डायोड - ब्रिज रेक्टीफायर्स

TS8P02G C2G

TS8P02G C2G

भाग स्टॉक: 176

डायोड प्रकार: Single Phase, प्रौद्योगिकी: Standard, वोल्टेज - पीक रिवर्स (अधिकतम): 100V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 8A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.1V @ 8A, करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr: 10µA @ 100V,

TS8P06GHC2G

TS8P06GHC2G

भाग स्टॉक: 130

डायोड प्रकार: Single Phase, प्रौद्योगिकी: Standard, वोल्टेज - पीक रिवर्स (अधिकतम): 800V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 8A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.1V @ 8A, करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr: 10µA @ 800V,

GBL10 D2G

GBL10 D2G

भाग स्टॉक: 157

डायोड प्रकार: Single Phase, प्रौद्योगिकी: Standard, वोल्टेज - पीक रिवर्स (अधिकतम): 1kV, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 4A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.1V @ 4A, करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr: 5µA @ 1000V,

GBU1002HD2G

GBU1002HD2G

भाग स्टॉक: 113

डायोड प्रकार: Single Phase, प्रौद्योगिकी: Standard, वोल्टेज - पीक रिवर्स (अधिकतम): 100V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 10A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.1V @ 10A, करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr: 5µA @ 100V,

DBLS103GHC1G

DBLS103GHC1G

भाग स्टॉक: 119

डायोड प्रकार: Single Phase, प्रौद्योगिकी: Standard, वोल्टेज - पीक रिवर्स (अधिकतम): 200V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 1A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.1V @ 1A, करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr: 2µA @ 200V,

TSS4B02GHD2G

TSS4B02GHD2G

भाग स्टॉक: 107

डायोड प्रकार: Single Phase, प्रौद्योगिकी: Standard, वोल्टेज - पीक रिवर्स (अधिकतम): 100V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 4A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 980mV @ 4A, करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr: 5µA @ 100V,

TS10P06G D2G

TS10P06G D2G

भाग स्टॉक: 158

डायोड प्रकार: Single Phase, प्रौद्योगिकी: Standard, वोल्टेज - पीक रिवर्स (अधिकतम): 800V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 10A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.1V @ 10A, करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr: 10µA @ 800V,

GBU602HD2G

GBU602HD2G

भाग स्टॉक: 172

डायोड प्रकार: Single Phase, प्रौद्योगिकी: Standard, वोल्टेज - पीक रिवर्स (अधिकतम): 100V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 6A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.1V @ 6A, करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr: 5µA @ 100V,

HDBLS107G RDG

HDBLS107G RDG

भाग स्टॉक: 111

डायोड प्रकार: Single Phase, प्रौद्योगिकी: Standard, वोल्टेज - पीक रिवर्स (अधिकतम): 1kV, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 1A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.7V @ 1A, करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr: 5µA @ 1000V,

SBS34HRGG

SBS34HRGG

भाग स्टॉक: 132

डायोड प्रकार: Single Phase, प्रौद्योगिकी: Standard, वोल्टेज - पीक रिवर्स (अधिकतम): 40V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 3A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 500mV @ 3A, करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr: 500µA @ 40V,

GBPC1510 T0G

GBPC1510 T0G

भाग स्टॉक: 169

डायोड प्रकार: Single Phase, प्रौद्योगिकी: Standard, वोल्टेज - पीक रिवर्स (अधिकतम): 1kV, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 15A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.1V @ 7.5A, करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr: 5µA @ 1000V,

SBS36HREG

SBS36HREG

भाग स्टॉक: 138

डायोड प्रकार: Single Phase, प्रौद्योगिकी: Standard, वोल्टेज - पीक रिवर्स (अधिकतम): 60V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 3A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 500mV @ 3A, करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr: 500µA @ 60V,

GBPC2504W T0G

GBPC2504W T0G

भाग स्टॉक: 173

डायोड प्रकार: Single Phase, प्रौद्योगिकी: Standard, वोल्टेज - पीक रिवर्स (अधिकतम): 400V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 25A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.1V @ 12.5A, करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr: 5µA @ 400V,

HDBL107G C1G

HDBL107G C1G

भाग स्टॉक: 161

डायोड प्रकार: Single Phase, प्रौद्योगिकी: Standard, वोल्टेज - पीक रिवर्स (अधिकतम): 1kV, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 1A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.7V @ 1A, करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr: 5µA @ 1000V,

GBU1003 D2G

GBU1003 D2G

भाग स्टॉक: 107

डायोड प्रकार: Single Phase, प्रौद्योगिकी: Standard, वोल्टेज - पीक रिवर्स (अधिकतम): 200V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 10A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.1V @ 10A, करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr: 5µA @ 200V,

DBL207G C1G

DBL207G C1G

भाग स्टॉक: 74

डायोड प्रकार: Single Phase, प्रौद्योगिकी: Standard, वोल्टेज - पीक रिवर्स (अधिकतम): 1kV, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 2A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.15V @ 2A, करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr: 2µA @ 1000V,

GBL207HD2G

GBL207HD2G

भाग स्टॉक: 175

डायोड प्रकार: Single Phase, प्रौद्योगिकी: Standard, वोल्टेज - पीक रिवर्स (अधिकतम): 1kV, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 2A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1V @ 2A, करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr: 5µA @ 1000V,

DBLS202GHRDG

DBLS202GHRDG

भाग स्टॉक: 133

डायोड प्रकार: Single Phase, प्रौद्योगिकी: Standard, वोल्टेज - पीक रिवर्स (अधिकतम): 100V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 2A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.15V @ 2A, करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr: 2µA @ 100V,

GBPC3504W T0G

GBPC3504W T0G

भाग स्टॉक: 96

डायोड प्रकार: Single Phase, प्रौद्योगिकी: Standard, वोल्टेज - पीक रिवर्स (अधिकतम): 400V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 35A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.1V @ 17.5A, करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr: 5µA @ 400V,

GBLA04HD2G

GBLA04HD2G

भाग स्टॉक: 173

डायोड प्रकार: Single Phase, प्रौद्योगिकी: Standard, वोल्टेज - पीक रिवर्स (अधिकतम): 400V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 4A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1V @ 4A, करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr: 5µA @ 400V,

EABS1JHREG

EABS1JHREG

भाग स्टॉक: 129

डायोड प्रकार: Single Phase, प्रौद्योगिकी: Standard, वोल्टेज - पीक रिवर्स (अधिकतम): 600V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 1A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.7V @ 1A, करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr: 1µA @ 600V,

GBPC5001 T0G

GBPC5001 T0G

भाग स्टॉक: 135

डायोड प्रकार: Single Phase, प्रौद्योगिकी: Standard, वोल्टेज - पीक रिवर्स (अधिकतम): 100V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 50A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.1V @ 25A, करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr: 10µA @ 100V,

GBL203 D2G

GBL203 D2G

भाग स्टॉक: 159

डायोड प्रकार: Single Phase, प्रौद्योगिकी: Standard, वोल्टेज - पीक रिवर्स (अधिकतम): 200V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 2A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1V @ 2A, करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr: 5µA @ 200V,

DBLS204GHC1G

DBLS204GHC1G

भाग स्टॉक: 121

डायोड प्रकार: Single Phase, प्रौद्योगिकी: Standard, वोल्टेज - पीक रिवर्स (अधिकतम): 400V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 2A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.15V @ 2A, करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr: 2µA @ 400V,

DBLS103G C1G

DBLS103G C1G

भाग स्टॉक: 130

डायोड प्रकार: Single Phase, प्रौद्योगिकी: Standard, वोल्टेज - पीक रिवर्स (अधिकतम): 200V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 1A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.1V @ 1A, करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr: 2µA @ 200V,

EABS1G RGG

EABS1G RGG

भाग स्टॉक: 109

डायोड प्रकार: Single Phase, प्रौद्योगिकी: Standard, वोल्टेज - पीक रिवर्स (अधिकतम): 400V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 1A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.2V @ 1A, करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr: 1µA @ 400V,

MBS10HRCG

MBS10HRCG

भाग स्टॉक: 110

डायोड प्रकार: Single Phase, प्रौद्योगिकी: Standard, वोल्टेज - पीक रिवर्स (अधिकतम): 1kV, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 500mA, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1V @ 400mA, करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr: 5µA @ 1000V,

TS35P07GHD2G

TS35P07GHD2G

भाग स्टॉक: 106

डायोड प्रकार: Single Phase, प्रौद्योगिकी: Standard, वोल्टेज - पीक रिवर्स (अधिकतम): 1kV, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 35A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.1V @ 17.5A, करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr: 10µA @ 1000V,

RABS15MHRGG

RABS15MHRGG

भाग स्टॉक: 80

डायोड प्रकार: Single Phase, प्रौद्योगिकी: Standard, वोल्टेज - पीक रिवर्स (अधिकतम): 1kV, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 1.5A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.3V @ 1.5A, करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr: 1µA @ 1000V,

HDBL103G C1G

HDBL103G C1G

भाग स्टॉक: 77

डायोड प्रकार: Single Phase, प्रौद्योगिकी: Standard, वोल्टेज - पीक रिवर्स (अधिकतम): 200V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 1A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1V @ 1A, करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr: 5µA @ 200V,

TSS4B02G C2G

TSS4B02G C2G

भाग स्टॉक: 80

डायोड प्रकार: Single Phase, प्रौद्योगिकी: Standard, वोल्टेज - पीक रिवर्स (अधिकतम): 100V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 4A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 980mV @ 4A, करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr: 5µA @ 100V,

TS50P07GHD2G

TS50P07GHD2G

भाग स्टॉक: 84

डायोड प्रकार: Single Phase, प्रौद्योगिकी: Standard, वोल्टेज - पीक रिवर्स (अधिकतम): 1kV, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 50A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.1V @ 25A, करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr: 10µA @ 1000V,

GBU604HD2G

GBU604HD2G

भाग स्टॉक: 92

डायोड प्रकार: Single Phase, प्रौद्योगिकी: Standard, वोल्टेज - पीक रिवर्स (अधिकतम): 400V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 6A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.1V @ 6A, करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr: 5µA @ 400V,

DBLS152G C1G

DBLS152G C1G

भाग स्टॉक: 155

डायोड प्रकार: Single Phase, प्रौद्योगिकी: Standard, वोल्टेज - पीक रिवर्स (अधिकतम): 100V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 1.5A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.1V @ 1.5A, करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr: 2µA @ 100V,

TS10KL60 D3G

TS10KL60 D3G

भाग स्टॉक: 80

डायोड प्रकार: Single Phase, प्रौद्योगिकी: Standard, वोल्टेज - पीक रिवर्स (अधिकतम): 600V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 10A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1V @ 5A, करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr: 5µA @ 600V,

D2SB20HD2G

D2SB20HD2G

भाग स्टॉक: 85

डायोड प्रकार: Single Phase, प्रौद्योगिकी: Standard, वोल्टेज - पीक रिवर्स (अधिकतम): 200V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 2A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.1V @ 2A, करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr: 10µA @ 200V,