ट्रांजिस्टर - FETs, MOSFETs - सिंगल

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ट्रांजिस्टर - FETs, MOSFETs - सिंगल

SIHG21N65EF-GE3

Vishay Siliconix

SIHG21N65EF-GE3

भाग स्टॉक: 12350

एफईटी प्रकार: N-Channel, प्रौद्योगिकी: MOSFET (Metal Oxide), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 650V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 21A (Tc), ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडी चालू, न्यूनतम आरडी चालू): 10V, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 180 mOhm @ 11A, 10V,

इच्छा-सूची

SI1422DH-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI1422DH-T1-GE3

भाग स्टॉक: 107910

एफईटी प्रकार: N-Channel, प्रौद्योगिकी: MOSFET (Metal Oxide), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 12V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 4A (Tc), ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडी चालू, न्यूनतम आरडी चालू): 1.8V, 4.5V, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 26 mOhm @ 5.1A, 4.5V,

इच्छा-सूची

SQJ422EP-T1_GE3

Vishay Siliconix

SQJ422EP-T1_GE3

भाग स्टॉक: 105698

एफईटी प्रकार: N-Channel, प्रौद्योगिकी: MOSFET (Metal Oxide), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 40V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 74A (Tc), ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडी चालू, न्यूनतम आरडी चालू): 4.5V, 10V, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 3.4 mOhm @ 18A, 10V,

इच्छा-सूची

Vishay Siliconix

SIHF22N60E-GE3

भाग स्टॉक: 32877

एफईटी प्रकार: N-Channel, प्रौद्योगिकी: MOSFET (Metal Oxide), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 600V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 21A (Tc), ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडी चालू, न्यूनतम आरडी चालू): 10V, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 180 mOhm @ 11A, 10V,

इच्छा-सूची

Vishay Siliconix

SIHG24N65E-GE3

भाग स्टॉक: 10853

एफईटी प्रकार: N-Channel, प्रौद्योगिकी: MOSFET (Metal Oxide), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 650V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 24A (Tc), ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडी चालू, न्यूनतम आरडी चालू): 10V, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 145 mOhm @ 12A, 10V,

इच्छा-सूची

SIHP28N65EF-GE3

Vishay Siliconix

SIHP28N65EF-GE3

भाग स्टॉक: 10311

एफईटी प्रकार: N-Channel, प्रौद्योगिकी: MOSFET (Metal Oxide), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 650V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 28A (Tc), ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडी चालू, न्यूनतम आरडी चालू): 10V, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 117 mOhm @ 14A, 10V,

इच्छा-सूची

SI3433CDV-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI3433CDV-T1-GE3

भाग स्टॉक: 120260

एफईटी प्रकार: P-Channel, प्रौद्योगिकी: MOSFET (Metal Oxide), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 20V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 6A (Tc), ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडी चालू, न्यूनतम आरडी चालू): 1.8V, 4.5V, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 38 mOhm @ 5.2A, 4.5V,

इच्छा-सूची

SISA24DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

SISA24DN-T1-GE3

भाग स्टॉक: 187428

एफईटी प्रकार: N-Channel, प्रौद्योगिकी: MOSFET (Metal Oxide), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 25V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 60A (Tc), ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडी चालू, न्यूनतम आरडी चालू): 4.5V, 10V, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 1.4 mOhm @ 15A, 10V,

इच्छा-सूची

SIHG28N60EF-GE3

Vishay Siliconix

SIHG28N60EF-GE3

भाग स्टॉक: 10031

एफईटी प्रकार: N-Channel, प्रौद्योगिकी: MOSFET (Metal Oxide), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 600V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 28A (Tc), ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडी चालू, न्यूनतम आरडी चालू): 10V, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 123 mOhm @ 14A, 10V,

इच्छा-सूची

SI4056DY-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI4056DY-T1-GE3

भाग स्टॉक: 199641

एफईटी प्रकार: N-Channel, प्रौद्योगिकी: MOSFET (Metal Oxide), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 100V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 11.1A (Tc), ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडी चालू, न्यूनतम आरडी चालू): 4.5V, 10V, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 23 mOhm @ 15A, 10V,

इच्छा-सूची

SIA414DJ-T1-GE3

Vishay Siliconix

SIA414DJ-T1-GE3

भाग स्टॉक: 176137

एफईटी प्रकार: N-Channel, प्रौद्योगिकी: MOSFET (Metal Oxide), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 8V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 12A (Tc), ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडी चालू, न्यूनतम आरडी चालू): 1.2V, 4.5V, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 11 mOhm @ 9.7A, 4.5V,

इच्छा-सूची

SI7149DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI7149DP-T1-GE3

भाग स्टॉक: 96788

एफईटी प्रकार: P-Channel, प्रौद्योगिकी: MOSFET (Metal Oxide), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 30V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 50A (Tc), ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडी चालू, न्यूनतम आरडी चालू): 4.5V, 10V, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 5.2 mOhm @ 15A, 10V,

इच्छा-सूची

Vishay Siliconix

IRF830STRLPBF

भाग स्टॉक: 54793

एफईटी प्रकार: N-Channel, प्रौद्योगिकी: MOSFET (Metal Oxide), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 500V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc), ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडी चालू, न्यूनतम आरडी चालू): 10V, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 1.5 Ohm @ 2.7A, 10V,

इच्छा-सूची

SIHB21N65EF-GE3

Vishay Siliconix

SIHB21N65EF-GE3

भाग स्टॉक: 13053

एफईटी प्रकार: N-Channel, प्रौद्योगिकी: MOSFET (Metal Oxide), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 650V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 21A (Tc), ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडी चालू, न्यूनतम आरडी चालू): 10V, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 180 mOhm @ 11A, 10V,

इच्छा-सूची

SI2307BDS-T1-E3

Vishay Siliconix

SI2307BDS-T1-E3

भाग स्टॉक: 153121

एफईटी प्रकार: P-Channel, प्रौद्योगिकी: MOSFET (Metal Oxide), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 30V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta), ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडी चालू, न्यूनतम आरडी चालू): 4.5V, 10V, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 78 mOhm @ 3.2A, 10V,

इच्छा-सूची

SI3458BDV-T1-E3

Vishay Siliconix

SI3458BDV-T1-E3

भाग स्टॉक: 199617

एफईटी प्रकार: N-Channel, प्रौद्योगिकी: MOSFET (Metal Oxide), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 60V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 4.1A (Tc), ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडी चालू, न्यूनतम आरडी चालू): 4.5V, 10V, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 100 mOhm @ 3.2A, 10V,

इच्छा-सूची

SI3493BDV-T1-E3

Vishay Siliconix

SI3493BDV-T1-E3

भाग स्टॉक: 137186

एफईटी प्रकार: P-Channel, प्रौद्योगिकी: MOSFET (Metal Oxide), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 20V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 8A (Tc), ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडी चालू, न्यूनतम आरडी चालू): 1.8V, 4.5V, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 27.5 mOhm @ 7A, 4.5V,

इच्छा-सूची

SUD50P08-25L-E3

Vishay Siliconix

SUD50P08-25L-E3

भाग स्टॉक: 57347

एफईटी प्रकार: P-Channel, प्रौद्योगिकी: MOSFET (Metal Oxide), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 80V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 50A (Tc), ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडी चालू, न्यूनतम आरडी चालू): 4.5V, 10V, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 25.2 mOhm @ 12.5A, 10V,

इच्छा-सूची

SIR692DP-T1-RE3

Vishay Siliconix

SIR692DP-T1-RE3

भाग स्टॉक: 85603

एफईटी प्रकार: N-Channel, प्रौद्योगिकी: MOSFET (Metal Oxide), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 250V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 24.2A (Tc), ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडी चालू, न्यूनतम आरडी चालू): 7.5V, 10V, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 63 mOhm @ 10A, 10V,

इच्छा-सूची

SQD25N15-52_GE3

Vishay Siliconix

SQD25N15-52_GE3

भाग स्टॉक: 39824

एफईटी प्रकार: N-Channel, प्रौद्योगिकी: MOSFET (Metal Oxide), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 150V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 25A (Tc), ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडी चालू, न्यूनतम आरडी चालू): 10V, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 52 mOhm @ 15A, 10V,

इच्छा-सूची

Vishay Siliconix

IRLL014TRPBF

भाग स्टॉक: 156687

एफईटी प्रकार: N-Channel, प्रौद्योगिकी: MOSFET (Metal Oxide), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 60V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 2.7A (Tc), ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडी चालू, न्यूनतम आरडी चालू): 4V, 5V, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 200 mOhm @ 1.6A, 5V,

इच्छा-सूची

SQ2361AEES-T1_GE3

Vishay Siliconix

SQ2361AEES-T1_GE3

भाग स्टॉक: 158861

एफईटी प्रकार: P-Channel, प्रौद्योगिकी: MOSFET (Metal Oxide), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 60V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 2.8A (Tc), ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडी चालू, न्यूनतम आरडी चालू): 10V, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 170 mOhm @ 2.4A, 10V,

इच्छा-सूची

SISS26DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

SISS26DN-T1-GE3

भाग स्टॉक: 32308

एफईटी प्रकार: N-Channel, प्रौद्योगिकी: MOSFET (Metal Oxide), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 60V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 60A (Tc), ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडी चालू, न्यूनतम आरडी चालू): 6V, 10V, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 4.5 mOhm @ 15A, 10V,

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Vishay Siliconix

SI8429DB-T1-E1

भाग स्टॉक: 158589

एफईटी प्रकार: P-Channel, प्रौद्योगिकी: MOSFET (Metal Oxide), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 8V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 11.7A (Tc), ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडी चालू, न्यूनतम आरडी चालू): 1.2V, 4.5V, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 35 mOhm @ 1A, 4.5V,

इच्छा-सूची

SUD45P03-09-GE3

Vishay Siliconix

SUD45P03-09-GE3

भाग स्टॉक: 124843

एफईटी प्रकार: P-Channel, प्रौद्योगिकी: MOSFET (Metal Oxide), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 30V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 45A (Tc), ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडी चालू, न्यूनतम आरडी चालू): 4.5V, 10V, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 8.7 mOhm @ 20A, 10V,

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SIHH24N65EF-T1-GE3

Vishay Siliconix

SIHH24N65EF-T1-GE3

भाग स्टॉक: 16548

एफईटी प्रकार: N-Channel, प्रौद्योगिकी: MOSFET (Metal Oxide), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 650V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 23A (Tc), ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडी चालू, न्यूनतम आरडी चालू): 10V, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 158 mOhm @ 12A, 10V,

इच्छा-सूची

SUD08P06-155L-GE3

Vishay Siliconix

SUD08P06-155L-GE3

भाग स्टॉक: 193963

एफईटी प्रकार: P-Channel, प्रौद्योगिकी: MOSFET (Metal Oxide), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 60V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 8.4A (Tc), ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडी चालू, न्यूनतम आरडी चालू): 4.5V, 10V, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 155 mOhm @ 5A, 10V,

इच्छा-सूची

SQ3427AEEV-T1_GE3

Vishay Siliconix

SQ3427AEEV-T1_GE3

भाग स्टॉक: 184741

एफईटी प्रकार: P-Channel, प्रौद्योगिकी: MOSFET (Metal Oxide), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 60V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 5.3A (Tc), ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडी चालू, न्यूनतम आरडी चालू): 10V, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 95 mOhm @ 4.5A, 10V,

इच्छा-सूची

SI1330EDL-T1-E3

Vishay Siliconix

SI1330EDL-T1-E3

भाग स्टॉक: 118364

एफईटी प्रकार: N-Channel, प्रौद्योगिकी: MOSFET (Metal Oxide), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 60V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 240mA (Ta), ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडी चालू, न्यूनतम आरडी चालू): 3V, 10V, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 2.5 Ohm @ 250mA, 10V,

इच्छा-सूची

SUM110N10-09-E3

Vishay Siliconix

SUM110N10-09-E3

भाग स्टॉक: 42606

एफईटी प्रकार: N-Channel, प्रौद्योगिकी: MOSFET (Metal Oxide), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 100V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 110A (Tc), ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडी चालू, न्यूनतम आरडी चालू): 10V, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 9.5 mOhm @ 30A, 10V,

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SI1441EDH-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI1441EDH-T1-GE3

भाग स्टॉक: 126542

एफईटी प्रकार: P-Channel, प्रौद्योगिकी: MOSFET (Metal Oxide), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 20V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 4A (Tc), ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडी चालू, न्यूनतम आरडी चालू): 1.8V, 4.5V, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 41 mOhm @ 5A, 4.5V,

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SUD50N03-09P-E3

Vishay Siliconix

SUD50N03-09P-E3

भाग स्टॉक: 98650

एफईटी प्रकार: N-Channel, प्रौद्योगिकी: MOSFET (Metal Oxide), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 30V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 63A (Tc), ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडी चालू, न्यूनतम आरडी चालू): 4.5V, 10V, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 9.5 mOhm @ 20A, 10V,

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Vishay Siliconix

SI8483DB-T2-E1

भाग स्टॉक: 167358

एफईटी प्रकार: P-Channel, प्रौद्योगिकी: MOSFET (Metal Oxide), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 12V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 16A (Tc), ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडी चालू, न्यूनतम आरडी चालू): 1.5V, 4.5V, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 26 mOhm @ 1.5A, 4.5V,

इच्छा-सूची

SI7421DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI7421DN-T1-GE3

भाग स्टॉक: 113309

एफईटी प्रकार: P-Channel, प्रौद्योगिकी: MOSFET (Metal Oxide), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 30V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 6.4A (Ta), ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडी चालू, न्यूनतम आरडी चालू): 4.5V, 10V, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 25 mOhm @ 9.8A, 10V,

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SIR800DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

SIR800DP-T1-GE3

भाग स्टॉक: 93648

एफईटी प्रकार: N-Channel, प्रौद्योगिकी: MOSFET (Metal Oxide), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 20V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 50A (Tc), ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडी चालू, न्यूनतम आरडी चालू): 2.5V, 10V, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 2.3 mOhm @ 15A, 10V,

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SIHW47N60EF-GE3

Vishay Siliconix

SIHW47N60EF-GE3

भाग स्टॉक: 10860

एफईटी प्रकार: N-Channel, प्रौद्योगिकी: MOSFET (Metal Oxide), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 600V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 47A (Tc), ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडी चालू, न्यूनतम आरडी चालू): 10V, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 65 mOhm @ 24A, 10V,

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