ट्रांजिस्टर - FETs, MOSFETs - सिंगल

घर
ट्रांजिस्टर - FETs, MOSFETs - सिंगल

Vishay Siliconix

IRF510PBF

भाग स्टॉक: 69121

एफईटी प्रकार: N-Channel, प्रौद्योगिकी: MOSFET (Metal Oxide), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 100V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 5.6A (Tc), ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडी चालू, न्यूनतम आरडी चालू): 10V, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 540 mOhm @ 3.4A, 10V,

इच्छा-सूची

SIHG70N60AEF-GE3

Vishay Siliconix

SIHG70N60AEF-GE3

भाग स्टॉक: 9966

एफईटी प्रकार: N-Channel, प्रौद्योगिकी: MOSFET (Metal Oxide), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 600V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 60A (Tc), ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडी चालू, न्यूनतम आरडी चालू): 10V, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 41 mOhm @ 35A, 10V,

इच्छा-सूची

Vishay Siliconix

IRFR014PBF

भाग स्टॉक: 63750

एफईटी प्रकार: N-Channel, प्रौद्योगिकी: MOSFET (Metal Oxide), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 60V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 7.7A (Tc), ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडी चालू, न्यूनतम आरडी चालू): 10V, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 200 mOhm @ 4.6A, 10V,

इच्छा-सूची

Vishay Siliconix

IRLL110PBF

भाग स्टॉक: 6022

एफईटी प्रकार: N-Channel, प्रौद्योगिकी: MOSFET (Metal Oxide), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 100V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 1.5A (Tc), ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडी चालू, न्यूनतम आरडी चालू): 4V, 5V, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 540 mOhm @ 900mA, 5V,

इच्छा-सूची

Vishay Siliconix

IRF540STRLPBF

भाग स्टॉक: 74897

एफईटी प्रकार: N-Channel, प्रौद्योगिकी: MOSFET (Metal Oxide), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 100V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 28A (Tc), ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडी चालू, न्यूनतम आरडी चालू): 10V, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 77 mOhm @ 17A, 10V,

इच्छा-सूची

SI7370DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI7370DP-T1-GE3

भाग स्टॉक: 49896

एफईटी प्रकार: N-Channel, प्रौद्योगिकी: MOSFET (Metal Oxide), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 60V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 9.6A (Ta), ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडी चालू, न्यूनतम आरडी चालू): 10V, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 11 mOhm @ 12A, 10V,

इच्छा-सूची

Vishay Siliconix

IRF644NLPBF

भाग स्टॉक: 9624

एफईटी प्रकार: N-Channel, प्रौद्योगिकी: MOSFET (Metal Oxide), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 250V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 14A (Tc), ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडी चालू, न्यूनतम आरडी चालू): 10V, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 240 mOhm @ 8.4A, 10V,

इच्छा-सूची

Vishay Siliconix

SI7810DN-T1-E3

भाग स्टॉक: 147249

एफईटी प्रकार: N-Channel, प्रौद्योगिकी: MOSFET (Metal Oxide), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 100V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta), ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडी चालू, न्यूनतम आरडी चालू): 6V, 10V, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 62 mOhm @ 5.4A, 10V,

इच्छा-सूची

SISA34DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

SISA34DN-T1-GE3

भाग स्टॉक: 113506

एफईटी प्रकार: N-Channel, प्रौद्योगिकी: MOSFET (Metal Oxide), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 30V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 40A (Tc), ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडी चालू, न्यूनतम आरडी चालू): 4.5V, 10V, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 6.7 mOhm @ 10A, 10V,

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Vishay Siliconix

IRFP22N60C3PBF

भाग स्टॉक: 9618

एफईटी प्रकार: N-Channel, प्रौद्योगिकी: MOSFET (Metal Oxide), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 650V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 22A (Ta),

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SI7792DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI7792DP-T1-GE3

भाग स्टॉक: 9613

एफईटी प्रकार: N-Channel, प्रौद्योगिकी: MOSFET (Metal Oxide), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 30V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 40.6A (Ta), 60A (Tc), ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडी चालू, न्यूनतम आरडी चालू): 4.5V, 10V, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 2.1 mOhm @ 20A, 10V,

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SIA485DJ-T1-GE3

Vishay Siliconix

SIA485DJ-T1-GE3

भाग स्टॉक: 16294

एफईटी प्रकार: P-Channel, प्रौद्योगिकी: MOSFET (Metal Oxide), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 150V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 1.6A (Tc), ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडी चालू, न्यूनतम आरडी चालू): 6V, 10V, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 2.6 Ohm @ 500mA, 10V,

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SUD06N10-225L-GE3

Vishay Siliconix

SUD06N10-225L-GE3

भाग स्टॉक: 9485

एफईटी प्रकार: N-Channel, प्रौद्योगिकी: MOSFET (Metal Oxide), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 100V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc), ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडी चालू, न्यूनतम आरडी चालू): 4.5V, 10V, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 200 mOhm @ 3A, 10V,

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SQD50P08-25L_GE3

Vishay Siliconix

SQD50P08-25L_GE3

भाग स्टॉक: 60910

एफईटी प्रकार: P-Channel, प्रौद्योगिकी: MOSFET (Metal Oxide), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 80V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 50A (Tc), ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडी चालू, न्यूनतम आरडी चालू): 4.5V, 10V, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 25 mOhm @ 10.5A, 10V,

इच्छा-सूची

SI2307BDS-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI2307BDS-T1-GE3

भाग स्टॉक: 171297

एफईटी प्रकार: P-Channel, प्रौद्योगिकी: MOSFET (Metal Oxide), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 30V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta), ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडी चालू, न्यूनतम आरडी चालू): 10V, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 78 mOhm @ 3.2A, 10V,

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Vishay Siliconix

IRF744PBF

भाग स्टॉक: 9639

एफईटी प्रकार: N-Channel, प्रौद्योगिकी: MOSFET (Metal Oxide), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 450V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 8.8A (Tc), ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडी चालू, न्यूनतम आरडी चालू): 10V, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 630 mOhm @ 5.3A, 10V,

इच्छा-सूची

SISC06DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

SISC06DN-T1-GE3

भाग स्टॉक: 16233

एफईटी प्रकार: N-Channel, प्रौद्योगिकी: MOSFET (Metal Oxide), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 30V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 27.6A (Ta), 40A (Tc), ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडी चालू, न्यूनतम आरडी चालू): 4.5V, 10V, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 2.7 mOhm @ 15A, 10V,

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Vishay Siliconix

SUD50P04-15-E3

भाग स्टॉक: 51935

एफईटी प्रकार: P-Channel, प्रौद्योगिकी: MOSFET (Metal Oxide), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 40V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 50A (Tc), ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडी चालू, न्यूनतम आरडी चालू): 4.5V, 10V, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 15 mOhm @ 30A, 10V,

इच्छा-सूची

Vishay Siliconix

SI7478DP-T1-E3

भाग स्टॉक: 72320

एफईटी प्रकार: N-Channel, प्रौद्योगिकी: MOSFET (Metal Oxide), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 60V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 15A (Ta), ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडी चालू, न्यूनतम आरडी चालू): 4.5V, 10V, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 7.5 mOhm @ 20A, 10V,

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Vishay Siliconix

IRFIB8N50KPBF

भाग स्टॉक: 9634

एफईटी प्रकार: N-Channel, प्रौद्योगिकी: MOSFET (Metal Oxide), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 500V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 6.7A (Tc), ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडी चालू, न्यूनतम आरडी चालू): 10V, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 350 mOhm @ 4A, 10V,

इच्छा-सूची

Vishay Siliconix

IRFL014PBF

भाग स्टॉक: 5979

एफईटी प्रकार: N-Channel, प्रौद्योगिकी: MOSFET (Metal Oxide), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 60V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 2.7A (Tc), ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडी चालू, न्यूनतम आरडी चालू): 10V, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 200 mOhm @ 1.6A, 10V,

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Vishay Siliconix

IRCZ44PBF

भाग स्टॉक: 6053

एफईटी प्रकार: N-Channel, प्रौद्योगिकी: MOSFET (Metal Oxide), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 60V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 50A (Tc), ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडी चालू, न्यूनतम आरडी चालू): 10V, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 28 mOhm @ 31A, 10V,

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Vishay Siliconix

SI7114DN-T1-E3

भाग स्टॉक: 113510

एफईटी प्रकार: N-Channel, प्रौद्योगिकी: MOSFET (Metal Oxide), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 30V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 11.7A (Ta), ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडी चालू, न्यूनतम आरडी चालू): 4.5V, 10V, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 7.5 mOhm @ 18.3A, 10V,

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Vishay Siliconix

SI1012X-T1-GE3

भाग स्टॉक: 166571

एफईटी प्रकार: N-Channel, प्रौद्योगिकी: MOSFET (Metal Oxide), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 20V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 500mA (Ta), ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडी चालू, न्यूनतम आरडी चालू): 1.8V, 4.5V, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 700 mOhm @ 600mA, 4.5V,

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SI2304BDS-T1-E3

Vishay Siliconix

SI2304BDS-T1-E3

भाग स्टॉक: 156329

एफईटी प्रकार: N-Channel, प्रौद्योगिकी: MOSFET (Metal Oxide), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 30V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta), ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडी चालू, न्यूनतम आरडी चालू): 4.5V, 10V, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 70 mOhm @ 2.5A, 10V,

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Vishay Siliconix

IRC530PBF

भाग स्टॉक: 9604

एफईटी प्रकार: N-Channel, प्रौद्योगिकी: MOSFET (Metal Oxide), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 100V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 14A (Tc), ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडी चालू, न्यूनतम आरडी चालू): 10V, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 160 mOhm @ 8.4A, 10V,

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Vishay Siliconix

IRF634NSPBF

भाग स्टॉक: 9603

एफईटी प्रकार: N-Channel, प्रौद्योगिकी: MOSFET (Metal Oxide), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 250V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 8A (Tc), ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडी चालू, न्यूनतम आरडी चालू): 10V, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 435 mOhm @ 4.8A, 10V,

इच्छा-सूची

SIRA16DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

SIRA16DP-T1-GE3

भाग स्टॉक: 188301

एफईटी प्रकार: N-Channel, प्रौद्योगिकी: MOSFET (Metal Oxide), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 30V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 16A (Ta), ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडी चालू, न्यूनतम आरडी चालू): 4.5V, 10V, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 6.8 mOhm @ 15A, 10V,

इच्छा-सूची

Vishay Siliconix

IRFP354PBF

भाग स्टॉक: 9629

एफईटी प्रकार: N-Channel, प्रौद्योगिकी: MOSFET (Metal Oxide), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 450V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 14A (Tc), ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडी चालू, न्यूनतम आरडी चालू): 10V, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 350 mOhm @ 8.4A, 10V,

इच्छा-सूची

SIR468DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

SIR468DP-T1-GE3

भाग स्टॉक: 125225

एफईटी प्रकार: N-Channel, प्रौद्योगिकी: MOSFET (Metal Oxide), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 30V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 40A (Tc), ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडी चालू, न्यूनतम आरडी चालू): 4.5V, 10V, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 5.7 mOhm @ 20A, 10V,

इच्छा-सूची

Vishay Siliconix

IRF640LPBF

भाग स्टॉक: 9700

एफईटी प्रकार: N-Channel, प्रौद्योगिकी: MOSFET (Metal Oxide), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 200V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 18A (Tc), ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडी चालू, न्यूनतम आरडी चालू): 10V, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 180 mOhm @ 11A, 10V,

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Vishay Siliconix

SUD25N15-52-E3

भाग स्टॉक: 85786

एफईटी प्रकार: N-Channel, प्रौद्योगिकी: MOSFET (Metal Oxide), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 150V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 25A (Tc), ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडी चालू, न्यूनतम आरडी चालू): 6V, 10V, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 52 mOhm @ 5A, 10V,

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SI2338DS-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI2338DS-T1-GE3

भाग स्टॉक: 132450

एफईटी प्रकार: N-Channel, प्रौद्योगिकी: MOSFET (Metal Oxide), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 30V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 6A (Tc), ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडी चालू, न्यूनतम आरडी चालू): 4.5V, 10V, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 28 mOhm @ 5.5A, 10V,

इच्छा-सूची

SI3443DDV-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI3443DDV-T1-GE3

भाग स्टॉक: 117106

एफईटी प्रकार: P-Channel, प्रौद्योगिकी: MOSFET (Metal Oxide), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 20V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 4A (Ta), 5.3A (Tc), ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडी चालू, न्यूनतम आरडी चालू): 2.5V, 4.5V, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 47 mOhm @ 4.5A, 4.5V,

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Vishay Siliconix

IRFB9N30APBF

भाग स्टॉक: 9644

एफईटी प्रकार: N-Channel, प्रौद्योगिकी: MOSFET (Metal Oxide), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 300V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 9.3A (Tc), ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडी चालू, न्यूनतम आरडी चालू): 10V, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 450 mOhm @ 5.6A, 10V,

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Vishay Siliconix

IRFR9110TRPBF

भाग स्टॉक: 189451

एफईटी प्रकार: P-Channel, प्रौद्योगिकी: MOSFET (Metal Oxide), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 100V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 3.1A (Tc), ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडी चालू, न्यूनतम आरडी चालू): 10V, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 1.2 Ohm @ 1.9A, 10V,

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