एफईटी प्रकार: 2 N-Channel (Half Bridge), एफईटी फ़ीचर: GaNFET (Gallium Nitride), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 600V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 70A (Tc), आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 34 mOhm @ 30A, 8V,
