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डायोड - रेक्टीफायर - सिंगल

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125NQ015R
Vishay Semiconductor Diodes Division

125NQ015R

भाग स्टॉक: 10066

डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 15V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 120A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 390mV @ 120A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची
125NQ015
Vishay Semiconductor Diodes Division

125NQ015

भाग स्टॉक: 10023

डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 15V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 120A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 390mV @ 120A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची
123NQ100
Vishay Semiconductor Diodes Division

123NQ100

भाग स्टॉक: 10053

डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 100V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 120A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 910mV @ 120A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची
122NQ030
Vishay Semiconductor Diodes Division

122NQ030

भाग स्टॉक: 10007

डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 30V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 120A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 490mV @ 120A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची
10MQ100NTR
Vishay Semiconductor Diodes Division

10MQ100NTR

भाग स्टॉक: 9999

डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 100V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 2.1A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 780mV @ 1A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची
10MQ060NTR
Vishay Semiconductor Diodes Division

10MQ060NTR

भाग स्टॉक: 10046

डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 60V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 2.1A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 710mV @ 1.5A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची
10MQ100N
Vishay Semiconductor Diodes Division

10MQ100N

भाग स्टॉक: 10040

डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 100V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 2.1A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 780mV @ 1A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची
10MQ060N
Vishay Semiconductor Diodes Division

10MQ060N

भाग स्टॉक: 10029

डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 60V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 2.1A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 710mV @ 1.5A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची
10MQ040N
Vishay Semiconductor Diodes Division

10MQ040N

भाग स्टॉक: 10065

डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 40V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 2.1A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 540mV @ 1A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची
10ETS08S
Vishay Semiconductor Diodes Division

10ETS08S

भाग स्टॉक: 10028

डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 800V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 10A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.1V @ 10A, स्पीड: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची
10ETF06S
Vishay Semiconductor Diodes Division

10ETF06S

भाग स्टॉक: 10065

डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 600V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 10A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.2V @ 10A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), रिवर्स रिकवरी टाइम (trr): 145ns,

इच्छा-सूची
10ETS08
Vishay Semiconductor Diodes Division

10ETS08

भाग स्टॉक: 9998

डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 800V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 10A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.1V @ 10A, स्पीड: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची
10ETF06
Vishay Semiconductor Diodes Division

10ETF06

भाग स्टॉक: 10064

डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 600V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 10A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.2V @ 10A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), रिवर्स रिकवरी टाइम (trr): 145ns,

इच्छा-सूची
10BQ100TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

10BQ100TR

भाग स्टॉक: 10063

डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 100V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 1A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 780mV @ 1A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची
10ETF02S
Vishay Semiconductor Diodes Division

10ETF02S

भाग स्टॉक: 10053

डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 200V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 10A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.2V @ 10A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), रिवर्स रिकवरी टाइम (trr): 145ns,

इच्छा-सूची
10BQ040
Vishay Semiconductor Diodes Division

10BQ040

भाग स्टॉक: 9982

डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 40V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 1A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 530mV @ 1A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची
10BQ015
Vishay Semiconductor Diodes Division

10BQ015

भाग स्टॉक: 9993

डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 15V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 1A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 350mV @ 1A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची
10BQ015TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

10BQ015TR

भाग स्टॉक: 10010

डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 15V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 1A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 350mV @ 1A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची
1N5822/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

1N5822/54

भाग स्टॉक: 4999

डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 40V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 3A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 525mV @ 3A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची
1N5407-E3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

1N5407-E3/54

भाग स्टॉक: 149424

डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 800V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 3A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.2V @ 3A, स्पीड: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची
1N5818/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

1N5818/54

भाग स्टॉक: 10003

डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 30V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 1A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 550mV @ 1A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची
1N5402-E3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

1N5402-E3/54

भाग स्टॉक: 121104

डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 200V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 3A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.2V @ 3A, स्पीड: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची
1N5405-E3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

1N5405-E3/54

भाग स्टॉक: 102195

डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 500V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 3A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.2V @ 3A, स्पीड: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची
1N5402/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

1N5402/54

भाग स्टॉक: 9941

डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 200V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 3A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.2V @ 3A, स्पीड: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची
1N2059
Vishay Semiconductor Diodes Division

1N2059

भाग स्टॉक: 9980

डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 300V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 250A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.25V @ 250A, स्पीड: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची
1N3291RA
Vishay Semiconductor Diodes Division

1N3291RA

भाग स्टॉक: 9917

डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 400V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 100A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.5V @ 100A, स्पीड: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची
19TQ015
Vishay Semiconductor Diodes Division

19TQ015

भाग स्टॉक: 4997

डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 15V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 19A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 360mV @ 19A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची
1N4004/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

1N4004/54

भाग स्टॉक: 9921

डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 400V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 1A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.1V @ 1A, स्पीड: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची
1N4006/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

1N4006/54

भाग स्टॉक: 9952

डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 800V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 1A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.1V @ 1A, स्पीड: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची
1N4001/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

1N4001/54

भाग स्टॉक: 9956

डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 50V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 1A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.1V @ 1A, स्पीड: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची
1N4002/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

1N4002/54

भाग स्टॉक: 9955

डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 100V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 1A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.1V @ 1A, स्पीड: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची
10BQ100
Vishay Semiconductor Diodes Division

10BQ100

भाग स्टॉक: 9888

डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 100V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 1A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 780mV @ 1A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची
1N4007/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

1N4007/54

भाग स्टॉक: 9893

डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 1000V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 1A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.1V @ 1A, स्पीड: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची
1N4005/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

1N4005/54

भाग स्टॉक: 9964

डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 600V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 1A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.1V @ 1A, स्पीड: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची
1N6481-E3/96
Vishay Semiconductor Diodes Division

1N6481-E3/96

भाग स्टॉक: 185547

डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 400V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 1A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.1V @ 1A, स्पीड: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची
1N6484-E3/96
Vishay Semiconductor Diodes Division

1N6484-E3/96

भाग स्टॉक: 187847

डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 1000V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 1A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.1V @ 1A, स्पीड: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची