ट्रांजिस्टर - FETs, MOSFETs - सिंगल | असतत अर्धचालक उत्पाद | 18

R6015FNX

भाग स्टॉक: 11226

एफईटी प्रकार: N-Channel, प्रौद्योगिकी: MOSFET (Metal Oxide), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 600V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 15A (Ta), ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडी चालू, न्यूनतम आरडी चालू): 10V, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 350 mOhm @ 7.5A, 10V,

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Rohm Semiconductor

RCX510N25

भाग स्टॉक: 15729

एफईटी प्रकार: N-Channel, प्रौद्योगिकी: MOSFET (Metal Oxide), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 250V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 51A (Ta), ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडी चालू, न्यूनतम आरडी चालू): 10V,

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Rohm Semiconductor

R6004KNJTL

भाग स्टॉक: 75363

एफईटी प्रकार: N-Channel, प्रौद्योगिकी: MOSFET (Metal Oxide), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 600V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 4A (Tc), ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडी चालू, न्यूनतम आरडी चालू): 10V, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 980 mOhm @ 1.5A, 10V,

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Rohm Semiconductor

SCT2750NYTB

भाग स्टॉक: 15479

एफईटी प्रकार: N-Channel, प्रौद्योगिकी: MOSFET (Metal Oxide), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 1700V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 5.9A (Tc), ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडी चालू, न्यूनतम आरडी चालू): 18V, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 975 mOhm @ 1.7A, 18V,

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Rohm Semiconductor

SCT3060ALGC11

भाग स्टॉक: 7128

एफईटी प्रकार: N-Channel, प्रौद्योगिकी: SiCFET (Silicon Carbide), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 650V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 39A (Tc), ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडी चालू, न्यूनतम आरडी चालू): 18V, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 78 mOhm @ 13A, 18V,

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Rohm Semiconductor

SCH2080KEC

भाग स्टॉक: 2547

एफईटी प्रकार: N-Channel, प्रौद्योगिकी: SiCFET (Silicon Carbide), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 1200V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 40A (Tc), ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडी चालू, न्यूनतम आरडी चालू): 18V, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 117 mOhm @ 10A, 18V,

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Rohm Semiconductor

RRH050P03GZETB

भाग स्टॉक: 6288

एफईटी प्रकार: P-Channel, प्रौद्योगिकी: MOSFET (Metal Oxide), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 30V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 5A (Ta), ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडी चालू, न्यूनतम आरडी चालू): 4V, 10V, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 50 mOhm @ 5A, 10V,

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Rohm Semiconductor

SCT3040KLGC11

भाग स्टॉक: 2854

एफईटी प्रकार: N-Channel, प्रौद्योगिकी: SiCFET (Silicon Carbide), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 1200V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 55A (Tc), ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडी चालू, न्यूनतम आरडी चालू): 18V, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 52 mOhm @ 20A, 18V,

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RSS090P03FU7TB

भाग स्टॉक: 135899

एफईटी प्रकार: P-Channel, प्रौद्योगिकी: MOSFET (Metal Oxide), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 30V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 9A (Ta), ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडी चालू, न्यूनतम आरडी चालू): 4V, 10V, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 14 mOhm @ 9A, 10V,

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Rohm Semiconductor

RP1E090RPTR

भाग स्टॉक: 2073

एफईटी प्रकार: P-Channel, प्रौद्योगिकी: MOSFET (Metal Oxide), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 30V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 9A (Ta), ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडी चालू, न्यूनतम आरडी चालू): 4V, 10V, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 16.9 mOhm @ 9A, 10V,

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RCD080N25TL

भाग स्टॉक: 99109

एफईटी प्रकार: N-Channel, प्रौद्योगिकी: MOSFET (Metal Oxide), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 250V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 8A (Ta), ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडी चालू, न्यूनतम आरडी चालू): 10V, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 300 mOhm @ 4A, 10V,

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Rohm Semiconductor

SCT2H12NYTB

भाग स्टॉक: 18112

एफईटी प्रकार: N-Channel, प्रौद्योगिकी: SiCFET (Silicon Carbide), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 1700V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 4A (Tc), ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडी चालू, न्यूनतम आरडी चालू): 18V, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 1.5 Ohm @ 1.1A, 18V,

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SCT3030ALGC11

भाग स्टॉक: 3030

एफईटी प्रकार: N-Channel, प्रौद्योगिकी: SiCFET (Silicon Carbide), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 650V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 70A (Tc), ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडी चालू, न्यूनतम आरडी चालू): 18V, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 39 mOhm @ 27A, 18V,

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Rohm Semiconductor

R6004ENDTL

भाग स्टॉक: 156482

एफईटी प्रकार: N-Channel, प्रौद्योगिकी: MOSFET (Metal Oxide), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 600V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 4A (Tc), ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडी चालू, न्यूनतम आरडी चालू): 10V, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 980 mOhm @ 1.5A, 10V,

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Rohm Semiconductor

RAQ045P01TCR

भाग स्टॉक: 1902

एफईटी प्रकार: P-Channel, प्रौद्योगिकी: MOSFET (Metal Oxide), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 12V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta), ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडी चालू, न्यूनतम आरडी चालू): 1.5V, 4.5V, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 30 mOhm @ 4.5A, 4.5V,

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Rohm Semiconductor

RS1E200GNTB

भाग स्टॉक: 196672

एफईटी प्रकार: N-Channel, प्रौद्योगिकी: MOSFET (Metal Oxide), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 30V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 20A (Ta), ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडी चालू, न्यूनतम आरडी चालू): 4.5V, 10V, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 4.6 mOhm @ 20A, 10V,

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Rohm Semiconductor

RSS065N06FRATB

भाग स्टॉक: 10801

एफईटी प्रकार: N-Channel, प्रौद्योगिकी: MOSFET (Metal Oxide), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 60V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta), ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडी चालू, न्यूनतम आरडी चालू): 4V, 10V, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 37 mOhm @ 6.5A, 10V,

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Rohm Semiconductor

RMW130N03TB

भाग स्टॉक: 190282

एफईटी प्रकार: N-Channel, प्रौद्योगिकी: MOSFET (Metal Oxide), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 30V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 13A (Ta), ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडी चालू, न्यूनतम आरडी चालू): 4.5V, 10V, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 12.6 mOhm @ 13A, 10V,

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Rohm Semiconductor

RMW200N03TB

भाग स्टॉक: 116058

एफईटी प्रकार: N-Channel, प्रौद्योगिकी: MOSFET (Metal Oxide), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 30V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 20A (Ta), ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडी चालू, न्यूनतम आरडी चालू): 4.5V, 10V, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 4.2 mOhm @ 20A, 10V,

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Rohm Semiconductor

RP1E090XNTCR

भाग स्टॉक: 1429

एफईटी प्रकार: N-Channel, प्रौद्योगिकी: MOSFET (Metal Oxide), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 30V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 9A (Ta), ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडी चालू, न्यूनतम आरडी चालू): 4V, 10V, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 17 mOhm @ 9A, 10V,

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Rohm Semiconductor

RP1E070XNTCR

भाग स्टॉक: 1473

एफईटी प्रकार: N-Channel, प्रौद्योगिकी: MOSFET (Metal Oxide), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 30V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 7A (Ta), ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडी चालू, न्यूनतम आरडी चालू): 4V, 10V, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 28 mOhm @ 7A, 10V,

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Rohm Semiconductor

RP1E100XNTR

भाग स्टॉक: 6211

एफईटी प्रकार: N-Channel, प्रौद्योगिकी: MOSFET (Metal Oxide), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 30V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 10A (Ta), ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडी चालू, न्यूनतम आरडी चालू): 4V, 10V, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 13 mOhm @ 10A, 10V,

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Rohm Semiconductor

RP1E075RPTR

भाग स्टॉक: 1446

एफईटी प्रकार: P-Channel, प्रौद्योगिकी: MOSFET (Metal Oxide), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 30V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta), ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडी चालू, न्यूनतम आरडी चालू): 4V, 10V, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 21 mOhm @ 7.5A, 10V,

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Rohm Semiconductor

RS3E075ATTB

भाग स्टॉक: 122522

एफईटी प्रकार: P-Channel, प्रौद्योगिकी: MOSFET (Metal Oxide), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 30V, ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडी चालू, न्यूनतम आरडी चालू): 4.5V, 10V, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 23.5 mOhm @ 7.5A, 10V,

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Rohm Semiconductor

RSH065N03TB1

भाग स्टॉक: 197099

एफईटी प्रकार: N-Channel, प्रौद्योगिकी: MOSFET (Metal Oxide), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 30V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta), ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडी चालू, न्यूनतम आरडी चालू): 4V, 10V, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 27 mOhm @ 6.5A, 10V,

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Rohm Semiconductor

RSD220N06TL

भाग स्टॉक: 102535

एफईटी प्रकार: N-Channel, प्रौद्योगिकी: MOSFET (Metal Oxide), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 60V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 22A (Ta), ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडी चालू, न्यूनतम आरडी चालू): 4V, 10V,

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Rohm Semiconductor

RP1L080SNTR

भाग स्टॉक: 1473

एफईटी प्रकार: N-Channel, प्रौद्योगिकी: MOSFET (Metal Oxide), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 60V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 8A (Ta), ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडी चालू, न्यूनतम आरडी चालू): 4V, 10V, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 24 mOhm @ 8A, 10V,

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Rohm Semiconductor

RS3E135BNGZETB

भाग स्टॉक: 183103

एफईटी प्रकार: N-Channel, प्रौद्योगिकी: MOSFET (Metal Oxide), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 30V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta), ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडी चालू, न्यूनतम आरडी चालू): 10V, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 14.6 mOhm @ 9.5A, 10V,

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Rohm Semiconductor

RND030N20TL

भाग स्टॉक: 172245

एफईटी प्रकार: N-Channel, प्रौद्योगिकी: MOSFET (Metal Oxide), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 200V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 3A (Tc), ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडी चालू, न्यूनतम आरडी चालू): 10V, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 870 mOhm @ 1.5A, 10V,

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Rohm Semiconductor

R6006ANDTL

भाग स्टॉक: 68225

एफईटी प्रकार: N-Channel, प्रौद्योगिकी: MOSFET (Metal Oxide), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 600V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 6A (Tc), ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडी चालू, न्यूनतम आरडी चालू): 10V, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 1.2 Ohm @ 3A, 10V,

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Rohm Semiconductor

RP1H065SPTR

भाग स्टॉक: 1481

एफईटी प्रकार: P-Channel, प्रौद्योगिकी: MOSFET (Metal Oxide), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 45V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta), ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडी चालू, न्यूनतम आरडी चालू): 4V, 10V, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 31 mOhm @ 6.5A, 10V,

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Rohm Semiconductor

R6004CNDTL

भाग स्टॉक: 76158

एफईटी प्रकार: N-Channel, प्रौद्योगिकी: MOSFET (Metal Oxide), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 600V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 4A (Ta), ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडी चालू, न्यूनतम आरडी चालू): 10V, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 1.8 Ohm @ 2A, 10V,

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Rohm Semiconductor

RRH100P03GZETB

भाग स्टॉक: 101180

एफईटी प्रकार: P-Channel, प्रौद्योगिकी: MOSFET (Metal Oxide), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 30V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 10A (Ta), ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडी चालू, न्यूनतम आरडी चालू): 4V, 10V, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 12.6 mOhm @ 10A, 10V,

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Rohm Semiconductor

RD3L080SNTL1

भाग स्टॉक: 10823

एफईटी प्रकार: N-Channel, प्रौद्योगिकी: MOSFET (Metal Oxide), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 60V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 8A (Ta), ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडी चालू, न्यूनतम आरडी चालू): 4V, 10V, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 80 mOhm @ 8A, 10V,

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Rohm Semiconductor

RS1E280GNTB

भाग स्टॉक: 189450

एफईटी प्रकार: N-Channel, प्रौद्योगिकी: MOSFET (Metal Oxide), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 30V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 28A (Ta), ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडी चालू, न्यूनतम आरडी चालू): 4.5V, 10V, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 2.6 mOhm @ 28A, 10V,

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Rohm Semiconductor

SCT2160KEC

भाग स्टॉक: 7564

एफईटी प्रकार: N-Channel, प्रौद्योगिकी: SiCFET (Silicon Carbide), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 1200V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 22A (Tc), ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडी चालू, न्यूनतम आरडी चालू): 18V, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 208 mOhm @ 7A, 18V,

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