ट्रांजिस्टर - FETs, MOSFETs - Arrays | असतत अर्धचालक उत्पाद | 7

APTM50DUM25TG

भाग स्टॉक: 2781

एफईटी प्रकार: 2 N-Channel (Dual), एफईटी फ़ीचर: Standard, ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 500V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 149A, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 25 mOhm @ 74.5A, 10V, वीजीएस(वें) (अधिकतम) @ आईडी: 4V @ 8mA,

इच्छा-सूची

Microsemi Corporation

APTM50DUM35TG

भाग स्टॉक: 2820

एफईटी प्रकार: 2 N-Channel (Dual), एफईटी फ़ीचर: Standard, ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 500V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 99A, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 39 mOhm @ 49.5A, 10V, वीजीएस(वें) (अधिकतम) @ आईडी: 5V @ 5mA,

इच्छा-सूची

Microsemi Corporation

APTM50DUM19G

भाग स्टॉक: 2832

एफईटी प्रकार: 2 N-Channel (Dual), एफईटी फ़ीचर: Standard, ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 500V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 163A, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 22.5 mOhm @ 81.5A, 10V, वीजीएस(वें) (अधिकतम) @ आईडी: 5V @ 10mA,

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Microsemi Corporation

APTM50DUM17G

भाग स्टॉक: 2758

एफईटी प्रकार: 2 N-Channel (Dual), एफईटी फ़ीचर: Standard, ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 500V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 180A, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 20 mOhm @ 90A, 10V, वीजीएस(वें) (अधिकतम) @ आईडी: 5V @ 10mA,

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Microsemi Corporation

APTM50DSKM65T3G

भाग स्टॉक: 3279

एफईटी प्रकार: 2 N-Channel (Dual), एफईटी फ़ीचर: Standard, ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 500V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 51A, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 78 mOhm @ 25.5A, 10V, वीजीएस(वें) (अधिकतम) @ आईडी: 5V @ 2.5mA,

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Microsemi Corporation

APTM50DHM75TG

भाग स्टॉक: 2739

एफईटी प्रकार: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, एफईटी फ़ीचर: Standard, ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 500V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 46A, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 90 mOhm @ 23A, 10V, वीजीएस(वें) (अधिकतम) @ आईडी: 5V @ 2.5mA,

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Microsemi Corporation

APTM50DSK10T3G

भाग स्टॉक: 2805

एफईटी प्रकार: 2 N-Channel (Dual), एफईटी फ़ीचर: Standard, ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 500V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 37A, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 120 mOhm @ 18.5A, 10V, वीजीएस(वें) (अधिकतम) @ आईडी: 5V @ 1mA,

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Microsemi Corporation

APTM50DHM65TG

भाग स्टॉक: 3354

एफईटी प्रकार: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, एफईटी फ़ीचर: Standard, ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 500V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 51A, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 78 mOhm @ 25.5A, 10V, वीजीएस(वें) (अधिकतम) @ आईडी: 5V @ 2.5mA,

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Microsemi Corporation

APTM50AM25FTG

भाग स्टॉक: 2755

एफईटी प्रकार: 2 N-Channel (Half Bridge), एफईटी फ़ीचर: Standard, ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 500V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 149A, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 25 mOhm @ 74.5A, 10V, वीजीएस(वें) (अधिकतम) @ आईडी: 4V @ 8mA,

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Microsemi Corporation

APTM50AM70FT1G

भाग स्टॉक: 2771

एफईटी प्रकार: 2 N-Channel (Half Bridge), एफईटी फ़ीचर: Standard, ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 500V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 50A, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 84 mOhm @ 42A, 10V, वीजीएस(वें) (अधिकतम) @ आईडी: 5V @ 2.5mA,

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Microsemi Corporation

APTM50A15FT1G

भाग स्टॉक: 2761

एफईटी प्रकार: 2 N-Channel (Half Bridge), एफईटी फ़ीचर: Standard, ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 500V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 25A, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 180 mOhm @ 21A, 10V, वीजीएस(वें) (अधिकतम) @ आईडी: 5V @ 1mA,

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Microsemi Corporation

APTM50AM19STG

भाग स्टॉक: 2747

एफईटी प्रकार: 2 N-Channel (Half Bridge), एफईटी फ़ीचर: Silicon Carbide (SiC), ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 500V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 170A, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 19 mOhm @ 85A, 10V, वीजीएस(वें) (अधिकतम) @ आईडी: 5V @ 10mA,

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Microsemi Corporation

APTM20DUM10TG

भाग स्टॉक: 2803

एफईटी प्रकार: 2 N-Channel (Dual), एफईटी फ़ीचर: Standard, ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 200V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 175A, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 12 mOhm @ 87.5A, 10V, वीजीएस(वें) (अधिकतम) @ आईडी: 5V @ 5mA,

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Microsemi Corporation

APTM20TDUM16PG

भाग स्टॉक: 2825

एफईटी प्रकार: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), एफईटी फ़ीचर: Standard, ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 200V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 104A, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 19 mOhm @ 52A, 10V, वीजीएस(वें) (अधिकतम) @ आईडी: 5V @ 2.5mA,

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Microsemi Corporation

APTM20DUM05TG

भाग स्टॉक: 2827

एफईटी प्रकार: 2 N-Channel (Dual), एफईटी फ़ीचर: Standard, ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 200V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 333A, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 5 mOhm @ 166.5A, 10V, वीजीएस(वें) (अधिकतम) @ आईडी: 4V @ 8mA,

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Microsemi Corporation

APTM20DHM10G

भाग स्टॉक: 2785

एफईटी प्रकार: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, एफईटी फ़ीचर: Standard, ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 200V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 175A, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 12 mOhm @ 87.5A, 10V, वीजीएस(वें) (अधिकतम) @ आईडी: 5V @ 5mA,

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Microsemi Corporation

APTM20DHM16TG

भाग स्टॉक: 2733

एफईटी प्रकार: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, एफईटी फ़ीचर: Standard, ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 200V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 104A, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 19 mOhm @ 52A, 10V, वीजीएस(वें) (अधिकतम) @ आईडी: 5V @ 2.5mA,

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Microsemi Corporation

APTM20DHM08G

भाग स्टॉक: 2824

एफईटी प्रकार: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, एफईटी फ़ीचर: Standard, ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 200V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 208A, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 10 mOhm @ 104A, 10V, वीजीएस(वें) (अधिकतम) @ आईडी: 5V @ 5mA,

इच्छा-सूची

Microsemi Corporation

APTM20AM05FTG

भाग स्टॉक: 2762

एफईटी प्रकार: 2 N-Channel (Half Bridge), एफईटी फ़ीचर: Standard, ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 200V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 333A, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 5 mOhm @ 166.5A, 10V, वीजीएस(वें) (अधिकतम) @ आईडी: 4V @ 8mA,

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Microsemi Corporation

APTM120TDU57PG

भाग स्टॉक: 2732

एफईटी प्रकार: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), एफईटी फ़ीचर: Standard, ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 1200V (1.2kV), करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 17A, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 684 mOhm @ 8.5A, 10V, वीजीएस(वें) (अधिकतम) @ आईडी: 5V @ 2.5mA,

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Microsemi Corporation

APTM120H57FT3G

भाग स्टॉक: 2766

एफईटी प्रकार: 4 N-Channel (H-Bridge), एफईटी फ़ीचर: Standard, ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 1200V (1.2kV), करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 17A, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 684 mOhm @ 8.5A, 10V, वीजीएस(वें) (अधिकतम) @ आईडी: 5V @ 2.5mA,

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Microsemi Corporation

APTM120DU29TG

भाग स्टॉक: 2792

एफईटी प्रकार: 2 N-Channel (Dual), एफईटी फ़ीचर: Standard, ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 1200V (1.2kV), करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 34A, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 348 mOhm @ 17A, 10V, वीजीएस(वें) (अधिकतम) @ आईडी: 5V @ 5mA,

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Microsemi Corporation

APTM120DSK57T3G

भाग स्टॉक: 2791

एफईटी प्रकार: 2 N-Channel (Dual), एफईटी फ़ीचर: Standard, ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 1200V (1.2kV), करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 17A, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 684 mOhm @ 8.5A, 10V, वीजीएस(वें) (अधिकतम) @ आईडी: 5V @ 2.5mA,

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Microsemi Corporation

APTM120A80FT1G

भाग स्टॉक: 2744

एफईटी प्रकार: 2 N-Channel (Half Bridge), एफईटी फ़ीचर: Standard, ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 1200V (1.2kV), करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 14A, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 960 mOhm @ 12A, 10V, वीजीएस(वें) (अधिकतम) @ आईडी: 5V @ 2.5mA,

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Microsemi Corporation

APTM120DDA57T3G

भाग स्टॉक: 2827

एफईटी प्रकार: 2 N-Channel (Dual), एफईटी फ़ीचर: Standard, ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 1200V (1.2kV), करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 17A, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 684 mOhm @ 8.5A, 10V, वीजीएस(वें) (अधिकतम) @ आईडी: 5V @ 2.5mA,

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Microsemi Corporation

APTM120A65FT1G

भाग स्टॉक: 2750

एफईटी प्रकार: 2 N-Channel (Half Bridge), एफईटी फ़ीचर: Standard, ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 1200V (1.2kV), करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 16A, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 780 mOhm @ 14A, 10V, वीजीएस(वें) (अधिकतम) @ आईडी: 5V @ 2.5mA,

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Microsemi Corporation

APTM10TDUM19PG

भाग स्टॉक: 2820

एफईटी प्रकार: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), एफईटी फ़ीचर: Standard, ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 100V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 70A, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 21 mOhm @ 35A, 10V, वीजीएस(वें) (अधिकतम) @ आईडी: 4V @ 1mA,

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Microsemi Corporation

APTM10TDUM09PG

भाग स्टॉक: 2746

एफईटी प्रकार: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), एफईटी फ़ीचर: Standard, ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 100V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 139A, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 10 mOhm @ 69.5A, 10V, वीजीएस(वें) (अधिकतम) @ आईडी: 4V @ 2.5mA,

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Microsemi Corporation

APTM10HM09FTG

भाग स्टॉक: 2809

एफईटी प्रकार: 4 N-Channel (H-Bridge), एफईटी फ़ीचर: Standard, ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 100V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 139A, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 10 mOhm @ 69.5A, 10V, वीजीएस(वें) (अधिकतम) @ आईडी: 4V @ 2.5mA,

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Microsemi Corporation

APTM10DUM05TG

भाग स्टॉक: 2783

एफईटी प्रकार: 2 N-Channel (Dual), एफईटी फ़ीचर: Standard, ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 100V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 278A, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 5 mOhm @ 125A, 10V, वीजीएस(वें) (अधिकतम) @ आईडी: 4V @ 5mA,

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Microsemi Corporation

APTM10DHM09TG

भाग स्टॉक: 2789

एफईटी प्रकार: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, एफईटी फ़ीचर: Standard, ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 100V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 139A, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 10 mOhm @ 69.5A, 10V, वीजीएस(वें) (अधिकतम) @ आईडी: 4V @ 2.5mA,

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Microsemi Corporation

APTM10DDAM19T3G

भाग स्टॉक: 2824

एफईटी प्रकार: 2 N-Channel (Dual), एफईटी फ़ीचर: Standard, ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 100V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 70A, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 21 mOhm @ 35A, 10V, वीजीएस(वें) (अधिकतम) @ आईडी: 4V @ 1mA,

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Microsemi Corporation

APTM100TDU35PG

भाग स्टॉक: 2796

एफईटी प्रकार: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), एफईटी फ़ीचर: Standard, ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 1000V (1kV), करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 22A, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 420 mOhm @ 11A, 10V, वीजीएस(वें) (अधिकतम) @ आईडी: 5V @ 2.5mA,

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Microsemi Corporation

APTM10DDAM09T3G

भाग स्टॉक: 2768

एफईटी प्रकार: 2 N-Channel (Dual), एफईटी फ़ीचर: Standard, ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 100V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 139A, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 10 mOhm @ 69.5A, 10V, वीजीएस(वें) (अधिकतम) @ आईडी: 4V @ 2.5mA,

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Microsemi Corporation

APTM100DUM90G

भाग स्टॉक: 2758

एफईटी प्रकार: 2 N-Channel (Dual), एफईटी फ़ीचर: Standard, ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 1000V (1kV), करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 78A, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 105 mOhm @ 39A, 10V, वीजीएस(वें) (अधिकतम) @ आईडी: 5V @ 10mA,

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Microsemi Corporation

APTM100H80FT1G

भाग स्टॉक: 2809

एफईटी प्रकार: 4 N-Channel (H-Bridge), एफईटी फ़ीचर: Standard, ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 1000V (1kV), करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 11A, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 960 mOhm @ 9A, 10V, वीजीएस(वें) (अधिकतम) @ आईडी: 5V @ 1mA,

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