ट्रांजिस्टर - FETs, MOSFETs - सिंगल

घर
ट्रांजिस्टर - FETs, MOSFETs - सिंगल

Vishay Siliconix

IRL510SPBF

भाग स्टॉक: 98875

एफईटी प्रकार: N-Channel, प्रौद्योगिकी: MOSFET (Metal Oxide), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 100V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 5.6A (Tc), ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडी चालू, न्यूनतम आरडी चालू): 4V, 5V, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 540 mOhm @ 3.4A, 5V,

इच्छा-सूची

Vishay Siliconix

SIHB12N50E-GE3

भाग स्टॉक: 27872

एफईटी प्रकार: N-Channel, प्रौद्योगिकी: MOSFET (Metal Oxide), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 500V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 10.5A (Tc), ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडी चालू, न्यूनतम आरडी चालू): 10V, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 380 mOhm @ 6A, 10V,

इच्छा-सूची

SIS402DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

SIS402DN-T1-GE3

भाग स्टॉक: 80914

एफईटी प्रकार: N-Channel, प्रौद्योगिकी: MOSFET (Metal Oxide), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 30V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 35A (Tc), ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडी चालू, न्यूनतम आरडी चालू): 4.5V, 10V, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 6 mOhm @ 19A, 10V,

इच्छा-सूची

SI4160DY-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI4160DY-T1-GE3

भाग स्टॉक: 124223

एफईटी प्रकार: N-Channel, प्रौद्योगिकी: MOSFET (Metal Oxide), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 30V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 25.4A (Tc), ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडी चालू, न्यूनतम आरडी चालू): 4.5V, 10V, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 4.9 mOhm @ 15A, 10V,

इच्छा-सूची

Vishay Siliconix

IRFR110TRLPBF

भाग स्टॉक: 118950

एफईटी प्रकार: N-Channel, प्रौद्योगिकी: MOSFET (Metal Oxide), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 100V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc), ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडी चालू, न्यूनतम आरडी चालू): 10V, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 540 mOhm @ 2.6A, 10V,

इच्छा-सूची

Vishay Siliconix

IRFR210TRLPBF

भाग स्टॉक: 67208

एफईटी प्रकार: N-Channel, प्रौद्योगिकी: MOSFET (Metal Oxide), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 200V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 2.6A (Tc), ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडी चालू, न्यूनतम आरडी चालू): 10V, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 1.5 Ohm @ 1.6A, 10V,

इच्छा-सूची

SIR402DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

SIR402DP-T1-GE3

भाग स्टॉक: 80883

एफईटी प्रकार: N-Channel, प्रौद्योगिकी: MOSFET (Metal Oxide), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 30V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 35A (Tc), ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडी चालू, न्यूनतम आरडी चालू): 4.5V, 10V, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 6 mOhm @ 20A, 10V,

इच्छा-सूची

Vishay Siliconix

SI1031X-T1-GE3

भाग स्टॉक: 175616

एफईटी प्रकार: P-Channel, प्रौद्योगिकी: MOSFET (Metal Oxide), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 20V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 155mA (Ta), ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडी चालू, न्यूनतम आरडी चालू): 1.5V, 4.5V, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 8 Ohm @ 150mA, 4.5V,

इच्छा-सूची

Vishay Siliconix

IRL540STRLPBF

भाग स्टॉक: 42208

एफईटी प्रकार: N-Channel, प्रौद्योगिकी: MOSFET (Metal Oxide), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 100V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 28A (Tc), ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडी चालू, न्यूनतम आरडी चालू): 4V, 5V, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 77 mOhm @ 17A, 5V,

इच्छा-सूची

Vishay Siliconix

SIHG17N60D-GE3

भाग स्टॉक: 28402

एफईटी प्रकार: N-Channel, प्रौद्योगिकी: MOSFET (Metal Oxide), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 600V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 17A (Tc), ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडी चालू, न्यूनतम आरडी चालू): 10V, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 340 mOhm @ 8A, 10V,

इच्छा-सूची

Vishay Siliconix

IRF730ASPBF

भाग स्टॉक: 66

एफईटी प्रकार: N-Channel, प्रौद्योगिकी: MOSFET (Metal Oxide), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 400V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc), ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडी चालू, न्यूनतम आरडी चालू): 10V, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 1 Ohm @ 3.3A, 10V,

इच्छा-सूची

Vishay Siliconix

IRFR9020TRLPBF

भाग स्टॉक: 79488

एफईटी प्रकार: P-Channel, प्रौद्योगिकी: MOSFET (Metal Oxide), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 50V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 9.9A (Tc), ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडी चालू, न्यूनतम आरडी चालू): 10V, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 280 mOhm @ 5.7A, 10V,

इच्छा-सूची

Vishay Siliconix

IRFR210TRPBF

भाग स्टॉक: 191304

एफईटी प्रकार: N-Channel, प्रौद्योगिकी: MOSFET (Metal Oxide), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 200V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 2.6A (Tc), ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडी चालू, न्यूनतम आरडी चालू): 10V, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 1.5 Ohm @ 1.6A, 10V,

इच्छा-सूची

SIR800DP-T1-RE3

Vishay Siliconix

SIR800DP-T1-RE3

भाग स्टॉक: 154

एफईटी प्रकार: N-Channel, प्रौद्योगिकी: MOSFET (Metal Oxide), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 20V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 50A (Tc), ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडी चालू, न्यूनतम आरडी चालू): 2.5V, 10V, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 2.3 mOhm @ 15A, 10V,

इच्छा-सूची

SI7634BDP-T1-E3

Vishay Siliconix

SI7634BDP-T1-E3

भाग स्टॉक: 128249

एफईटी प्रकार: N-Channel, प्रौद्योगिकी: MOSFET (Metal Oxide), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 30V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 40A (Tc), ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडी चालू, न्यूनतम आरडी चालू): 4.5V, 10V, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 5.4 mOhm @ 15A, 10V,

इच्छा-सूची

Vishay Siliconix

IRFU220PBF

भाग स्टॉक: 48180

एफईटी प्रकार: N-Channel, प्रौद्योगिकी: MOSFET (Metal Oxide), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 200V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 4.8A (Tc), ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडी चालू, न्यूनतम आरडी चालू): 10V, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 800 mOhm @ 2.9A, 10V,

इच्छा-सूची

Vishay Siliconix

IRFBF20STRLPBF

भाग स्टॉक: 52759

एफईटी प्रकार: N-Channel, प्रौद्योगिकी: MOSFET (Metal Oxide), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 900V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc), ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडी चालू, न्यूनतम आरडी चालू): 10V, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 8 Ohm @ 1A, 10V,

इच्छा-सूची

Vishay Siliconix

IRLIZ24GPBF

भाग स्टॉक: 135

एफईटी प्रकार: N-Channel, प्रौद्योगिकी: MOSFET (Metal Oxide), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 60V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 14A (Tc), ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडी चालू, न्यूनतम आरडी चालू): 4V, 5V, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 100 mOhm @ 8.4A, 5V,

इच्छा-सूची

Vishay Siliconix

IRFD224

भाग स्टॉक: 70768

एफईटी प्रकार: N-Channel, प्रौद्योगिकी: MOSFET (Metal Oxide), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 250V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 630mA (Ta), ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडी चालू, न्यूनतम आरडी चालू): 10V, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 1.1 Ohm @ 380mA, 10V,

इच्छा-सूची

Vishay Siliconix

IRF9Z34STRRPBF

भाग स्टॉक: 43986

एफईटी प्रकार: P-Channel, प्रौद्योगिकी: MOSFET (Metal Oxide), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 60V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 18A (Tc), ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडी चालू, न्यूनतम आरडी चालू): 10V, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 140 mOhm @ 11A, 10V,

इच्छा-सूची

SIHFS11N50A-GE3

Vishay Siliconix

SIHFS11N50A-GE3

भाग स्टॉक: 131

एफईटी प्रकार: N-Channel, प्रौद्योगिकी: MOSFET (Metal Oxide), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 500V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 11A (Tc), ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडी चालू, न्यूनतम आरडी चालू): 10V, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 520 mOhm @ 6.6A, 10V,

इच्छा-सूची

Vishay Siliconix

IRFZ24STRRPBF

भाग स्टॉक: 52678

एफईटी प्रकार: N-Channel, प्रौद्योगिकी: MOSFET (Metal Oxide), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 60V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 17A (Tc), ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडी चालू, न्यूनतम आरडी चालू): 10V, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 100 mOhm @ 10A, 10V,

इच्छा-सूची

SI7658ADP-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI7658ADP-T1-GE3

भाग स्टॉक: 47683

एफईटी प्रकार: N-Channel, प्रौद्योगिकी: MOSFET (Metal Oxide), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 30V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 60A (Tc), ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडी चालू, न्यूनतम आरडी चालू): 4.5V, 10V, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 2.2 mOhm @ 20A, 10V,

इच्छा-सूची

Vishay Siliconix

IRLZ14PBF

भाग स्टॉक: 73294

एफईटी प्रकार: N-Channel, प्रौद्योगिकी: MOSFET (Metal Oxide), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 60V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 10A (Tc), ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडी चालू, न्यूनतम आरडी चालू): 4V, 5V, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 200 mOhm @ 6A, 5V,

इच्छा-सूची

Vishay Siliconix

IRFD420PBF

भाग स्टॉक: 35740

एफईटी प्रकार: N-Channel, प्रौद्योगिकी: MOSFET (Metal Oxide), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 500V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 370mA (Ta), ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडी चालू, न्यूनतम आरडी चालू): 10V, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 3 Ohm @ 220mA, 10V,

इच्छा-सूची

SI4835DDY-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI4835DDY-T1-GE3

भाग स्टॉक: 180820

एफईटी प्रकार: P-Channel, प्रौद्योगिकी: MOSFET (Metal Oxide), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 30V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 13A (Tc), ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडी चालू, न्यूनतम आरडी चालू): 4.5V, 10V, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 18 mOhm @ 10A, 10V,

इच्छा-सूची

Vishay Siliconix

IRF614PBF

भाग स्टॉक: 96706

एफईटी प्रकार: N-Channel, प्रौद्योगिकी: MOSFET (Metal Oxide), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 250V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 2.7A (Tc), ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडी चालू, न्यूनतम आरडी चालू): 10V, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 2 Ohm @ 1.6A, 10V,

इच्छा-सूची

Vishay Siliconix

IRF820LPBF

भाग स्टॉक: 77845

एफईटी प्रकार: N-Channel, प्रौद्योगिकी: MOSFET (Metal Oxide), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 500V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc), ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडी चालू, न्यूनतम आरडी चालू): 10V, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 3 Ohm @ 1.5A, 10V,

इच्छा-सूची

Vishay Siliconix

IRLR120TRRPBF

भाग स्टॉक: 99710

एफईटी प्रकार: N-Channel, प्रौद्योगिकी: MOSFET (Metal Oxide), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 100V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 7.7A (Tc), ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडी चालू, न्यूनतम आरडी चालू): 4V, 5V, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 270 mOhm @ 4.6A, 5V,

इच्छा-सूची

Vishay Siliconix

SIHP17N60D-E3

भाग स्टॉक: 39978

एफईटी प्रकार: N-Channel, प्रौद्योगिकी: MOSFET (Metal Oxide), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 600V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 17A (Tc), ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडी चालू, न्यूनतम आरडी चालू): 10V, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 340 mOhm @ 8A, 10V,

इच्छा-सूची

Vishay Siliconix

IRF634STRRPBF

भाग स्टॉक: 60256

एफईटी प्रकार: N-Channel, प्रौद्योगिकी: MOSFET (Metal Oxide), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 250V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 8.1A (Tc), ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडी चालू, न्यूनतम आरडी चालू): 10V, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 450 mOhm @ 5.1A, 10V,

इच्छा-सूची

Vishay Siliconix

IRF710STRLPBF

भाग स्टॉक: 78230

एफईटी प्रकार: N-Channel, प्रौद्योगिकी: MOSFET (Metal Oxide), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 400V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 2A (Tc), ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडी चालू, न्यूनतम आरडी चालू): 10V, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 3.6 Ohm @ 1.2A, 10V,

इच्छा-सूची

Vishay Siliconix

IRF740STRRPBF

भाग स्टॉक: 42265

एफईटी प्रकार: N-Channel, प्रौद्योगिकी: MOSFET (Metal Oxide), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 400V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 10A (Tc), ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडी चालू, न्यूनतम आरडी चालू): 10V, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 550 mOhm @ 6A, 10V,

इच्छा-सूची

IRF840LCSTRRPBF

Vishay Siliconix

IRF840LCSTRRPBF

भाग स्टॉक: 41990

एफईटी प्रकार: N-Channel, प्रौद्योगिकी: MOSFET (Metal Oxide), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 500V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 8A (Tc), ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडी चालू, न्यूनतम आरडी चालू): 10V, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 850 mOhm @ 4.8A, 10V,

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Vishay Siliconix

IRFBF30

भाग स्टॉक: 15025

एफईटी प्रकार: N-Channel, प्रौद्योगिकी: MOSFET (Metal Oxide), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 900V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 3.6A (Tc), ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडी चालू, न्यूनतम आरडी चालू): 10V, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 3.7 Ohm @ 2.2A, 10V,

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Vishay Siliconix

IRLI520GPBF

भाग स्टॉक: 70768

एफईटी प्रकार: N-Channel, प्रौद्योगिकी: MOSFET (Metal Oxide), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 100V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 7.2A (Tc), ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडी चालू, न्यूनतम आरडी चालू): 4V, 5V, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 270 mOhm @ 4.3A, 5V,

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