Menu
हिंदीहिंदी
Rfqs / आदेश
0Rfqs / आदेश

डायोड - रेक्टीफायर्स - Arrays

  • घर
  •  
  • डायोड - रेक्टीफायर्स - Arrays
VS-VSKC166/16PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKC166/16PBF

भाग स्टॉक: 1339

डायोड विन्यास: 1 Pair Series Connection, डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 1600V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 82.5A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.43V @ 259A, स्पीड: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची
MBRB3045CTHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

MBRB3045CTHE3_A/I

भाग स्टॉक: 50477

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 45V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 15A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 600mV @ 20A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची
MBR4060PT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

MBR4060PT-E3/45

भाग स्टॉक: 35899

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 60V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 20A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 720mV @ 20A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची
MBRB1560CT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

MBRB1560CT-E3/45

भाग स्टॉक: 113490

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 60V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 7.5A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 750mV @ 7.5A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची
VS-VSKCU300/06PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKCU300/06PBF

भाग स्टॉक: 417

डायोड विन्यास: 1 Pair Series Connection, डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 600V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 435A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.96V @ 300A, स्पीड: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची
VS-VSKD91/06
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKD91/06

भाग स्टॉक: 2119

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 600V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 50A, स्पीड: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची
MBRF2060CT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

MBRF2060CT-E3/45

भाग स्टॉक: 94569

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 60V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 10A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 800mV @ 10A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची
VS-VSKC71/06
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKC71/06

भाग स्टॉक: 2100

डायोड विन्यास: 1 Pair Series Connection, डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 600V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 40A, स्पीड: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची
VBT1045C-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division

VBT1045C-M3/4W

भाग स्टॉक: 114356

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 45V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 5A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 580mV @ 5A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची
MBRB2060CTHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

MBRB2060CTHE3_A/I

भाग स्टॉक: 50481

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 60V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 10A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 800mV @ 10A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची
VS-UFL250AB60
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-UFL250AB60

भाग स्टॉक: 4250

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 600V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 130A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.44V @ 100A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची
MBRB1545CTHE3_A/P
Vishay Semiconductor Diodes Division

MBRB1545CTHE3_A/P

भाग स्टॉक: 105725

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 45V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 7.5A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 840mV @ 15A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची
MBRB2045CTHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

MBRB2045CTHE3_A/I

भाग स्टॉक: 79716

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 45V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 10A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 650mV @ 10A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची
MBR30H35PT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

MBR30H35PT-E3/45

भाग स्टॉक: 59584

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 35V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 30A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 730mV @ 30A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची
VS-VSKJS203/100
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKJS203/100

भाग स्टॉक: 2015

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Anode, डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 100V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 100A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 990mV @ 100A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची
VS-VSKD236/16PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKD236/16PBF

भाग स्टॉक: 1260

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 1600V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 115A, स्पीड: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची
MBRF2045CTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

MBRF2045CTHE3/45

भाग स्टॉक: 90560

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 45V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 10A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 650mV @ 10A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची
VB40100C-M3/8W
Vishay Semiconductor Diodes Division

VB40100C-M3/8W

भाग स्टॉक: 58630

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 100V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 20A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 730mV @ 20A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची
VS-VSKCS201/045
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKCS201/045

भाग स्टॉक: 1929

डायोड विन्यास: 1 Pair Series Connection, डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 45V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 100A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 720mV @ 100A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची
VBT2060G-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division

VBT2060G-E3/4W

भाग स्टॉक: 189649

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 60V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 10A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 900mV @ 10A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची
VBT10202C-M3/8W
Vishay Semiconductor Diodes Division

VBT10202C-M3/8W

भाग स्टॉक: 76398

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 200V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 5A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 880mV @ 5A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची
VS-VSKC56/10
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKC56/10

भाग स्टॉक: 2170

डायोड विन्यास: 1 Pair Series Connection, डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 1000V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 30A, स्पीड: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची
MB10H100CTHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

MB10H100CTHE3_A/I

भाग स्टॉक: 71203

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 100V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 5A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 760mV @ 5A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची
VS-VSKJ91/14
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKJ91/14

भाग स्टॉक: 1979

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Anode, डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 1400V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 50A, स्पीड: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची
VS-VSKD236/08PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKD236/08PBF

भाग स्टॉक: 1232

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 800V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 115A, स्पीड: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची
VS-VSKC56/14
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKC56/14

भाग स्टॉक: 2195

डायोड विन्यास: 1 Pair Series Connection, डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 1400V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 30A, स्पीड: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची
VS-VSKJ56/14
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKJ56/14

भाग स्टॉक: 2144

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Anode, डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 1400V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 30A, स्पीड: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची
VS-VSKC91/16
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKC91/16

भाग स्टॉक: 2010

डायोड विन्यास: 1 Pair Series Connection, डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 1600V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 50A, स्पीड: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची
VS-209CNQ135PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-209CNQ135PBF

भाग स्टॉक: 1490

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 135V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 100A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.06V @ 100A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची
VS-30CTQ045-1PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-30CTQ045-1PBF

भाग स्टॉक: 36323

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 45V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 15A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 620mV @ 15A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची
MB30H100CTHE3_A/P
Vishay Semiconductor Diodes Division

MB30H100CTHE3_A/P

भाग स्टॉक: 77658

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 100V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 15A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 820mV @ 15A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची
VS-UFB80FA40
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-UFB80FA40

भाग स्टॉक: 4793

डायोड विन्यास: 2 Independent, डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 400V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 40A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.39V @ 30A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची
VS-VSKDS409/150
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKDS409/150

भाग स्टॉक: 1014

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 150V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 100A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.03V @ 200A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची
VS-VSKD71/08
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKD71/08

भाग स्टॉक: 2109

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 800V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 40A, स्पीड: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची
MBRB25H35CTHE3_A/P
Vishay Semiconductor Diodes Division

MBRB25H35CTHE3_A/P

भाग स्टॉक: 84771

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 35V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 15A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 640mV @ 15A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची
VS-25CTQ045PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-25CTQ045PBF

भाग स्टॉक: 39042

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 45V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 15A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 560mV @ 15A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची