ए/डी कन्वर्टर्स की संख्या: 1, बिट्स की संख्या: 12, नमूनाकरण दर (प्रति सेकंड): 65M, डेटा इंटरफ़ेस: Parallel, निवेश सीमा: 1 ~ 2Vpp, पावर (टाइप) @ शर्तें: 82.3mW @ 65MSPS,
ए/डी कन्वर्टर्स की संख्या: 1, बिट्स की संख्या: 16, नमूनाकरण दर (प्रति सेकंड): 105M, डेटा इंटरफ़ेस: Serial, निवेश सीमा: 1.5 ~ 2.25Vpp, पावर (टाइप) @ शर्तें: 1.3W @ 105MSPS,
ए/डी कन्वर्टर्स की संख्या: 2, बिट्स की संख्या: 16, नमूनाकरण दर (प्रति सेकंड): 80M, डेटा इंटरफ़ेस: Serial LVDS, निवेश सीमा: 1 ~ 2Vpp, पावर (टाइप) @ शर्तें: 295mW @ 80MSPS,
ए/डी कन्वर्टर्स की संख्या: 2, बिट्स की संख्या: 10, नमूनाकरण दर (प्रति सेकंड): 105M, डेटा इंटरफ़ेस: Parallel, निवेश सीमा: 1 ~ 2Vpp, पावर (टाइप) @ शर्तें: 540mW @ 105MSPS,
ए/डी कन्वर्टर्स की संख्या: 1, बिट्स की संख्या: 12, नमूनाकरण दर (प्रति सेकंड): 2M, डेटा इंटरफ़ेस: CMOS, Serial, निवेश सीमा: 8Vpp, पावर (टाइप) @ शर्तें: 35mW @ 2MSPS,
ए/डी कन्वर्टर्स की संख्या: 1, बिट्स की संख्या: 16, नमूनाकरण दर (प्रति सेकंड): 15, डेटा इंटरफ़ेस: MICROWIRE™, Serial, SPI™,
ए/डी कन्वर्टर्स की संख्या: 1, बिट्स की संख्या: 14, नमूनाकरण दर (प्रति सेकंड): 250M, डेटा इंटरफ़ेस: Parallel, Serial, SPI, निवेश सीमा: 1.5Vpp, पावर (टाइप) @ शर्तें: 392mW @ 250MSPS,
ए/डी कन्वर्टर्स की संख्या: 1, बिट्स की संख्या: 16, नमूनाकरण दर (प्रति सेकंड): 5M, डेटा इंटरफ़ेस: CMOS, Serial, निवेश सीमा: 8Vpp, पावर (टाइप) @ शर्तें: 45mW @ 5MSPS,
ए/डी कन्वर्टर्स की संख्या: 1, बिट्स की संख्या: 18, नमूनाकरण दर (प्रति सेकंड): 500k, डेटा इंटरफ़ेस: SPI, निवेश सीमा: ±10.24V, पावर (टाइप) @ शर्तें: 35mW @ 500kSPS,
ए/डी कन्वर्टर्स की संख्या: 1, बिट्स की संख्या: 12, नमूनाकरण दर (प्रति सेकंड): 310M, डेटा इंटरफ़ेस: Parallel, Serial, SPI, निवेश सीमा: 1.32Vpp, पावर (टाइप) @ शर्तें: 415mW @ 310MSPS,
ए/डी कन्वर्टर्स की संख्या: 1, बिट्स की संख्या: 16, नमूनाकरण दर (प्रति सेकंड): 40M, डेटा इंटरफ़ेस: Parallel, निवेश सीमा: 1.5 ~ 2.25Vpp, पावर (टाइप) @ शर्तें: 480mW @ 40MSPS,
ए/डी कन्वर्टर्स की संख्या: 1, बिट्स की संख्या: 16, नमूनाकरण दर (प्रति सेकंड): 125M, डेटा इंटरफ़ेस: Parallel, निवेश सीमा: 1 ~ 2Vpp, पावर (टाइप) @ शर्तें: 204mW @ 125MSPS,
ए/डी कन्वर्टर्स की संख्या: 1, बिट्स की संख्या: 16, नमूनाकरण दर (प्रति सेकंड): 105M, डेटा इंटरफ़ेस: Parallel, निवेश सीमा: 2.25Vpp, पावर (टाइप) @ शर्तें: 900mW @ 105MSPS,
ए/डी कन्वर्टर्स की संख्या: 1, बिट्स की संख्या: 10, नमूनाकरण दर (प्रति सेकंड): 105M, डेटा इंटरफ़ेस: CMOS, LVDS, Parallel, निवेश सीमा: 1 ~ 2Vpp, पावर (टाइप) @ शर्तें: 475mW @ 105MSPS,
ए/डी कन्वर्टर्स की संख्या: 1, बिट्स की संख्या: 12, नमूनाकरण दर (प्रति सेकंड): 100k, डेटा इंटरफ़ेस: MICROWIRE™, Serial, SPI™,
ए/डी कन्वर्टर्स की संख्या: 1, बिट्स की संख्या: 14, नमूनाकरण दर (प्रति सेकंड): 105M, डेटा इंटरफ़ेस: Parallel, Serial, SPI, निवेश सीमा: 1 ~ 2Vpp, पावर (टाइप) @ शर्तें: 187mW @ 105MSPS,
ए/डी कन्वर्टर्स की संख्या: 1, बिट्स की संख्या: 12, नमूनाकरण दर (प्रति सेकंड): 500k, डेटा इंटरफ़ेस: MICROWIRE™, Serial, SPI™, निवेश सीमा: ±VREF/2, पावर (टाइप) @ शर्तें: 14mW @ 500kSPS,
ए/डी कन्वर्टर्स की संख्या: 1, बिट्स की संख्या: 16, नमूनाकरण दर (प्रति सेकंड): 1.6M, डेटा इंटरफ़ेस: Parallel, निवेश सीमा: ±4.096V,
ए/डी कन्वर्टर्स की संख्या: 1, बिट्स की संख्या: 24, नमूनाकरण दर (प्रति सेकंड): 8k, डेटा इंटरफ़ेस: MICROWIRE™, Serial, SPI™,
ए/डी कन्वर्टर्स की संख्या: 2, बिट्स की संख्या: 14, नमूनाकरण दर (प्रति सेकंड): 25M, डेटा इंटरफ़ेस: Serial LVDS, निवेश सीमा: 1 ~ 2Vpp, पावर (टाइप) @ शर्तें: 124mW @ 25MSPS,
ए/डी कन्वर्टर्स की संख्या: 1, बिट्स की संख्या: 14, नमूनाकरण दर (प्रति सेकंड): 25M, डेटा इंटरफ़ेस: Parallel, निवेश सीमा: 1 ~ 2Vpp, पावर (टाइप) @ शर्तें: 75mW @ 25MSPS,
ए/डी कन्वर्टर्स की संख्या: 1, बिट्स की संख्या: 16, नमूनाकरण दर (प्रति सेकंड): 30, डेटा इंटरफ़ेस: SPI,
ए/डी कन्वर्टर्स की संख्या: 1, बिट्स की संख्या: 10, नमूनाकरण दर (प्रति सेकंड): 65M, डेटा इंटरफ़ेस: Parallel, निवेश सीमा: 1 ~ 2Vpp, पावर (टाइप) @ शर्तें: 205mW @ 65MSPS,
ए/डी कन्वर्टर्स की संख्या: 4 and 8, बिट्स की संख्या: 12, 14, 16, नमूनाकरण दर (प्रति सेकंड): 5M, 2M, 1.5M, डेटा इंटरफ़ेस: Serial,
ए/डी कन्वर्टर्स की संख्या: 1, बिट्स की संख्या: 12, नमूनाकरण दर (प्रति सेकंड): 2.5M, डेटा इंटरफ़ेस: SPI, निवेश सीमा: 0 ~ VREF, पावर (टाइप) @ शर्तें: 25mW @ 2.5MSPS,
ए/डी कन्वर्टर्स की संख्या: 1, बिट्स की संख्या: 24, नमूनाकरण दर (प्रति सेकंड): 600, डेटा इंटरफ़ेस: Serial, निवेश सीमा: ±80mV, पावर (टाइप) @ शर्तें: 125mW @ 600SPS,
ए/डी कन्वर्टर्स की संख्या: 1, बिट्स की संख्या: 16, नमूनाकरण दर (प्रति सेकंड): 500k, डेटा इंटरफ़ेस: Serial, Parallel, निवेश सीमा: ±VREF, पावर (टाइप) @ शर्तें: 67mW @ 500kSPS,
ए/डी कन्वर्टर्स की संख्या: 1, बिट्स की संख्या: 12, नमूनाकरण दर (प्रति सेकंड): 1M, डेटा इंटरफ़ेस: DSP, MICROWIRE™, QSPI™, Serial, SPI™, निवेश सीमा: ±10V, पावर (टाइप) @ शर्तें: 31mW @ 1MSPS,
ए/डी कन्वर्टर्स की संख्या: 2, बिट्स की संख्या: 24, नमूनाकरण दर (प्रति सेकंड): 96k, डेटा इंटरफ़ेस: SPI,
ए/डी कन्वर्टर्स की संख्या: 1, बिट्स की संख्या: 18, नमूनाकरण दर (प्रति सेकंड): 2M, डेटा इंटरफ़ेस: Serial, निवेश सीमा: ±VREF, पावर (टाइप) @ शर्तें: 29mW @ 2MSPS,
ए/डी कन्वर्टर्स की संख्या: 3, बिट्स की संख्या: 24, डेटा इंटरफ़ेस: SPI, निवेश सीमा: ±31.25mV,
ए/डी कन्वर्टर्स की संख्या: 1, बिट्स की संख्या: 16, नमूनाकरण दर (प्रति सेकंड): 78.1k, डेटा इंटरफ़ेस: Serial, निवेश सीमा: ±320mV, पावर (टाइप) @ शर्तें: 237mW @ 78.1kSPS,
ए/डी कन्वर्टर्स की संख्या: 1, बिट्स की संख्या: 14, नमूनाकरण दर (प्रति सेकंड): 250k, डेटा इंटरफ़ेस: DSP, MICROWIRE™, QSPI™, Serial, SPI™, निवेश सीमा: 0 ~ VREF, पावर (टाइप) @ शर्तें: 12.5mW @ 250kSPS, 5V,
ए/डी कन्वर्टर्स की संख्या: 1, बिट्स की संख्या: 14, नमूनाकरण दर (प्रति सेकंड): 500k, डेटा इंटरफ़ेस: DSP, MICROWIRE™, QSPI™, Serial, SPI™, निवेश सीमा: 0 ~ VREF, पावर (टाइप) @ शर्तें: 19mW @ 500kSPS, 5V,
ए/डी कन्वर्टर्स की संख्या: 1, बिट्स की संख्या: 12, नमूनाकरण दर (प्रति सेकंड): 1M, डेटा इंटरफ़ेस: Serial, निवेश सीमा: 0 ~ VREF, पावर (टाइप) @ शर्तें: 2.3mW @ 1MSPS,
ए/डी कन्वर्टर्स की संख्या: 1, बिट्स की संख्या: 8, 10, 12, नमूनाकरण दर (प्रति सेकंड): 1M, डेटा इंटरफ़ेस: Serial, निवेश सीमा: 0 ~ 2.5V, पावर (टाइप) @ शर्तें: 13.5mW @ 1MSPS, 5V,
