डायोड - ब्रिज रेक्टीफायर्स

GBPC25005M T0G

GBPC25005M T0G

भाग स्टॉक: 130

डायोड प्रकार: Single Phase, प्रौद्योगिकी: Standard, वोल्टेज - पीक रिवर्स (अधिकतम): 50V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 25A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.1V @ 12.5A, करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr: 5µA @ 50V,

TS15PL05G C2G

TS15PL05G C2G

भाग स्टॉक: 91

डायोड प्रकार: Single Phase, प्रौद्योगिकी: Standard, वोल्टेज - पीक रिवर्स (अधिकतम): 600V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 15A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 900mV @ 7.5A, करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr: 5µA @ 600V,

DBL153GHC1G

DBL153GHC1G

भाग स्टॉक: 152

डायोड प्रकार: Single Phase, प्रौद्योगिकी: Standard, वोल्टेज - पीक रिवर्स (अधिकतम): 200V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 1.5A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.1V @ 1.5A, करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr: 2µA @ 200V,

TS8P06G C2G

TS8P06G C2G

भाग स्टॉक: 96

डायोड प्रकार: Single Phase, प्रौद्योगिकी: Standard, वोल्टेज - पीक रिवर्स (अधिकतम): 800V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 8A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.1V @ 8A, करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr: 10µA @ 800V,

GBU1004 D2G

GBU1004 D2G

भाग स्टॉक: 159

डायोड प्रकार: Single Phase, प्रौद्योगिकी: Standard, वोल्टेज - पीक रिवर्स (अधिकतम): 400V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 10A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.1V @ 10A, करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr: 5µA @ 400V,

TS8P04GHD2G

TS8P04GHD2G

भाग स्टॉक: 164

डायोड प्रकार: Single Phase, प्रौद्योगिकी: Standard, वोल्टेज - पीक रिवर्स (अधिकतम): 400V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 8A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.1V @ 8A, करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr: 10µA @ 400V,

TSS4B04GHC2G

TSS4B04GHC2G

भाग स्टॉक: 92

डायोड प्रकार: Single Phase, प्रौद्योगिकी: Standard, वोल्टेज - पीक रिवर्स (अधिकतम): 400V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 4A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.3V @ 4A, करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr: 5µA @ 400V,

GBPC5006M T0G

GBPC5006M T0G

भाग स्टॉक: 87

डायोड प्रकार: Single Phase, प्रौद्योगिकी: Standard, वोल्टेज - पीक रिवर्स (अधिकतम): 600V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 50A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.1V @ 25A, करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr: 10µA @ 600V,

DBL209G C1G

DBL209G C1G

भाग स्टॉक: 132

डायोड प्रकार: Single Phase, प्रौद्योगिकी: Standard, वोल्टेज - पीक रिवर्स (अधिकतम): 1.4kV, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 2A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.3V @ 2A, करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr: 2µA @ 1400V,

TS8P07G C2G

TS8P07G C2G

भाग स्टॉक: 84

डायोड प्रकार: Single Phase, प्रौद्योगिकी: Standard, वोल्टेज - पीक रिवर्स (अधिकतम): 1kV, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 8A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.1V @ 8A, करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr: 10µA @ 1000V,

TS10KL60HD3G

TS10KL60HD3G

भाग स्टॉक: 176

डायोड प्रकार: Single Phase, प्रौद्योगिकी: Standard, वोल्टेज - पीक रिवर्स (अधिकतम): 600V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 10A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1V @ 5A, करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr: 5µA @ 600V,

TS25P04G C2G

TS25P04G C2G

भाग स्टॉक: 65

डायोड प्रकार: Single Phase, प्रौद्योगिकी: Standard, वोल्टेज - पीक रिवर्स (अधिकतम): 400V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 25A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.1V @ 25A, करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr: 10µA @ 400V,

D2SB80HD2G

D2SB80HD2G

भाग स्टॉक: 80

डायोड प्रकार: Single Phase, प्रौद्योगिकी: Standard, वोल्टेज - पीक रिवर्स (अधिकतम): 800V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 2A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.1V @ 2A, करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr: 10µA @ 800V,

GBPC3502 T0G

GBPC3502 T0G

भाग स्टॉक: 143

डायोड प्रकार: Single Phase, प्रौद्योगिकी: Standard, वोल्टेज - पीक रिवर्स (अधिकतम): 200V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 35A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.1V @ 17.5A, करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr: 5µA @ 200V,

TS25P04G D2G

TS25P04G D2G

भाग स्टॉक: 100

डायोड प्रकार: Single Phase, प्रौद्योगिकी: Standard, वोल्टेज - पीक रिवर्स (अधिकतम): 400V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 25A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.1V @ 25A, करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr: 10µA @ 400V,

GBU605HD2G

GBU605HD2G

भाग स्टॉक: 141

डायोड प्रकार: Single Phase, प्रौद्योगिकी: Standard, वोल्टेज - पीक रिवर्स (अधिकतम): 600V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 6A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.1V @ 6A, करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr: 5µA @ 600V,

GBL08 D2G

GBL08 D2G

भाग स्टॉक: 150

डायोड प्रकार: Single Phase, प्रौद्योगिकी: Standard, वोल्टेज - पीक रिवर्स (अधिकतम): 800V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 4A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1V @ 2A, करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr: 5µA @ 800V,

SBS25 REG

SBS25 REG

भाग स्टॉक: 144

डायोड प्रकार: Single Phase, प्रौद्योगिकी: Standard, वोल्टेज - पीक रिवर्स (अधिकतम): 50V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 2A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 500mV @ 2A, करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr: 100µA @ 50V,

GBU401 D2G

GBU401 D2G

भाग स्टॉक: 169

डायोड प्रकार: Single Phase, प्रौद्योगिकी: Standard, वोल्टेज - पीक रिवर्स (अधिकतम): 50V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 4A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.1V @ 4A, करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr: 5µA @ 50V,

DBLS104GHRDG

DBLS104GHRDG

भाग स्टॉक: 167

डायोड प्रकार: Single Phase, प्रौद्योगिकी: Standard, वोल्टेज - पीक रिवर्स (अधिकतम): 400V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 1A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.1V @ 1A, करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr: 2µA @ 400V,

RMB4SHRCG

RMB4SHRCG

भाग स्टॉक: 137

डायोड प्रकार: Single Phase, प्रौद्योगिकी: Standard, वोल्टेज - पीक रिवर्स (अधिकतम): 400V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 500mA, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1V @ 400mA, करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr: 5µA @ 400V,

GBL201 D2G

GBL201 D2G

भाग स्टॉक: 120

डायोड प्रकार: Single Phase, प्रौद्योगिकी: Standard, वोल्टेज - पीक रिवर्स (अधिकतम): 50V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 2A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1V @ 2A, करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr: 5µA @ 50V,

DBLS204GHRDG

DBLS204GHRDG

भाग स्टॉक: 86

डायोड प्रकार: Single Phase, प्रौद्योगिकी: Standard, वोल्टेज - पीक रिवर्स (अधिकतम): 400V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 2A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.15V @ 2A, करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr: 2µA @ 400V,

DBL103GHC1G

DBL103GHC1G

भाग स्टॉक: 99

डायोड प्रकार: Single Phase, प्रौद्योगिकी: Standard, वोल्टेज - पीक रिवर्स (अधिकतम): 200V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 1A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.1V @ 1A, करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr: 2µA @ 200V,

DBL202GHC1G

DBL202GHC1G

भाग स्टॉक: 123

डायोड प्रकार: Single Phase, प्रौद्योगिकी: Standard, वोल्टेज - पीक रिवर्स (अधिकतम): 100V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 2A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.15V @ 2A, करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr: 2µA @ 100V,

GBU404HD2G

GBU404HD2G

भाग स्टॉक: 142

डायोड प्रकार: Single Phase, प्रौद्योगिकी: Standard, वोल्टेज - पीक रिवर्स (अधिकतम): 400V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 4A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.1V @ 4A, करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr: 5µA @ 400V,

GBPC25005 T0G

GBPC25005 T0G

भाग स्टॉक: 124

डायोड प्रकार: Single Phase, प्रौद्योगिकी: Standard, वोल्टेज - पीक रिवर्स (अधिकतम): 50V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 25A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.1V @ 12.5A, करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr: 5µA @ 50V,

SBS34 REG

SBS34 REG

भाग स्टॉक: 143

डायोड प्रकार: Single Phase, प्रौद्योगिकी: Standard, वोल्टेज - पीक रिवर्स (अधिकतम): 40V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 3A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 500mV @ 3A, करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr: 500µA @ 40V,

DBL104G C1G

DBL104G C1G

भाग स्टॉक: 91

डायोड प्रकार: Single Phase, प्रौद्योगिकी: Standard, वोल्टेज - पीक रिवर्स (अधिकतम): 400V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 1A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.1V @ 1A, करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr: 2µA @ 400V,

GBPC5010M T0G

GBPC5010M T0G

भाग स्टॉक: 128

डायोड प्रकार: Single Phase, प्रौद्योगिकी: Standard, वोल्टेज - पीक रिवर्स (अधिकतम): 1kV, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 50A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.1V @ 25A, करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr: 10µA @ 1000V,

GBU1005 D2G

GBU1005 D2G

भाग स्टॉक: 125

डायोड प्रकार: Single Phase, प्रौद्योगिकी: Standard, वोल्टेज - पीक रिवर्स (अधिकतम): 600V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 10A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.1V @ 10A, करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr: 5µA @ 600V,

DBLS153GHC1G

DBLS153GHC1G

भाग स्टॉक: 125

डायोड प्रकार: Single Phase, प्रौद्योगिकी: Standard, वोल्टेज - पीक रिवर्स (अधिकतम): 200V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 1.5A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.1V @ 1.5A, करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr: 2µA @ 200V,

GBPC1508 T0G

GBPC1508 T0G

भाग स्टॉक: 111

डायोड प्रकार: Single Phase, प्रौद्योगिकी: Standard, वोल्टेज - पीक रिवर्स (अधिकतम): 800V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 15A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.1V @ 7.5A, करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr: 5µA @ 800V,

GBPC2504M T0G

GBPC2504M T0G

भाग स्टॉक: 90

डायोड प्रकार: Single Phase, प्रौद्योगिकी: Standard, वोल्टेज - पीक रिवर्स (अधिकतम): 400V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 25A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.1V @ 12.5A, करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr: 5µA @ 400V,

GBPC1501M T0G

GBPC1501M T0G

भाग स्टॉक: 98

डायोड प्रकार: Single Phase, प्रौद्योगिकी: Standard, वोल्टेज - पीक रिवर्स (अधिकतम): 100V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 15A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.1V @ 7.5A, करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr: 5µA @ 100V,

DBL208G C1G

DBL208G C1G

भाग स्टॉक: 110

डायोड प्रकार: Single Phase, प्रौद्योगिकी: Standard, वोल्टेज - पीक रिवर्स (अधिकतम): 1.2kV, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 2A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.3V @ 2A, करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr: 2µA @ 1200V,