ट्रांजिस्टर - FETs, MOSFETs - सिंगल

SQD100N04-3M6_GE3

भाग स्टॉक: 7817

एफईटी प्रकार: N-Channel, प्रौद्योगिकी: MOSFET (Metal Oxide), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 40V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 100A (Tc), ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडी चालू, न्यूनतम आरडी चालू): 10V, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 3.6 mOhm @ 20A, 10V,

SQR40030ER_GE3

भाग स्टॉक: 7728

SQS405ENW-T1_GE3

भाग स्टॉक: 7540

एफईटी प्रकार: P-Channel, प्रौद्योगिकी: MOSFET (Metal Oxide), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 12V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 16A (Tc), ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडी चालू, न्यूनतम आरडी चालू): 2.5V, 4.5V, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 20 mOhm @ 13.5A, 4.5V,

SI2356DS-T1-GE3

भाग स्टॉक: 161022

एफईटी प्रकार: N-Channel, प्रौद्योगिकी: MOSFET (Metal Oxide), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 40V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc), ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडी चालू, न्यूनतम आरडी चालू): 2.5V, 10V, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 51 mOhm @ 3.2A, 10V,

SIHD6N65ET5-GE3

भाग स्टॉक: 7750

एफईटी प्रकार: N-Channel, प्रौद्योगिकी: MOSFET (Metal Oxide), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 650V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 7A (Tc), ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडी चालू, न्यूनतम आरडी चालू): 10V, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 600 mOhm @ 3A, 10V,

SI4430BDY-T1-E3

भाग स्टॉक: 107433

एफईटी प्रकार: N-Channel, प्रौद्योगिकी: MOSFET (Metal Oxide), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 30V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 14A (Ta), ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडी चालू, न्यूनतम आरडी चालू): 4.5V, 10V, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 4.5 mOhm @ 20A, 10V,

SI2323DS-T1-E3

भाग स्टॉक: 156301

एफईटी प्रकार: P-Channel, प्रौद्योगिकी: MOSFET (Metal Oxide), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 20V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta), ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडी चालू, न्यूनतम आरडी चालू): 1.8V, 4.5V, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 39 mOhm @ 4.7A, 4.5V,

SI7415DN-T1-E3

भाग स्टॉक: 124248

एफईटी प्रकार: P-Channel, प्रौद्योगिकी: MOSFET (Metal Oxide), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 60V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta), ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडी चालू, न्यूनतम आरडी चालू): 4.5V, 10V, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 65 mOhm @ 5.7A, 10V,

SIHD6N65ET4-GE3

भाग स्टॉक: 7750

एफईटी प्रकार: N-Channel, प्रौद्योगिकी: MOSFET (Metal Oxide), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 650V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 7A (Tc), ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडी चालू, न्यूनतम आरडी चालू): 10V, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 600 mOhm @ 3A, 10V,

SIR638DP-T1-RE3

भाग स्टॉक: 7822

एफईटी प्रकार: N-Channel, प्रौद्योगिकी: MOSFET (Metal Oxide), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 40V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 100A (Tc), ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडी चालू, न्यूनतम आरडी चालू): 4.5V, 10V, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 0.88 mOhm @ 20A, 10V,

SIR696DP-T1-GE3

भाग स्टॉक: 121554

एफईटी प्रकार: N-Channel, प्रौद्योगिकी: MOSFET (Metal Oxide), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 125V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 60A (Tc), ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडी चालू, न्यूनतम आरडी चालू): 7.5V, 10V, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 11.5 mOhm @ 20A, 10V,

SI7386DP-T1-E3

भाग स्टॉक: 136735

एफईटी प्रकार: N-Channel, प्रौद्योगिकी: MOSFET (Metal Oxide), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 30V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 12A (Ta), ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडी चालू, न्यूनतम आरडी चालू): 4.5V, 10V, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 7 mOhm @ 19A, 10V,

SQR50N04-3M8_GE3

भाग स्टॉक: 7832

एफईटी प्रकार: N-Channel, प्रौद्योगिकी: MOSFET (Metal Oxide), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 40V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 50A (Tc), ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडी चालू, न्यूनतम आरडी चालू): 10V, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 3.8 mOhm @ 20A, 10V,

SIR606DP-T1-GE3

भाग स्टॉक: 107718

एफईटी प्रकार: N-Channel, प्रौद्योगिकी: MOSFET (Metal Oxide), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 100V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 37A (Tc), ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडी चालू, न्यूनतम आरडी चालू): 6V, 10V, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 16.2 mOhm @ 15A, 10V,

SI1308EDL-T1-GE3

भाग स्टॉक: 197444

एफईटी प्रकार: N-Channel, प्रौद्योगिकी: MOSFET (Metal Oxide), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 30V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 1.4A (Tc), ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडी चालू, न्यूनतम आरडी चालू): 2.5V, 10V, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 132 mOhm @ 1.4A, 10V,

SISS71DN-T1-GE3

भाग स्टॉक: 148662

एफईटी प्रकार: P-Channel, प्रौद्योगिकी: MOSFET (Metal Oxide), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 100V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 23A (Tc), ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडी चालू, न्यूनतम आरडी चालू): 4.5V, 10V, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 59 mOhm @ 5A, 10V,

SI4896DY-T1-E3

भाग स्टॉक: 39592

एफईटी प्रकार: N-Channel, प्रौद्योगिकी: MOSFET (Metal Oxide), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 80V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 6.7A (Ta), ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडी चालू, न्यूनतम आरडी चालू): 6V, 10V, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 16.5 mOhm @ 10A, 10V,

SISS72DN-T1-GE3

भाग स्टॉक: 7817

एफईटी प्रकार: N-Channel, प्रौद्योगिकी: MOSFET (Metal Oxide), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 150V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 25.5A (Tc), ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडी चालू, न्यूनतम आरडी चालू): 10V, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 42 mOhm @ 7A, 10V,

SQS423EN-T1_GE3

भाग स्टॉक: 7572

एफईटी प्रकार: P-Channel, प्रौद्योगिकी: MOSFET (Metal Oxide), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 30V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 16A (Tc), ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडी चालू, न्यूनतम आरडी चालू): 4.5V, 10V, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 21 mOhm @ 12A, 10V,

SIR873DP-T1-GE3

भाग स्टॉक: 7852

एफईटी प्रकार: P-Channel, प्रौद्योगिकी: MOSFET (Metal Oxide), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 150V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 37A (Tc), ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडी चालू, न्यूनतम आरडी चालू): 10V, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 47.5 mOhm @ 10A, 10V,

SI2319DS-T1-E3

भाग स्टॉक: 148182

एफईटी प्रकार: P-Channel, प्रौद्योगिकी: MOSFET (Metal Oxide), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 40V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta), ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडी चालू, न्यूनतम आरडी चालू): 4.5V, 10V, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 82 mOhm @ 3A, 10V,

SIHU6N65E-GE3

भाग स्टॉक: 39039

एफईटी प्रकार: N-Channel, प्रौद्योगिकी: MOSFET (Metal Oxide), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 650V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 7A (Tc), ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडी चालू, न्यूनतम आरडी चालू): 10V, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 600 mOhm @ 3A, 10V,

SI8410DB-T2-E1

भाग स्टॉक: 154675

एफईटी प्रकार: N-Channel, प्रौद्योगिकी: MOSFET (Metal Oxide), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 20V, ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडी चालू, न्यूनतम आरडी चालू): 1.5V, 4.5V, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 37 mOhm @ 1.5A, 4.5V,

SIR418DP-T1-GE3

भाग स्टॉक: 122010

एफईटी प्रकार: N-Channel, प्रौद्योगिकी: MOSFET (Metal Oxide), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 40V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 40A (Tc), ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडी चालू, न्यूनतम आरडी चालू): 4.5V, 10V, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 5 mOhm @ 20A, 10V,

SQD40N06-14L_GE3

भाग स्टॉक: 95204

एफईटी प्रकार: N-Channel, प्रौद्योगिकी: MOSFET (Metal Oxide), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 60V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 40A (Tc), ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडी चालू, न्यूनतम आरडी चालू): 4.5V, 10V, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 14 mOhm @ 20A, 10V,

SIHD6N65ET1-GE3

भाग स्टॉक: 7810

एफईटी प्रकार: N-Channel, प्रौद्योगिकी: MOSFET (Metal Oxide), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 650V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 7A (Tc), ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडी चालू, न्यूनतम आरडी चालू): 10V, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 600 mOhm @ 3A, 10V,

SIR690DP-T1-GE3

भाग स्टॉक: 92043

एफईटी प्रकार: N-Channel, प्रौद्योगिकी: MOSFET (Metal Oxide), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 200V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 34.4A (Tc), ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडी चालू, न्यूनतम आरडी चालू): 7.5V, 10V, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 35 mOhm @ 20A, 10V,

SQD40061EL_GE3

भाग स्टॉक: 7803

एफईटी प्रकार: P-Channel, प्रौद्योगिकी: MOSFET (Metal Oxide), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 40V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 100A (Tc), ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडी चालू, न्यूनतम आरडी चालू): 4.5V, 10V, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 5.1 mOhm @ 30A, 10V,

SQJA92EP-T1_GE3

भाग स्टॉक: 152420

एफईटी प्रकार: N-Channel, प्रौद्योगिकी: MOSFET (Metal Oxide), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 80V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 57A (Tc), ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडी चालू, न्यूनतम आरडी चालू): 10V, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 9.5 mOhm @ 10A, 10V,

SI7386DP-T1-GE3

भाग स्टॉक: 136651

एफईटी प्रकार: N-Channel, प्रौद्योगिकी: MOSFET (Metal Oxide), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 30V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 12A (Ta), ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडी चालू, न्यूनतम आरडी चालू): 4.5V, 10V, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 7 mOhm @ 19A, 10V,

SUD23N06-31L-T4-E3

भाग स्टॉक: 167468

एफईटी प्रकार: N-Channel, प्रौद्योगिकी: MOSFET (Metal Oxide), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 60V, ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडी चालू, न्यूनतम आरडी चालू): 4.5V, 10V, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 31 mOhm @ 15A, 10V,

SI4896DY-T1-GE3

भाग स्टॉक: 101865

एफईटी प्रकार: N-Channel, प्रौद्योगिकी: MOSFET (Metal Oxide), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 80V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 6.7A (Ta), ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडी चालू, न्यूनतम आरडी चालू): 6V, 10V, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 16.5 mOhm @ 10A, 10V,

SIJA58DP-T1-GE3

भाग स्टॉक: 7567

एफईटी प्रकार: N-Channel, प्रौद्योगिकी: MOSFET (Metal Oxide), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 40V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 60A (Tc), ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडी चालू, न्यूनतम आरडी चालू): 4.5V, 10V, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 2.65 mOhm @ 15A, 10V,

SQD40131EL_GE3

भाग स्टॉक: 7717

एफईटी प्रकार: P-Channel, प्रौद्योगिकी: MOSFET (Metal Oxide), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 40V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 50A (Tc), ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडी चालू, न्यूनतम आरडी चालू): 4.5V, 10V, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 11.5 mOhm @ 30A, 10V,

SQJ415EP-T1_GE3

भाग स्टॉक: 7551

एफईटी प्रकार: P-Channel, प्रौद्योगिकी: MOSFET (Metal Oxide), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 40V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 30A (Tc), ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडी चालू, न्यूनतम आरडी चालू): 4.5V, 10V, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 14 mOhm @ 10A, 10V,

SQ2318AES-T1_GE3

भाग स्टॉक: 100716

एफईटी प्रकार: N-Channel, प्रौद्योगिकी: MOSFET (Metal Oxide), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 40V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 8A (Tc), ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडी चालू, न्यूनतम आरडी चालू): 4.5V, 10V, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 31 mOhm @ 6A, 10V,