| प्रकार | विवरण |
| भाग की स्थिति | Obsolete |
|---|---|
| एफईटी प्रकार | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| एफईटी फ़ीचर | GaNFET (Gallium Nitride) |
| ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss) | 600V |
| करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C | 70A (Tc) |
| आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस | 34 mOhm @ 30A, 8V |
| वीजीएस(वें) (अधिकतम) @ आईडी | - |
| गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस | 28nC @ 8V |
| इनपुट कैपेसिटेंस (Ciss) (अधिकतम) @ Vds | 2260pF @ 100V |
| शक्ति - मैक्स | 470W |
| परिचालन तापमान | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| माउन्टिंग का प्रकार | Through Hole |
| पैकेज / केस | Module |
| आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज | Module |
| RoHS स्थिति | RoHS कॉम्प्लाइंट |
|---|---|
| नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल) | लागू नहीं |
| जीवनसूचक स्थिति | अप्रचलित / जीवन का अंत |
| स्टॉक श्रेणी | मौजूदा भंडार |
