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डायोड - रेक्टीफायर्स - Arrays

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VB30120C-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division

VB30120C-E3/4W

भाग स्टॉक: 79933

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 120V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 15A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 970mV @ 15A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची
VS-16CTU04STRL-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-16CTU04STRL-M3

भाग स्टॉक: 179

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 400V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 8A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.3V @ 8A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची
VS-MURD620CTTRL-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-MURD620CTTRL-M3

भाग स्टॉक: 169295

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 200V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 3A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1V @ 3A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची
VS-42CTQ030-1-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-42CTQ030-1-M3

भाग स्टॉक: 70787

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 30V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 20A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 480mV @ 20A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची
VS-VSKDS303/100
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKDS303/100

भाग स्टॉक: 1868

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 100V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 150A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 950mV @ 150A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची
VS-UFB230FA60
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-UFB230FA60

भाग स्टॉक: 1461

डायोड विन्यास: 2 Independent, डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 600V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 141A (DC), वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.78V @ 100A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची
VS-VSKC236/04PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKC236/04PBF

भाग स्टॉक: 1310

डायोड विन्यास: 1 Pair Series Connection, डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 400V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 115A, स्पीड: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची
MBRB3045CT-E3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division

MBRB3045CT-E3/81

भाग स्टॉक: 64510

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 45V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 15A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 600mV @ 20A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची
SBL1040CT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

SBL1040CT-E3/45

भाग स्टॉक: 134563

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 40V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 5A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 550mV @ 5A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची
MB10H100CTHE3_A/P
Vishay Semiconductor Diodes Division

MB10H100CTHE3_A/P

भाग स्टॉक: 85935

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 100V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 5A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 760mV @ 5A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची
MBRB1090CT-E3/8W
Vishay Semiconductor Diodes Division

MBRB1090CT-E3/8W

भाग स्टॉक: 101065

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 90V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 5A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 850mV @ 5A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची
VS-HFA210NJ60CPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-HFA210NJ60CPBF

भाग स्टॉक: 1589

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 600V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 235A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 2.25V @ 210A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची
MBRB20H60CTHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

MBRB20H60CTHE3_A/I

भाग स्टॉक: 55414

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 60V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 10A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 710mV @ 10A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची
VS-VSUD410CW60
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSUD410CW60

भाग स्टॉक: 1596

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 600V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 572A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.37V @ 400A, स्पीड: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची
VT60M120CHM3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division

VT60M120CHM3/4W

भाग स्टॉक: 58783

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 120V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 30A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 970mV @ 30A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची
MBR40H45PT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

MBR40H45PT-E3/45

भाग स्टॉक: 41001

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 45V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 40A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 730mV @ 40A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची
MBRF1545CT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

MBRF1545CT-E3/45

भाग स्टॉक: 110896

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 45V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 7.5A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 570mV @ 7.5A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची
VB20200G-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division

VB20200G-E3/4W

भाग स्टॉक: 94843

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 200V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 10A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.7V @ 10A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची
VS-VSKJ56/16
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKJ56/16

भाग स्टॉक: 2154

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Anode, डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 1600V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 30A, स्पीड: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची
MBR30H100PT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

MBR30H100PT-E3/45

भाग स्टॉक: 43089

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 100V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 15A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 820mV @ 15A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची
VS-VSKD166/16PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKD166/16PBF

भाग स्टॉक: 1242

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 1600V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 82.5A, स्पीड: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची
VS-UFB170FA60
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-UFB170FA60

भाग स्टॉक: 4425

डायोड विन्यास: 2 Independent, डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 600V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 94A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.19V @ 50A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची
VS-409CNQ150PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-409CNQ150PBF

भाग स्टॉक: 1439

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 150V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 400A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.46V @ 400A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची
VS-VSKDS200/045
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKDS200/045

भाग स्टॉक: 1905

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 45V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 100A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 670V @ 100A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची
VS-VSKDS401/045
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKDS401/045

भाग स्टॉक: 1584

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 45V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 100A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 720mV @ 200A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची
SBL3030PT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

SBL3030PT-E3/45

भाग स्टॉक: 48030

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 30V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 15A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 550mV @ 15A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची
VS-VSKCS200/045
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKCS200/045

भाग स्टॉक: 1774

डायोड विन्यास: 1 Pair Series Connection, डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 45V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 100A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 670mV @ 100A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची
MBR4045PT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

MBR4045PT-E3/45

भाग स्टॉक: 62759

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 45V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 40A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 800mV @ 40A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची
VS-201CNQ045PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-201CNQ045PBF

भाग स्टॉक: 1600

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 45V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 100A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 670mV @ 100A, स्पीड: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची
VS-VSKD166/08PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKD166/08PBF

भाग स्टॉक: 1368

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 800V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 82.5A, स्पीड: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची
MBR2560CT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

MBR2560CT-E3/45

भाग स्टॉक: 78278

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 60V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 15A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 750mV @ 15A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची
VS-80CPU02-N3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-80CPU02-N3

भाग स्टॉक: 8537

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 200V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 40A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.02V @ 40A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची
VS-VSKCS303/100
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKCS303/100

भाग स्टॉक: 1641

डायोड विन्यास: 1 Pair Series Connection, डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 100V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 150A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 950mV @ 150A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची
SBLB1040CT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

SBLB1040CT-E3/45

भाग स्टॉक: 114235

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 40V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 5A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 550mV @ 5A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची
SBL4030PT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

SBL4030PT-E3/45

भाग स्टॉक: 45672

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 30V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 40A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 580mV @ 20A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची
VS-VSKJ91/16
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKJ91/16

भाग स्टॉक: 2018

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Anode, डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 1600V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 50A, स्पीड: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची