डायोड - रेक्टीफायर - सिंगल | असतत अर्धचालक उत्पाद | 100

VIT2060G-M3/4W

भाग स्टॉक: 138736

डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 60V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 10A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 900mV @ 10A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची

Vishay Semiconductor Diodes Division

SS1P3-M3/84A

भाग स्टॉक: 193765

डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 30V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 1A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 450mV @ 1A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची

Vishay Semiconductor Diodes Division

S1PJ-M3/85A

भाग स्टॉक: 100120

डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 600V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 1A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.1V @ 1A, स्पीड: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), रिवर्स रिकवरी टाइम (trr): 1.8µs,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

S5M-M3/57T

भाग स्टॉक: 123217

डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 1000V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 5A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.15V @ 5A, स्पीड: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), रिवर्स रिकवरी टाइम (trr): 2.5µs,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

VF30100S-M3/4W

भाग स्टॉक: 107855

डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 100V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 30A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 910mV @ 30A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Vishay Semiconductor Diodes Division

SS3P5-M3/84A

भाग स्टॉक: 181295

डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 50V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 3A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 780mV @ 3A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Vishay Semiconductor Diodes Division

VFT2080S-M3/4W

भाग स्टॉक: 152821

डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 80V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 20A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 920mV @ 20A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Vishay Semiconductor Diodes Division

S5B-M3/57T

भाग स्टॉक: 151529

डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 100V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 5A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.15V @ 5A, स्पीड: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), रिवर्स रिकवरी टाइम (trr): 2.5µs,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

UF5400-E3/73

भाग स्टॉक: 117642

डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 50V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 3A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1V @ 3A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), रिवर्स रिकवरी टाइम (trr): 50ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-MBRS360-M3/9AT

भाग स्टॉक: 158724

डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 60V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 3A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 740mV @ 3A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Vishay Semiconductor Diodes Division

CS2M-E3/H

भाग स्टॉक: 140

डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 1000V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 2A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.2V @ 2A, स्पीड: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), रिवर्स रिकवरी टाइम (trr): 2.1µs,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

S3G-M3/57T

भाग स्टॉक: 196236

डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 400V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 3A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.15V @ 2.5A, स्पीड: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), रिवर्स रिकवरी टाइम (trr): 2.5µs,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

V20150S-E3/4W

भाग स्टॉक: 109177

डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 150V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 20A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.43V @ 20A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Vishay Semiconductor Diodes Division

SS22-M3/52T

भाग स्टॉक: 174384

डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 20V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 2A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 500mV @ 2A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Vishay Semiconductor Diodes Division

SS33-M3/57T

भाग स्टॉक: 183313

डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 30V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 3A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 500mV @ 3A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Vishay Semiconductor Diodes Division

SS3P6HM3/85A

भाग स्टॉक: 176160

डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 60V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 3A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 780mV @ 3A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Vishay Semiconductor Diodes Division

CS2G-E3/I

भाग स्टॉक: 116001

डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 400V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 1.6A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.15V @ 2A, स्पीड: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), रिवर्स रिकवरी टाइम (trr): 2.1µs,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

SB560A-E3/54

भाग स्टॉक: 168374

डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 60V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 5A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 700mV @ 5A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Vishay Semiconductor Diodes Division

MSS2P2-M3/89A

भाग स्टॉक: 179575

डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 20V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 2A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 600mV @ 2A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Vishay Semiconductor Diodes Division

V35PWM12HM3/I

भाग स्टॉक: 127748

डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 120V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 35A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.05V @ 35A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Vishay Semiconductor Diodes Division

V35PWM15-M3/I

भाग स्टॉक: 132835

डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 150V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 35A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.4V @ 35A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Vishay Semiconductor Diodes Division

GPP10M-E3/54

भाग स्टॉक: 166791

डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 1000V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 1A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.1V @ 1A, स्पीड: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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Vishay Semiconductor Diodes Division

MBRF10100-M3/4W

भाग स्टॉक: 136926

डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 100V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 10A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 800mV @ 10A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Vishay Semiconductor Diodes Division

S1PGHM3/84A

भाग स्टॉक: 133922

डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 400V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 1A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.1V @ 1A, स्पीड: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), रिवर्स रिकवरी टाइम (trr): 1.8µs,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

SS24-M3/5BT

भाग स्टॉक: 111461

डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 40V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 2A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 500mV @ 2A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Vishay Semiconductor Diodes Division

S3M-E3/9AT

भाग स्टॉक: 165840

डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 1000V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 3A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.15V @ 2.5A, स्पीड: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), रिवर्स रिकवरी टाइम (trr): 2.5µs,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

GPP20G-E3/54

भाग स्टॉक: 159287

डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 400V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 2A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.1V @ 2A, स्पीड: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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Vishay Semiconductor Diodes Division

S2A-M3/5BT

भाग स्टॉक: 145700

डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 50V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 1.5A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.15V @ 1.5A, स्पीड: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), रिवर्स रिकवरी टाइम (trr): 2µs,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

SSB43LHE3_A/I

भाग स्टॉक: 138

डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 30V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 4A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 490mV @ 4A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Vishay Semiconductor Diodes Division

UG4A-E3/73

भाग स्टॉक: 124753

डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 50V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 4A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 950mV @ 4A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), रिवर्स रिकवरी टाइम (trr): 30ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

V20PWM60-M3/I

भाग स्टॉक: 187987

डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 60V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 20A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 700mV @ 20A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Vishay Semiconductor Diodes Division

V30DM120HM3/I

भाग स्टॉक: 112605

डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 120V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 30A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.06V @ 30A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Vishay Semiconductor Diodes Division

S2BHE3_A/H

भाग स्टॉक: 111000

डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 100V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 1.5A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.15V @ 1.5A, स्पीड: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), रिवर्स रिकवरी टाइम (trr): 2µs,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

UF1007-M3/54

भाग स्टॉक: 181161

डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 1000V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 1A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.7V @ 1A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), रिवर्स रिकवरी टाइम (trr): 75ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

RS3G-M3/57T

भाग स्टॉक: 122801

डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 400V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 3A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.3V @ 2.5A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), रिवर्स रिकवरी टाइम (trr): 150ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

V35PWM12-M3/I

भाग स्टॉक: 127734

डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 120V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 35A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.05V @ 35A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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