @ 3A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Vishay Semiconductor Diodes Division

S5J-E3/9AT

भाग स्टॉक: 133557

डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 600V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 5A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.15V @ 5A, स्पीड: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), रिवर्स रिकवरी टाइम (trr): 2.5µs,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

SS29-M3/52T

भाग स्टॉक: 123705

डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 90V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 1.5A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 750mV @ 1A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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